Заселенность - уровень
Cтраница 1
Заселенность уровня 2Z) s / 2 при температуре 2500 С составляет - 0 4 % от общего числа атомов фосфора. [1]
 |
Уровни энергии и переходы между ними для случая Не - Ne-лазера. [2] |
Заселенность уровня ( 001) молекулы СО2 становится инверсной по отношению как к ( 100) -, так и к ( 20) - уровням, и возникает генерация излучения. Гелий присутствует в смеси как для увеличения эффективности колебательного возбуждения NZ, так и для опустошения нижних уровней, образованных при излучении СО2, обеспечивая таким образом высокие мощности и непрерывность действия. [3]
В общем случае заселенность уровня / можно найти, приравняв число актов возбуждения и девозбуждения уровня / в 1 сек. [4]
 |
Отношение амплитуды РРЛ ( а - главного квантового чис-переходы к нижележащему континууму в ла ДЛЯ РРЛ при О-пере-зависимости от щ ходах. Расчеты проведе. [5] |
Оно уменьшается с температурой из-за меньшей заселенности данного квантового уровня атома в соответствии с уравнением Больцмана. [6]
Формула ( 63) характеризует абсолютную заселенность уровня Et в условиях термодинамического з 2 равновесия. [7]
Поэтому возникают два провала Беннета в распределении заселенностей уровня 10) по скоростям. [9]
Добавлением члена g cos at учитывается модуляция плотности заселенности люминесцентного уровня на частоте со, равной разностной частоте оптических мод. Так как обе оптические моды присутствуют в обоих лучах интерферометра и заселенность люминесцентного уровня пропорциональна квадрату оптического поля, появляющийся сигнал всегда будет иметь разностную частоту, модулирующую люминесценцию. [10]
Поэтому дезактивация молекул С02 в процессе С02 ( 667) М С03 - - М ( V - Т) приводит к понижению заселенности уровня 1090 тем в большей степени, чем больше эффективность частиц М в этом процессе. Из опыта следует, что в этом отношении особенно велика эффективность молекул воды. [11]
Детальные исследования [133] показали, что около 25 % электронной энергии переходит в колебания СО; нижние уровни, вплоть до и 8, заселяются почти равномерно, заселенность уровня у 9 невелика, а заселенность уровней и Ю пренебрежимо мала. Энергия уровня v 10 соответствует примерно половине энергии электронного возбуждения. [12]
Если теперь предположить, что времена релаксации тз2 и т % существенно различаются, то может получиться не просто увеличение заселенности, а ее обращение, при котором заселенность вышележащего уровня больше, чем нижележащего. [13]
Из графика видно, что при ANL ( кривая а) основным каналом распада после окончания импульса будет распад ANG и, следовательно, по окончании действия лазерного импульса заселенность уровня L практически не меняется. При большем Ддгь ( но все еще значительном ANG - кривая Ь) сечение взаимодействия увеличивается - система выходит на насыщение, заселенности N и L выравниваются, однако их сумма падает за счет интенсивного перехода N - G. [15]
Страницы: 1 2 3