Заселение - уровень
Cтраница 1
 |
Диаграмма наиболее низколежащих колебательных уровней основного электронного состояния молекул углекислого газа и азота. [1] |
Заселение уровня Е4 осуществляется в результате следующих двух процессов: столкновений молекул СО2 с электронами и резонансной передачи энергии от молекул азота к молекулам углекислого газа. Его выходная мощность может достигать 1 МВт в непрерывном режиме. [2]
 |
Схематическое устройство счетчика фотонов с преобразованием вверх. [3] |
Чтобы избежать термического заселения уровня 2Л, кристалл охлаждается до температуры жидкого гелия. Время отклика детектора оценивается в 10 - 9 с. Квантовая эффективность счетчика 10 - 6, а минимальный регистрируемый сигнал около 10 - 6 Вт. Несмотря на столь низкие показатели, достигнутые в пробных экспериментах, устройство представляется весьма перспективным детектором ММ и СБМ излучения. [4]
Каждый из этих процессов приводит к заселению синглетного уровня акцептора и, следовательно, к испусканию им сенсиби-лизованной замедленной флуоресценции. Перекрестный механизм преобладает при низких концентрациях акцептора и поэтому представляет наибольший интерес с точки зрения анализа малых количеств. [5]
Фосфоресценция, как правило, происходит после заселения уровня Т ] посредством безызлучательного синглет-триплетного перехода с уровня Si, который в свою очередь возбуждается в результате поглощения света. Относительная интенсивность флуоресценции и фосфоресценции зависит от скорости излучения и интеркомбинационной конверсии с Si; абсолютный квантовый выход зависит также от меж - и внутримолекулярных процессов переноса энергии, фосфоресценция конкурирует не только со столкновительным тушением Гь но и с интеркомбинационным переходом на So. Разница между общей скоростью образования триплетов из Si и скоростью фосфоресценции может быть использована для определения эффективности процесса Ti So в условиях, когда процессами бимолекулярного тушения можно пренебречь. [6]
 |
Трехуровневая ( а и четырехуровневая ( б схемы лазеров. [7] |
Действительно, в этом случае происходит не только быстрое заселение уровня 2, но и практически полное опустошение уровня 3, что исключает возникновение вынужденного испускания, которое могло бы конкурировать с процессом возбуждения. [8]
Все перечисленные процессы приводят не только к заселению уровня, но и к опустошению его. Протекают они в плазме одновременно. [9]
В соответствии с принципом детального равновесия в теории Холландера принято, что заселение уровня / из других состояний и его обеднение происходят с равными скоростями. [10]
Однако такой процесс в приборах не используется, ввиду того что за счет электронного возбуждения происходит также интенсивное заселение уровня 2р частицами с уровня Is. Увеличение населенности уровня 2р снижает коэффициент инверсии на рабочих переходах, так как их верхние уровни 3s и 2s с малым временем жизни заселяются недостаточно интенсивно. [11]
В правильно построенной схеме распада должен соблюдаться баланс интенсивностей ( правило Кирхгофа): сумма интенсивностей переходов, ведущих к заселению короткоживущего уровня, равна сумме интенсивностей переходов с данного уровня в нижележащие состояния. [12]
Принципиальный подход к решению этой проблемы ясен - необходимо рассмотреть баланс между числом частиц, покидающих некоторый энергетический уровень ( разрушение уровня), и числом частиц, заполняющим его ( заселение уровня), и затем обобщить это рассмотрение на все уровни. Понятно, что в общем случае это весьма сложная задача, и поэтому рассмотрим сначала более простой модельный пример обмена энергиями между частицами А. [13]
ТР) и даже при локальном термодинамическом равновесии ( ЛТР), обычно имеющем место в астрофизике применительно к ограниченному пространству, как указывалось выше, должен быть уравновешен каждый способ заселения уровня. [14]
При воздействии на усиливающую среду бесконечно большого сигнала, сбрасывающего инверсную населенность до нуля, с единицы объема активной среды будет снята часть запасенной энергии Лз з где з 2 / ( 2 з) - коэффициент использования запасенной энергии, учитывающий заселение нижнего лазерного уровня. [15]
Страницы: 1 2