Cтраница 3
Опытные и вычисленные значения к по формуле ( 28 и ( 48. [31] |
Зависимость скорости или константы скорости гетерогенного зарождения радикалов от температуры определяет в основном зависимость скорости валовой реакции крекинга алканов от температуры, поскольку стадия зарождения радикалов является самой медленной реакцией. [32]
Структура поверхности ( 111 Ge после локального нагружения ( А, шлифовки ( В при 20 С и последующего низкотемпературною отжига при 500 С в течение 4 ч. Ув. 800. [33] |
Обнаружено существование некоторого порогового напряжения гетерогенного зарождения дислокаций тг. [34]
Из представления о соответствии между гетерогенным зарождением и обрывом цепей [98] следует не только возможность вычисления скорости гетерогенного зарождения радикалов, если известны вероятность рекомбинации их на дан-ной химически нереакционноспособной поверхности и равновесная концентрация радикалов при температуре стенок, но также независимость скорости радикально-цепной реакции от гетерогенного фактора [103, 98], несмотря на участие поверхности в процессе. [35]
Модели огрубления субзарен связаны с гетерогенным зарождением. Предполагается, что в материале уже существуют области с высокой плотностью дислокаций, сильно разориенти. [36]
Основой вывода является предположение о гетерогенном зарождении активных центров с последующим развитием цепного процесса в объеме и обрывом цепей только на стенках. Предполагается, что на поверхности имеются, по крайней мере, два типа активных центров адсорбции, на которых могут адсорбироваться молекулы алкана. В результате адсорбции молекул алкана на адсорбционных центрах А происходит необратимый распад на радикалы, один из которых выбрасывается в объем, а другой остается на поверхности, образуя с активным центром А снова активный центр АК. Последний способен не только адсорбировать молекулу алкана, но и подобно центру А на поверхности, вступать в необратимое химическое взаимодействие с другой скоростью, чем в случае центров А с выбросом радикалов в объем. Кроме этих процессов зарождения цепей, на стенках происходят реакции развития цепей в объеме и реакции обрыва цепей. [37]
Позднее было показано [6], что гетерогенное зарождение цепей однозначно связано с хорошо известными процессами гетерогенного обрыва цепей. [38]
Анализ проведен на основе классической теории гетерогенного зарождения Беккера - Дьеринга. [39]
Мы не рассматриваем здесь гипотезы о гетерогенном зарождении цепей, поскольку, как мы увидим ниже, сам химический характер акта зарождения цепи не оказывает никакого влияния на внешнее проявление процесса. [40]
В промышленных методах кристаллизации чаще используют именно гетерогенное зарождение, применяя затравки из выращенного вещества или из изоморфных ему веществ. [41]
Не меняет существо дела и рассмотрение возможности гетерогенного зарождения. [42]
Возможен и другой способ расчета скорости реакции гетерогенного зарождения радикалов [98], основанный на представлении о том, что стенки, подобно идеальному катализатору, не могут влиять на положение равновесия при процессах, происходящих в объеме. [43]
Рассмотрим теперь энергетические особенности наиболее распространенной схемы гетерогенного зарождения дислокаций - образование их вблизи поверхностных ступенек. Ступеньки разных знаков А и В превращаются при растяжении кристалла в дислокации А к В в разных системах скольжения I и II. Моноатомная ступенька на поверхности способна образовать не только единичную дислокацию, но при определенных условиях может действовать как источник множества дислокаций по двум системам скольжения. Коэффициент концентрации напряжений К на ступени роста выражается формулой [341] К 1 а ( а / г) / 2, где а - высота ступеньки; г - радиус кривизны ее основания; а - постоянный коэффициент. [44]
Уравнение ( 85) при гомогенном или гетерогенном зарождении в линейной области адсорбции алкана определяет замедляющуюся во времени реакцию по сравнению с мономолекулярной. [45]