Cтраница 1
Неосновные свободные заряды ( электроны из р - и дырки из л-полу-проводника) скатываются с потенциального барьера, число таких зарядов, переходящих через контакт, не зависит от высоты потенциального барьера и определяется их концентрацией ( которая сравнительно невелика, заряды - неосновные. [1]
Неосновные свободные заряды ( электроны из р - и дырки из n - полупроводника) скатываются с потенциального барьера, число таких зарядов, переходящих через контакт, не зависит от высоты потенциального барьера и определяется их концентрацией ( которая сравнительно невелика, заряды - неосновные. [2]
Неосновные свободные заряды - дырки в - полупроводнике н электроны в р-полупроводнике - переходящие через контакт, представляют собой ток неосновных свободных зарядов, направленный слева направо. [3]
Плотность тока неосновных свободных зарядов практически не меняется. Направление возникающего тока называется проходным, а сам ток - прямым. [4]
Как на эффекте Холла сказывается наличие неосновных свободных зарядов. [5]
Неосновные свободные заряды - дырки в - полупроводнике н электроны в р-полупроводнике - переходящие через контакт, представляют собой ток неосновных свободных зарядов, направленный слева направо. [6]
Заметим, что достаточно далеко от переходной области потенциал можно считать равным нулю, так как по мере удаления от контакта вследствие рекомбинации концентрация неосновных свободных зарядов стремится к концентрации этих зарядов в чистом полупроводнике. [7]
Потенциал - полупроводника станет ниже, р-полупроводника - выше, соответственно изменятся энергии свободных зарядов и у м е и ь-шится высота потенциального барьера. Плотность тока ( через контакт) неосновных свободных зарядов от этого не изменится, плотность же тока основных зарядов резко увеличится, так как теперь через контакт могут пройти такие основные заряды, энергия которых больше нового потенциального барьера. Результирующая плотность тока будет отличной от нуля, через контакт пойдет ток, направленный справа налево. Плотность результирующего тока достаточно велика и зависит от приложенного напряжения. Этот ток называют прямым, а его направление - проходным. [8]
Сам атом примеси при этом становится отрицательным связанным ионом. Такая примесь называется акцепторной, примесная проводимость полупроводника - дырочной; дырки - основными свободными зарядами. Неосновными свободными зарядами в нем являются электроны. [9]
Потенциалы теперь увеличатся по абсолютной величине, соответственно увеличится и высота потенциального барьера. Это не сказывается на плотности тока неосновных зарядов, плотность же тока основных свободных зарядов резко уменьшится, так как гораздо меньше таких зарядов имеет энергию, достаточную для преодоления нового потенциального барьера. Через контакт идет малый ток неосновных свободных зарядов, плотность ко-торо. [10]
Потенциалы теперь увеличатся по абсолютной величине; соответственно увеличатся по модулю энергии свободных зарядов и высота потенциального барьера. Это не сказывается на плотности тока неосновных зарядов, плотность же тока основных свободных зарядов резко уменьшится, так как гораздо меньше таких зарядов имеет энергию, достаточную для преодоления нового потенциального барьера. Если к контакту приложено напряжение больше 1 В, ток основных свободных зарядов практически полностью прекращается, и 8-бн. Через контакт идет малый ток неосновных свободных зарядов, плотность которого определяется их концентрацией. Этот ток называют обратным, а его направление - запорным. [11]
Такой энергией при комнатных температурах обладает достаточно атомов, поэтому практически каждый атом примеси примет один электрон, на старом месте которого образуется дырка. Сам атом примеси при этом становится отрицательным связанным ионом. Такая примесь называется акцепторной, примесная проводимость полупроводника - дырочная; дырки - основные свободные заряды. Неосновными свободными зарядами в нем являются электроны. [12]