Экранирующий заряд
Cтраница 2
С ростом плотности сказывается отсутствующая в ГЮ-1 экспоненциальная зависимость корреляционной функции разноименных зарядов, ( г), от притяжения на близких расстояниях ( появление связанных квази-нейтральных пар - двойников), описываемая лестничным приближением ГЮ-2. Экранирующий заряд оказывается заметно преувеличен, что сказывается с ростом плотности. [17]
На рис. 7.16 схематически показано влияние переноса заряда на интересующие нас энергетические уровни. V ( г) увеличивается, и это приводит к росту дна зоны проводимости Ес, тогда как EJ уменьшается. Увеличение расстояния от экранирующего заряда понижает V ( г) в области, занятой ( 6) 2-электронами Т1, и их энергия Es уменьшается. Это вместе с ростом Ес увеличивает разделение s - и р-зон. [18]
Во второй оболочке имеются 4 ( s - р) квантовых ячеек, содержащих восемь вакантных мест для валентных электронов. В атоме водорода энергии электронов в s - и р-ячейках одной электронной группы одинаковы. В атоме лития имеется двух-электронный остов, экранирующий заряд ядра до. Вследствие просачивания части электронной плотности 2-состояния внутрь остова ( ныряющая боровская орбита) энергия связи 2-электрона с ядром оказывается меньше энергии 2р - электрр-на ( 2s2p), и электронное строение атома лития будет Is22s4 У 4Ве заполняется 2 2-ячейка, а у следующего элемента 5В впервые появляются р-электроны. Далее заполнение р-ячеек, так же как и ячеек следующих d и / электронных подгрупп, идет в соответствии с эмпирическим правилом Хунда, согласно которому конфигурация электронов должна обладать максимальным суммарным спином S. Это означает преимуществен-ность параллельной ориентации спинов. Возможность параллельной ориентации спинов исчерпывается у седьмого элемента азота, имеющего замкнутую сферически симметричную р-под-группу, что проявляется в некотором повышении первого потенциала ионизации атома азота по сравнению с атомами соседних элементов. Далее с увеличением порядкового номера элемента электроны начинают размещаться в ячейках попарно с антипараллельными спинами. Этот процесс завершается у десятого элемента неона, атомы которого имеют замкнутую валентную оболочку с полностью компенсированными механическими и магнитными моментами и сферически симметричным распределением электронной плотности. Последнее является следствием свойств суммы квадратов сферических функций для заполненных подгрупп. Атомы неона, как и гелия, имеют высокий потенциал ионизации и химически инертны. [19]
Действительно, ключевым моментом нашего рассмотрения было предположение об отсутствии проводимости, Фактически же проводимость всегда отлична от нуля, причем даже малая проводимость приводит к сильной экранировке электрического поля за счет перезарядки электронных центров, связанных с примесными ионами и собственными дефектами: кристалла. В результате картина доменной структуры существенно меняется по сравнению с воображаемым случаем непроводящего кристалла. Если вблизи поверхности кристалла имеются экранирующие заряды, то возможна, в частности, структура типа изображенной на рис. 7.4 ( ср. Во многом это действительно так, но не полностью, так как область экранирующего заряда имеет конечную ширину ( обычно порядка долей микрона), и внутри этой области поле все же существует. Мы не будем обсуждать здесь следствия этого обстоятельства, тем более, что четкие представления на этот счет отсутствуют. [20]
Последние резко отличаются от св-в р-ров низкомол. Полимерные к-ты и основания заметно слабее своих низкомол. К не являются характеристич. Способность поликислоты отщеплять протон, а полиоснования присоединять его ослабляется при увеличении а ( т.е. величины заряда полииона) из-за прогрессирующего возрастания кулоновского взаимод. Этот эффект существенно уменьшается при введении в р-ры простых солей, экранирующих заряды полиионов. [21]
Действительно, ключевым моментом нашего рассмотрения было предположение об отсутствии проводимости, Фактически же проводимость всегда отлична от нуля, причем даже малая проводимость приводит к сильной экранировке электрического поля за счет перезарядки электронных центров, связанных с примесными ионами и собственными дефектами: кристалла. В результате картина доменной структуры существенно меняется по сравнению с воображаемым случаем непроводящего кристалла. Если вблизи поверхности кристалла имеются экранирующие заряды, то возможна, в частности, структура типа изображенной на рис. 7.4 ( ср. Во многом это действительно так, но не полностью, так как область экранирующего заряда имеет конечную ширину ( обычно порядка долей микрона), и внутри этой области поле все же существует. Мы не будем обсуждать здесь следствия этого обстоятельства, тем более, что четкие представления на этот счет отсутствуют. [22]
Изучая вопрос о величине максимальных градиентов потенциала в зависимости от расстояния над вершиной облаков, Камалдина приходит к выводу, что их изменение непосредственно вблизи вершины нельзя объяснить только изменением расстояния. Она считает, что причиной этого эффекта является экранирующий объемный заряд, создаваемый токами проводимости. Воннегут и др. [561] также считают, что на границах облака существует экранирующий заряженный слой. Однако, в отличие от этих авторов, Камалдина не придает этому слою столь большого значения в изменении знака поля при его разрушении. Она справедливо указывает, что для изменения знака поля необходимо, чтобы исчез источник поля, а не экранирующий заряд. [23]
Страницы: 1 2