Cтраница 2
Электронные оболочки отрицательных ионов деформируются под действием сил положительных ионов, и тем сильнее, чем меньте радиус и чем больше заряд положительных ионов. Ионы с конфигурацией инертного газа проявляют меньшее деформирующее влияние, чем остальные ионы. Поэтому влияние деформации в общем случае становится особенно сильным в соединениях элементов побочных подгрупп. [16]
Все это объясняется влиянием отрицательного поля объемного заряда, которого нет в металлах, поскольку объемный заряд электронов компенсируется в нем зарядом положительных ионов кристаллической решетки. [17]
Электронные оболочки отрицательных; ионов деформируются под действием сил положительных ионов, и тем сильнее, чем меньше радиус и чем больше заряд положительных ионов. Далее, отрицательные ионы деформируются тем сильнее, чем они больше; например, ион S2 - деформируется сильнее, чем ион 02 -, Ионы с конфигурацией инертного газа проявляют меньшее деформирующее влияние, чем остальные ионы. Поэтому влияние деформации в общем случае становится особенно сильным в соединениях элементов побочных подгрупп. [18]
Схемы строения молекул гидроокисей и типы диссоциации их. [19] |
Так как при переходе к следующим элементам того же горизонтального ряда периодической системы элементов ( Al, Si, P, S и С1) заряды положительных ионов постепенно увеличиваются ( от 3 у алюминия до 7 у хлора), а радиусы уменьшаются, то указанное выше направление изменений сохраняется и в дальнейшем; именно, у каждой следующей в этом ряду гидроокиси отщепление ионов ОН - становится все более трудным, а отщепление ионов Н все более легким. [20]
Схема строения молекул гидроокисей и кислот и типы диссоциации их ( по Косеелю. [21] |
Так как при переходе к следующим элементам того же горизонтального ряда периодической системы элементов ( Al, Si, P, S и С1) заряды положительных ионов постепенно увеличиваются ( от 3 у алюминия до 7 у хлора), а радиусы уменьшаются, то направление изменений сохраняется и в дальнейшем; именно, у каждой следующей в этом ряду гидроокиси отщепление ионов ОН становится все более трудным, а отщепление ионов Н все более легким. [22]
В последнее время поставлен вопрос еще об одном виде энергии теплового движения в полупроводниках: совокупность свободных электронов, связанная с таким же по величине зарядом положительных ионов может быть приведена тепловым движением в колебания тем более интенсивные, чем выше температура. Такие же колебания должны испытывать и дырки в электрическом поле отрицательных ионов. Возбуждаемые этими колебаниями волны, распространяясь в направлении градиента температуры, могут переносить энергию и тем самым повышать теплопроводность тела. [23]
Таким образом, отдельная силовая трубка может иметь отличный от нуля потенциал только в том случае, если у ее концов, в участках АВ и DE, где плотность электронов равна нулю, будет иметься заряд положительных ионов. [24]
Ионы в растворах солей, кислот и оснований образуются в результате электролитической диссоциации ( распада) при растворении молекул электролита; они образуются также при расплавлении многих кристаллических веществ. Сумма зарядов положительных ионов равна сумме зарядов отрицательных ионов вследствие электронейтральности как отдельной молекулы, так и раствора в целом. [25]
Кинетическая энергия ионов зависит, вообще говоря, от трех факторов: от напряжения на электродах, длины свободного пути и массы движущихся частиц. Так как заряды положительных ионов и электронов численно равны ( а следовательно, равны электрические силы, действующие на них со стороны электродов), масса же положительных ионов в зависимости от природы газа от 1800 до 100000 и более раз превышает массу отрицательных, то очевидно, что скорость электронов должна быть несравненно значительнее скорости положительных ионов. [26]
У положительного острия лавина электронов бежит из области малой напряженности поля в область большой напряженности, и поэтому нарастание лавины электронов весьма эффективно. В пространстве перед этим острием остается лишь заряд положительных ионов, значительно усиливающий здесь поле и как бы удлиняющий острие. То же повторяется и дальше при пробеге новых лавин из разрядного промежутка по направлению к уже образовавшемуся каналу-острию. Иная картина имеет место у отрицательного острия. Лавина, распространяющаяся от такого острия, пробегает сперва область большей напряженности поля, затем меньшей. Поэтому рост лавины гораздо менее интенсивен, чем в случае положительного острия. Положительный заряд около самого острия возрастает вследствие имеющих здесь место у-процессов, вызывающих развитие новых лавин. Эти положительные заряды, правда, усиливают поле около отрицательного острия, но только на небольшом протяжении между острием и зарядом. Дальше заряд положительных ионов ослабляет напряженность поля. [27]
Исследование распределения потенциалов в ионизационной камере было проведено Брубэкером [283, 284], который рассмотрел влияние пространственного заряда на это распределение. Был исследован эффект пространственного заряда ионизирующих электронов, а также заряда положительных ионов и показано, что для заданной геометрии ионного источника и энергии ионизирующих электронов возможно построить универсальные кривые, которые выразят потенциалы и потенциальные градиенты как функцию давления образца и отношения электронного тока к выталкивающему напряжению. Знание такой зависимости необходимо также для понимания оптических свойств данного ионного источника. [28]
У положительного острия лавина электронов бежит из области малой напряженности поля в область большой напряженности поля, и поэтому нарастание лавины электронов очень эффективно. Электроны тут же уходят на анод, и в пространстве перед острием остается лишь заряд положительных ионов, значительно усиливающий здесь поле и как бы удлиняющий острие. То же повторяется и дальше при пробеге новых лавин из разрядного промежутка по направлению к уже образовавшемуся каналу-острию. Иная картина имеет место у отрицательного острия. Лавина, распространяющаяся от такого острия, пробегает сперва область большей напряженности поля, затем меньшей. Поэтому рост лавины гораздо менее интенсивен, чем в случае положительного острия. Положительный заряд около самого острия возрастает. Этот заряд усиливает поле около отрицательного острия, но только на небольшом протяжении между острием и той областью, где сосредоточен положительный заряд. Дальше заряд положительных ионов ослабляет напряженность поля. [29]
Изменение потенциала в плотной и диффузной частях двойного слоя. Линия АА - граница между плотным и диффузным слоем.| Схема строения двойного. [30] |