Отрицательный заряд

Cтраница 4

Положение по оси температур максимума зату-хания, обусловленного диф-фузией натрия в натриевоалю-мосиликатном стекле. [46]

Отрицательный заряд распределен, следовательно, между всеми кисло-родами комплекса и компенсируется в нашем случае ионом натрия. [47]

Отрицательный заряд на поверхности кремнезема может измениться на противоположный в результате адсорбции на поверхности избыточного количества вещества, обладающего положительным зарядом. Авторы определили, что покрытия оксидами поливалентных металлов могут быть нанесены на всю поверхность частиц и обеспечить максимальную устойчивость золя. Сюда относятся оксиды трех - и четырехвалентных металлов, например алюминия, хрома, галлия, титана и циркония. Предпочтение следует отдать золю с содержанием 26 % кремнезема и 4 % А12О3, в котором положительно заряженные частицы сопровождаются противоионами - хлорид-ионами. [48]

Отрицательные заряды движутся, наоборот, от точек с более низким потенциалом к точкам с более высоким потенциалом. [49]

Отрицательный заряд в винилат-анионе в результате п л-сопряжения Ф - электронной пары кислорода и я-связи и образования трехцентровой МО распределяется между СН2 - группой и атомом кислорода. [50]

Отрицательный заряд комплекса, по-видимому, замедляет обмен электронов, хотя и не исключает его полностью. Если скорость диссоциации или замещения координированных групп достаточно высока, сравнительно малочисленные с точки зрения равновесной концентрации частицы могут играть преобладающую роль при электроосаждении. [51]

Схема переключения тиристора ( а, форма импульса на управляющем электроде ( б, зависимость напряжения на тиристоре ( е и тока через него ( г от времени. [52]

Накопленный отрицательный заряд понижает потенциальный барьер перехода П, что приводит к инжекции дырок в n - базу. Через время tn - W2nj2Dp инжектированные дырки продиффундируют через базу n - типа и перенесутся полем коллектора в р-базу, что вызовет понижение потенциального барьера перехода Я3 и дальнейший рост инжекции электронов. Как только ток через структуру станет равным / Ср ( рис. 5.25), управляющий импульс может быть снят, так как условия для лавинного нарастания тока созданы. [53]

Отрицательный заряд тела определяется избытком электронов, а положительный заряд относительным недостатком электронов, обладающих большей свободой передвижения. [54]

Распределение зарядов на проводящей пластине и поля между зарядом. о и пластиной. [55]

Наведенные отрицательные заряды на поверхности пластины распределяются таким образом, что результирующая напряженность поля внутри проводника от положительного точечного заряда и наведенных отрицательных зарядов равна нулю. Положительные заряды пластины, на которые в первое мгновение действовало поле положительного заряда, уйдут на удаленные края пластины. Поскольку пластина бесконечна, то их полем можно пренебречь. Справа от пластины поле равно нулю. Линии поля начинаются на положительных зарядах и кончаются на отрицательных. [56]

Здесь отрицательный заряд не фиксирован на каком-либо определенном атоме, а рассосредоточен по всей системе аниона бензила. [57]

Страницы: 1 2 3 4