Cтраница 1
Эквивалентная схема диодного промежутка с виртуальным катодом. [1] |
Зарядка емкости соответствует накоплению пространственного заряда в области виртуального катода и увеличению провисания потенциала в диодном промежутке. Подключение к цепи некоторой дополнительной проводимости GI в момент превышения напряжением на емкости С некоторого порога приводит к разряду емкости. Последнее эквивалентно сбросу заряда из области виртуального катода. [2]
При зарядке емкости ток постепенно уменьшается от максимального значения до нуля. Поэтому изображающая точка перемещается сначала по первому участку, а затем по второму. [3]
По мере зарядки емкости она как бы отключает вторую линию от первой и делает невозможным переход волны с первой линии на вторую. [4]
Источником энергии при зарядке емкости являются индуктивность L и батарея. На рис. 4 и 5 изображены графики напряжения на искровом промежутке U - f ( t), тока в индуктивном элементе цепи i f ( t), тока в искровом промежутке / н f ( t) и магнитная характеристика цепи У - f ( i) в случае дугового и пробойного разрядов. Для дугового разряда токи i и равны. [5]
Диаграмма токов и напря. [6] |
Кэ и К12 происходит зарядка емкостей С, включенных попарно - последовательно. В следующий полупериод переменного тока, когда положительный потенциал имеют точки b, b и Ь, будут работать газотроны Kz, Кз, Кв, Кт, К ю и / Си, через которые подзаряжаются те же емкости. Проводник ОО является уравновешивающим, выравнивающим напряжение между конденсаторами. Если схема симметрична, то ток в уравнительном проводе О0 равен нулю. Напряжение на выходе схемы равно сумме напряжений на отдельных конденсаторах схемы. [7]
Принципиальная схема емкостной защиты. [8] |
При наличии такого экрана зарядка поперечных емкостей происходит главным образом через емкости между экраном и обмоткой, минуя продольные емкости обмотки. [9]
Тф СфГф - постоянная времени зарядки емкости Сф через сопротивление гф. [10]
В течение времени, пока идет зарядка емкости С2, образуется фронт импульсной волны напряжения, следовательно, емкость С2 и сопротивление RI оказывают влияние в основном на фронт волны. С момента достижения максимума напряжения: на емкости С2 происходит формирование длины волны. [11]
Схема инверторов на МДП-транзисторах. [12] |
Выходные эмиттерные повторители ускоряют также процесс зарядки емкости нагрузки. Уменьшение времени задержки распространения сигнала достигается также за счет ограничения перепада выходного напряжения. Однако это приводит к некоторому уменьшению помехоустойчивости микросхем ЭСЛ. Отечественной промышленностью выпускаются серии 100 и К500 ЭСЛ-ИМС, которые широко применяются в аппаратуре. [13]
Рассмотрим теперь, как напряжение, получающееся после зарядки емкостей, распределено вдоль обмотки трансформатора. [14]
Уменьшение энергии происходит вследствие ее расходования в процессе зарядки незаряженной емкости: зарядный ток нагревает соединительные провода и создает электромагнитное поле излучения. Увеличится в два раза; б) увеличится в два раза; в) уменьшится в два раза. Не изменится; б) увеличится в два раза; в) уменьшится в два раза. [15]