Cтраница 1
Затухание излучения и доплеровское уширение являются прототипами однородного и неоднородного уши-рений. Полученные здесь для них выводы соответственно применимы и к другим механизмам уширения; в табл. 3 содержатся качественные и количественные данные для различных важных случаев. Большинство указанных величин вытекает из приведенных выше выводов, но следует дать дополнительные разъяснения: Е является напряженностью внешнего электрического поля, действующего в месте нахождения атомной системы ( для этого механизма при электронных переходах относительное уширение линий по порядку величины равно отношению Е / Е ом, это отношение у нас уже встречалось при оценках в разд. [1]
Затухание излучения внутри оптического волокна обусловлено как поглощением в материале волокна ( включая рассеяние, вызванное флук-туациями плотности на микроскопическом и атомном уровнях), так и самим процессом распространения света в волноводе. Первый механизм затухания определяется материалом и может быть исследован на любом образце этого материала, тогда как второй определяется геометрической формой волновода. Потери, обусловленные поглощением в стекле, можно подразделить на три части: поглощение материала, поглощение на примесях, неизбежно присутствующих в материале, и поглощение на атомных дефектах. Эти потери можно описать феноменологически через коэффициент потерь а. [2]
Идеализированные кривые для изолированного перехода. [3] |
Наблюдаемая кривая является следствием затухания излучения и ее можно описать выражением, модифицированным для учета конечной ширины полосы поглощения. [4]
Верхний предел т ( нижний предел Av) определяется затуханием излучения, которое - должно происходить даже в случае, когда нет других сил, вызывающих рассеяние. [5]
Возникают 2 потока носителей: более горячие движутся в направлении затухания излучения, более холодные - в противоположном. В результате этого противоположные грани проводника А и В заряжаются одна относительно другой, вследствие чего возникает эдс. [6]
При наличии нескольких взаимодействующих электронов, когда имеется конструктивная и деструктивная интерференция между полями, обусловленными отдельными электронами, затухание излучения может быть соответственно больше или меньше значений, даваемых этими соотношениями. [7]
Максимальная мощность, поглощаемая звукоприемником из среды при резонансе с собственной частотой приемника, получается при условии, что затухание излучения и затуха ние, происходящее от собственного поглощения системы, одинаковы. [8]
Обозначения табл. 2 имеют следующие значения: ws - сопротивление излучению, а г сек -, ms - масса, колеблющаяся в среде, в г, Ij - затухание излучения. [9]
Распределение интенсивности теплового излучения в пространстве. [10] |
Таким образом, при контроле тепловым методом необходимо учитывать зависимость приходящего к преобразователю излучения от степени черноты контролируемого объекта (5.6) и спектра (5.7), направление нормали его поверхности относительно линии визирования на преобразователь и возможного затухания излучения в промежуточной среде, сквозь которую проходит тепловое излучение, а также влияние других нагретых предметов, в том числе и за счет отражения. [11]
Если же концентрация атомов в среде мала ( как, например, в туманностях или в межзвездной среде), то при определении функции Q ( v, v) надо принять во внимание лишь затухание излучения и тепловое движение атомов. [12]
Обычно время затухания излучения в газах при разрешенных переходах в оптической области порядка 10 - 8 сек. [13]
Необходимо разобраться еще в одном вопросе: как учесть неизбежное затухание колебаний осциллятора. Физические причины, приводящие к затуханию излучения и связанному с ним уши-рению спектральной линии, были обсуждены выше ( см. гл. При составлении уравнения движения осциллирующего электрона для учета затухания нужно ввести тормозящую силу. Запишем ее в виде - gr, где g - некий коэффициент; частное от его деления на массу электрона обозначают у и называют коэффициентом затухания. [14]
В стандартах с оптической накачкой используют фотодетекторы, обычно фотоэлектронные умножители. Увеличение поглощения мощности СВЧ сопровождается увеличением затухания излучения рубидиевой ( пезневой) лампы. Наименьший фототек получается при совпадении преобразованной частоты с частотой квантового перехода. [15]