Пространственный заряд

Cтраница 4

Однако пространственный заряд влияет на электропроводность косвенно, так как подвижность носителей зависит от поляризационного облака ( или шубы), окружающего движущийся ион. Кроме того, на частотах ниже области дисперсии е ( со) за счет дипольной поляризации среды движущимся ионом подвижность зависит от дебаевского времени дипольной релаксации тв. [46]

Пространственный заряд в диоде и вызываемое им перераспределение потенциала. [47]

Этот пространственный заряд изменяет распределение потенциала в диоде. [48]

Этот пространственный заряд не зависит от концентрации полиэлектролита. Для соблюдения условия электронейтральности необходимо, чтобы концентрация малых ионов, образующих пространственный заряд, соответствовала числу зарядов противоположного знака, фиксированных в структуре полимера. Эти ионы называются противоио-нами. В окрестности ионизированной группы проти-воионы образуют ионную атмосферу. [49]

Распределение поля и потенциала для промежутка, изображенного на 7, в случае, когда приложена постоянная разность потенциалов Va, a pi увеличивается. [50]

Когда пространственный заряд в пространстве 7 отрицателен и достаточно велик, поле вблизи x Q будет положительным; это значит, что отрицательные заряды движутся по направлению к катоду. [51]

Почему пространственный заряд в электронной лампе при разомкнутой анодной цепи и раскаленном катоде остается постоянным, хотя испарение электронов с катода происходит непрерывно. [52]

Если пространственный заряд электронного пучка скомпенсирован положительными ионами, которые образуются, например, при ионизации электронным пучком атомов остаточного газа, то все же нельзя получить электронный луч с произвольно большой величиной электрического тока. Механизм неустойчивости Пирса связан с условием поддержания эквипо-тенциальности окружающих пучок металлических поверхностей и сеток. [53]

Наличие пространственного заряда снижает эффективность группирования, что очевидно и из простейших представлений о действии кулоновских сил расталкивания. [54]

Величина пространственного заряда в МОП-структуре существенно зависит от металла, из которого изготовлен затвор. Кроме того, величина наведенного заряда зависит от вида воздействующей радиации и типа диэлектрической пленки. [55]

Слой пространственного заряда образуется в полупроводнике с отрицательной дифференциальной проводимостью даже в случае отсутствия шумовых флюктуации или внутренних неодно-родностей вследствие того, что вблизи границы раздела кристалл-отрицательный электрод всегда существует градиент электрического поля. [56]

Распределение пространственного заряда в полупроводнике можно изменять путем наложения электрического поля, направленного перпендикулярно к поверхности полупроводника. Это явление легко обнаруживается ( опытным путем при работе с газовой фазой) по наблюдению модуляции проводимости тонкой пластинки полупроводника, которая используется в качестве одной из пластин конденсатора. Временные постоянные различных поверхностных состояний могут быть измерены, если в опытах по влиянию эффекта поля наложить переменный потенциал. [57]

Уравнение пространственного заряда, связывающее поле с общим катодным падением потенциала и соответствующей ему долей ионного и электронного токов. [58]

Эффекты пространственного заряда возникают, когда максимальная плотность тока в импульсе пучка ионов перед объектной щелью слишком высокая. Критическое значение составляет примерно 10 - 8А на 1 мм длины щели или даже несколько меньше; оно не зависит от ширины щели. Эффект проявляется достаточно резко: возрастание тока вдвое искажает изображение. Изображение широкой объектной щели сначала сужается благодаря образованию более узкого действительного изображения вблизи щели ( рис. 2.11), и только очень большой пространственный заряд может расширить изображение линий. Для узкой объектной щели изображения линий почти немедленно начинают расширяться. [59]

Страницы: 1 2 3 4 5