Остаточный заряд

Cтраница 1

Схема электриза ции твердых материалов при их разделении. о-скорость разделения. / 0-ток омического сопротивления. [1]

Остаточный заряд на поверхностях контакта после разделения определяется процессами рекомбинации зарядов. [2]

Остаточный заряд, как уже отмечалось, зависит от скорости отрыва. [3]

Остаточный заряд на пленке может быть определен экспериментально. [4]

Остаточный заряд а определяет внешнее и внутреннее электрические поля электрета. [5]

Остаточный заряд могут сохранять также и кабельные линии, величина которого тем больше, чем длиннее кабельная линия. [6]

Остаточный заряд на конденсаторе растет, и отклонение от закона пропорциональности становится более явным, что показано на фиг. [7]

Осциллограммы напряжения ( а и тока ( б в маломощном тиристоре в период его открытия ( 1 - t / a 12e. 2 - . / а - 14е. 3 - L a 15 в. 4 - U, 17 в. 5 - . / а 19 в. 6 - . / а 22 в. [8]

Пока остаточные заряды не исчезают до некоторого предельного минимума, тиристор вновь открывается при самых небольших анодных напряжениях, не на много превышающих значение Д ( / а. Это приводит к преждевременному открытию и нарушению режима коммутации тока в системе. [9]

Чтобы остаточный заряд конденсаторов не исказил результатов последующих измерений, необходимо разряжать конденсаторы после каждого испытания. [10]

Векторная диаграмма схемы диэлектрика. [11]

Явление остаточного заряда в диэлектриках напоминает явление остаточного намагничивания в ферромагнитных телах. По аналогии с магнитным гистерезисом явление остаточного заряда в диэлектриках называют электрическим гистерезисом. [12]

С явлением остаточного заряда приходится особенно считаться, когда при помощи баллистического метода измеряют статические диэлектрические постоянные кабельной изоляции. [13]

Для снятия остаточного заряда с высоковольтного оборудования после выключения высокого напряжения электроокрасочные камеры снабжаются автоматическими разрядниками в закрытом исполнении. [14]

Ориентировочные величины остаточных зарядов подсчитаны для наиболее распространенных связей органических соединений. [15]

Страницы: 1 2 3 4