Электронная заселенность

Cтраница 1

Электронная заселенность составляет около 0 1 и 0 2 для dX - y - и dxz - AO соответственно. [1]

Электронная заселенность орбиталей центрального атома JVI в молекулах типа МХ3.| Структура димера МгХв ( схема. [2]

Расчеты электронной заселенности атомов и связей в соответствующих димерах [61] показали ( табл. 1.9), что электронное состояние мостиковых атомов X ( рис. 1.5) и мостиковых связей М-X отличается от состояния переферических атомов X и связей М-X. [3]

Характеристика О-О - связи, анергии молекулярных орбиталей и индексы реакционной способности для алкилпероксидов R-О - О-R. [4]

MQ-O - полная электронная заселенность; ЕВзО - энергия верхней заполненной орбитали; ЕНЗО - энергия нижней вакантной орбитали; нф - индекс реакционной способности к нуклеофильным реагентам; JV j - индекс реакционной способное. [5]

Электронная заселенность орбиталей ВН3, NH3 и NH3 - BH3. [6]

Подобные вычисления электронной заселенности орбиталей в молекулах ВН3, NH3 и NH3 - BH3 проведены другими исследователями [64, 65, 67, 77] с использованием иных приближений и методов расчета. Была предпринята попытка оценить также участие Зс. Оказалось, что заселенность Sd-орбиталей и в исходных соединениях, и в комплексе составляет ничтожную долю от заселенности р-орбиталей. Следовательно, можно принять, что З - орбитали не принимают участия в образовании химических связей в указанных соединениях. [7]

Наглядно изменения в электронной заселенности атомов при комплексообразовании можно представить разностной диаграммой. [8]

Как выявил анализ электронной заселенности орбиталей отдельных атомов, при сближении молекулы NH3 с молекулой НС1 происходит значительный перенос заряда от атомов водорода к атому азота в NH3 и передача этого заряда через атом водорода молекулы НС1 атому хлора. [9]

Методом Хюккеля выполнены расчеты [77] электронной заселенности орбиталей для ряда комплексов трехфтористого бора. [10]

Для примера в табл. 1 сопоставлены электронные заселенности и кинетические энергии фрагментов ( Н) в некоторых двухатомных ( АН) и многоатомных ( АН) системах. [11]

Как видно из изложенного выше, предположение о решающей роли электронной заселенности а-связи А - Н и потенциала ионизации BR в определении свойств комплекса RAH - - - BR позволяет предсказать направление и сравнительную степень влияния комнлексообразования на величины АА ж К с изменением состава и электронного строения молекул. Установленные закономерности оказываются широкоприменимыми для различных А и if в рядах комплексов, различающихся атомами В или А, имеющих водородные связи п - и я-типов, к меж - и внутримолекулярным Н - связям. Нарушение этих закономерностей возможно, например, в случае наложения на специфическое взаимодействие молекул RAH и BR в комплексе заметного эффекта кулоновско-го их взаимодействия: отталкивания электронных остовов атомов А и В, притяжения диполь-дипольного или ион-ионного. Так, наложением эффекта отталкивания электронных остовов В и А можно объяснить неподчинение зависимости ( 9) значений АА в рядах комплексов, различающихся лишь атомами В пятой и шестой групп периодической системы. Наложением диполь-дипольного взаимодействия в ряду комплексов С6Н6ОН - - NC объясняется почти линейная связь значений Av ( OH) с ди-польным моментом U. BR, а не с / br - Нарушение зависимости от 7rb - при том же В может быть связано с наложением заметного различия в форме орбитали re - электронов В. [12]

Как видно из изложенного выше, предположение о решающей роли электронной заселенности 0-связи А - Н и потенциала ионизации BR в определении свойств комплекса RAH - - - BR позволяет предсказать направление и сравнительную степень влияния комплексообразования на величины АЛ и К с изменением состава и электронного строения молекул. Установленные закономерности оказываются широкоприменимыми для различных А и К в рядах комплексов, различающихся атомами В или А, имеющих водородные связи п - и л-типов, к меж - и внутримолекулярным Н - связям. Нарушение этих закономерностей возможно, например, в случае наложения на специфическое взаимодействие молекул RAH и BR в комплексе заметного эффекта кулоновско-го их взаимодействия: отталкивания электронных остовов атомов А и В, притяжения диполь-дипольного или ион-ионного. Так, наложением эффекта отталкивания электронных остовов В и А можно объяснить неподчинение зависимости ( 9) значений АЛ в рядах комплексов, различающихся лишь атомами В пятой и шестой групп периодической системы. Наложением диполь-дипольного взаимодействия в ряду комплексов СвН5ОН - - NC объясняется почти линейная связь значений Av ( OH) с ди-польным моментом jj BR, а не с / вгг - Нарушение зависимости от / RB - при том же В может быть связано с наложением заметного различия в форме орбитали тг-электронов В. [13]

Электронное взаимодействие группы А - Не группой R молекулы RAH изменяет электронную заселенность а-связи А - Н и, следовательно, интеграл перекрывания этой связи. [14]

Электронное взаимодействие группы А - Н с группой R молекулы RAH изменяет электронную заселенность а-связи А - Н и, следовательно, интеграл перекрывания этой связи. [15]

Страницы: 1 2 3