Положительный объемный заряд

Cтраница 4

Зависимость разрядного напряжения промежутка стержень - плоскость при обеих полярностях стержня от местоположения барьера. Расстояние между электродами s9 3 Постоянное напряжение. Штрих-пунктиром показана зависимость разрядного напряжения в однородном поле от расстояния SL. [46]

Поэтому, если без барьера основную роль играл положительный объемный заряд, уменьшавший напряженность поля во внешнем пространстве ( рис. 4 - 6 0), то при наличии барьера значительную роль начинает играть отрицательный заряд, сконцентрированный на барьере, который увеличивает напряженность поля во внешнем пространстве. Поэтому следует ожидать, что при отрицательной полярности стержня установленный в средней части промежутка барьер будет уменьшать разрядное напряжение. [47]

Фоторазвертка кисти. [48]

Перемещение стримеров в пространстве очевидно связано с внедрением положительного объемного заряда. За время существования стримера в один полупериод на его конце формируется положительный объемный заряд. Так как знаки объемного заряда и заряда на проводе совпадают, градиенты в направлении объемного заряда будут меньше. [49]

Для момента времени 3 характерно достижение хвостом волны положительного объемного заряда поверхности провода и в связи с этим начало возврата ионов, образованных в предшествующий полупериод, на провод и их нейтрализация на нем. Таким образом, возникает ионный ток возврата и вступает в действие еще одна причина уменьшения объемного заряда внешней зоны короны. [50]

В я-полупроводнике из-за ухода электронов вблизи границы остается нескомпенсированный положительный объемный заряд неподвижных ионизованных донор-ных атомов. [51]

В л-полупроводнике из-за ухода электронов вблизи границы остается нескомпенсированный положительный объемный заряд неподвижных ионизованных донорных атомов. [52]

Бели электрод с большей кривизной имеет отрицательный знак, положительный объемный заряд усиливает поле у этого электрода, но ослабляет поле в остальной части промежутка. Поэтому прорастание разряда в глубь промежутка здесь затруднено, что и приводит к боле высоким пробивным напряжениям по сравнению с предыдущим: случаем. [53]

Поэтому приконтактныи слой электронного полупроводника обедняется свободными электронами, заполняясь положительным объемным зарядом. Потенциал V в этом слое повышается по сравнению с остальной толщей полупроводника. [54]

Поэтому нрпконтактный слой электронного полупроводника обедняется свободными электронами, заполняясь положительным объемным зарядом. Потенциал V в этом слое повышается по сравнению с остальной толщей полупроводника. [55]

Поэтому в области п, вблизи границы раздела, образуется положительный объемный заряд, а в области р - отрицательный объемный заряд. Область п приобретает положительный потенциал, и энергия электрона в ней становится меньше, а потенциал области р делается отрицательным, и энергия электрона в ней увеличится. [56]

В - полупроводнике из-за ухода электронов вблизи границы остается нескомпенсированный положительный объемный заряд неподвижных ионизоЕ анных донор-ных атомов. [57]

Поэтому в области п, вблизи границы раздела, образуется положительный объемный заряд, а в области р - отрицательный объемный заряд. [58]

Дырки, инжектированные из р - в л-об-ласть, представляют собой положительный объемный заряд. Этот заряд создает электрическое поле, которое привлекает к дыркам электроны, отрицательный заряд которых должен скомпенсировать положительный объемный заряд дырок. Для восстановления электрической нейтральности полупроводника из внешнего вывода должно войти дополнительное количество электронов. [59]

Схема образования. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5