Cтраница 4
В газоразрядных трубках и в электрической дуге электронная температура ( достигающая десятков тысяч температур) в несколько раз ( 2 - 10) превышает ионную и атомную температуры. Существенное значение имеет утечка электронов через стенки сосуда, в котором находится плазма. Эта утечка может привести к тому, что суммарный положительный заряд ионов плазмы может оказаться больше суммарного отрицательного заряда электронов. Первоначально нейтральная ( в целом) плазма может приобрести положительный заряд. [46]
В газоразрядных трубках и в электрической дуге электронная температура ( достигающая десятков тысяч температур) в несколько раз ( 2 - 10) превышает ионную и атомную температуры. Существенное значение имеет утечка электронов через стенки сосуда, в котором находится плазма. Эта утечка может привести к тому, что суммарный положительный заряд ионов плазмы может оказаться меньше суммарного отрицательного заряда электронов. Первоначально нейтральная ( в целом) плазма может приобрести положительный заряд. [47]
Если к диоду приложено напряжение в проводящем направлении, то суммарное электрическое поле p - n - перехода оказывается ослабленным, и диффузия свободных носителей зарядов через p - n - переход увеличивается. В п область через p - n - переход вводится некоторое количество свободных дырок. Это значит, что свободный заряд области п увеличивается на суммарный положительный заряд диффундирующих дырок. [48]
В результате изучения влияния низкомолекулярного электролита ( хлорида натрия), содержащегося в сточной воде, на зависимость - потенциала от дозы флокулянта, установлено, что с увеличением содержания хлорида натрия до 1 5 г / л наблюдается более резкое уменьшение отрицательной величины - потенциала при добавлении флокулянта. Дальнейший рост содержания хлорида натрия в сточной воде сопровождается замедлением снижения g - потенциала, увеличением оптимальной дозы флокулянта и ухудшением эффекта очистки. Это обусловлено снижением степени диссоциации ионогенных групп флокулянта, свертыванием макромолекул и уменьшением их суммарного положительного заряда. [49]
Это относится, в частности, к d - электронам, которые после отрыва валентных электронов образуют внешнюю электронную подоболочку иона. Число d - электронов недостаточно для завершения подоболочки, вследствие чего их связь с ядром не столь сильна, как связь электронов заполненных подоболочек. Поэтому один или несколько таких электронов могут сравнительно легко оторваться от атома, что приводит к увеличению суммарного положительного заряда иона, а следовательно, и его валентности. [50]
Приемный преобразователь приборов с искровой ионизацией потока состоит из устройства ( искрового генератора), периодически создающего высокое напряжение на двух ( в случае искрового разряда) или одном ( в случае коронного разряда) электродах, помещенных в газовом потоке, в результате чего между последними образуется электрический разряд. В процессе этого разряда возникает ионизация газа, находящегося между электродами. В отличие от нейтрального ионного облачка, образующегося при радиоактивном облучении потока, здесь возникает ионная метка с явно выраженным суммарным положительным зарядом, так как в процессе разряда электроны собираются к положительному электроду. Другим характерным отличием ионного облачка, образующегося при искровом разряде, являются его небольшие размеры, поскольку расстояние между остриями электродов, образующее искровой промежуток, равно обычно всего лишь нескольким миллиметрам. [51]
Если в питательных растворах, кроме подлежащих переносу че-раз мембраны ионов, содержатся трех - или четырехвалентные ионы ( например, железа, марганца, тория), их необходимо удалить. Обнаружено, что многовалентные катионы могут связываться внутри катионообменных мембран с фиксированными отрицательными зарядами и частично или полностью их нейтрализовывать. Очевидно, что при этом четырехвалентные ионы связываются с отрицательными фиксированными зарядами матрицы смолы таким образом, что по крайней мере один из четырех положительных зарядов четырехвалентного иона не нейтрализуется фиксированными в матрице смолы отрицательными зарядами. Мембранная матрица в конечном итоге приобретает суммарный положительный заряд, т.е. катионообменная мембрана становится анионообменной мембраной. [52]
В указанном диапазоне температур работают почти все полупроводниковые приборы. Обычно для германия ND 1016 см 3, следовательно, пп - 1016 см 3, а рп - 1010 смгг. Приведенные цифры свидетельствуют о том, что концентрация электронов в полупроводнике га-типа во много раз превышает концентрацию дырок. Суммарный отрицательный заряд свободных электронов в этом случае уравновешивается суммарным положительным зарядом дырок и доноров. [53]
Чем объясняется то или иное поведение атомов при их соприкосновении, в результате которого между элементами возникает химическая связь. Полная энергия электронов и атомов состоит из потенциальной и кинетической энергий. Потенциальная энергия определяется притяжением электронов к ядру, и она тем меньше, чем сильнее притягивается электрон к ядру; кинетическая энергия электрона, наоборот, тем больше, чем сильнее электрон притягивается к ядру. Специальный расчет показывает, что потенциальная энергия электрона в данном состоянии в два раза превышает его кинетическую энергию, поэтому полная энергия электрона определяется в основном его потенциальной энергией. Вследствие этого при соприкосновении атомов электроны стремятся образовать общие орбиты вокруг обоих ядер соприкасающихся атомов, так как притяжение каждого электрона к двум близко расположенным ядрам уменьшает потенциальную энергию, а значит, и общую энергию электронов в атомах ( увеличивается сцепление электронов с ядрами вследствие того, что возрастает суммарный положительный заряд ядер); таким путем образуется молекула из атомов, соединенных друг с другом общими электронами. [54]