Заселение - уровни
Cтраница 1
Заселение уровней, исходных для генерации длинноволнового излучения, происходит здесь как в результате радиационных переходов с верхних уровней ( каскад), так и столкновительного обмена колебательной энергией молекул. [1]
 |
Расположение кривых потенциальных энергий, соответствующее полосатым спектрам типов I и II. [2] |
Поэтому для системы с заметным заселением уровней v 1 и 2 наблюдается сплошное поглощение. Континуум возникает благодаря тому, что / соответствует неквантованным состояниям, лежащим выше предела диссоциации возбужденного состояния v i. В результате вертикального франк-кондоновского перехода в эти состояния молекула оказывается как бы сжатой и последующее колебание приводит к диссоциации на два атома, при этом излишек потенциальной энергии над энергией диссоциации превращается в кинетическую энергию атомов. [3]
В [230] показано, что заселение уровней электронных состояний молекулы азота С3Пи и иона азота 522 происходит возбуждением из различных колебательных уровней основного состояния ( Ап2 Х22 соответственно), а девозбуждение обусловлено радиационным распадом с т - 5 10 - 8 сек. [4]
 |
Схема уровней Не и Ne. [5] |
Процесс Пеннинга не приводит к селективному заселению уровней, стационарная инверсия в этом случае образуется за счет быстрого опустошения ниж. Иногда действуют оба процесса, а также возбуждение электронами и в результате каскадных переходов с уровней, заселяемых указанными процессами. Относит, вклад разных процессов зависит от условий разряда. [6]
При подходящих условиях, относящихся к заселению уровней, может возникать многофотонное поглощение между двумя зонами, из которых одна одновременно участвует в другом процессе поглощения. Примером может служить наблюдаемый в Те процесс однофотон-ного поглощения между зонами Нц и Я5 ( две валентные подзоны), происходящий одновременно с процессом трехфотонного поглощения между зонами Я5 и Я6 ( зона проводимости) при облучении светом С13026 - лазера [3.13-14]; измеренная функция нелинейной прозрачности для обоих процессов показана на фиг. Ее интерпретация позволяет получить данные об эффективном сечении поглощения и об эффективных временах релаксации для между - и внутризонных переходов. [7]
Если степень ионизации настолько далека от равновесия, что заселение уровней вследствие рекомбинации незначительно, то процесс ионизации любого состояния приводит к его обеднению. Это обстоятельство ограничивает процессы заселения всех других состояний, связанных друг с другом принципом детального равновесия. [8]
Такое заселение называют инверсным, а систему или среду с инверсным заселением уровней называют активной. [9]
Этот способ задания концентрации возбужденных атомов особенно удобен тогда, когда заселение уровней происходит в основном сверху, путем рекомбинаций и переходов из лежащих выше состояний. [10]
При этом существуют металлы, ионы которых имеют полосы поглощения, обеспечивающие заселение метастабилыгых уровней, вследствие чего поглощение энергии сопровождается последующим излучением с резонансного уровня. [11]
Если величина в круглых скобках в выражении (5.22) положительна, имеет место инверсное заселение уровней, которое характеризуется тем, что в высшем энергетическом состоянии находится большее число атомов, чем в нижнем. [12]
В общем случае для решения задач неравновесной химической кинетики необходимо совместное рассмотрение задачи заселения электронно-колебательных уровней с учетом стока за счет протекания химических реакций. Раздельное рассмотрение кинетики заселения и химических реакций возможно в случаях, когда химические реакции являются малым каналом стока ( например, для уровней, с которых происходит разрешенная предиссоциация, это не выполняется пи при каких давлениях вплоть до атмосферного) или, если можно пренебречь ступенчатым возбуждением электронно-колебательных уровней ( в частности, процессами колебательной релаксации), как это имеет место в рассмотренном выше случае возбуждения молекул однократным электронным ударом. [13]
 |
Структура зон в кремнии для двух кристаллографических направлений. [14] |
Сообщение электронам дополнительной энергии, так называемый разогрев электронов, может привести к заселению уровней в этом более высокорасположенном минимуме. Однако при восстановлении термодинамического равновесия эти электроны вернутся снова в наиболее глубокий минимум. Такой разогрев может быть вызван, например, электрическим полем, приложенным к кристаллу. [15]
Страницы: 1 2