Затягивание - фронт
Cтраница 1
Затягивание фронта объясняется двумя причинами. При подаче на вход транзистора импульса тока избыточные дырки в базе перемещаются к коллектору с разной скоростью. В связи с этим ток коллектора нарастает до своего установившегося значения не мгновенно. Кроме того, на емкости Скэ, шунтирующей сопротивление нагрузки, напряжение мгновенно измениться не может. Поэтому даже при идеальном скачке тока А / к 50А / б потенциал коллектора в момент скачка остается прежним, а напряжение, снимаемое с емкости Скэ, будет равно нулю. В первый момент после подачи входного импульса все приращение коллекторного тока ответвляется в емкость Скэ, заряжая ее. Через сопротивление нагрузки течет лишь незначительная часть тока коллектора. Ток заряда конденсатора Скэ и токи, протекающие через резистор Д и нагрузку RH, изменяются по экспоненциальному закону. Так как С5 Скэ, то можно считать, что за время почти полного заряда конденсатора Скэ разность потенциалов на обкладках конденсатора С практически не изменяется и последний не оказывает влияния на характер изменения выходного сигнала. [1]
 |
Схема транзисторного ключа ( а и ВАХ ( б. [2] |
Как известно, напряжение на емкости не может возрасти скачком, что приводит к затягиванию фронта и спада импульсов. Поэтому для получения высокого быстродействия диодных ключей необходимо применять специальные диоды, которые имеют малые времена включения и выключения, малые паразитные емкости, а также позаботиться об уменьшении паразитных емкостей схемы. [3]
Необходимо, однако, иметь в виду, что использование внешнего сопротивления приводит к затягиванию фронтов импульса. В этом случае длительность фронта увеличивается не более чем на 20 - 30 %, что в большинстве практических случаев бывает несущественно, когда речь идет о получении импульсов сравнительно большой длительности. [4]
Следует учитывать, что емкость, подключенная к коллектору транзистора, добавляется к выходной емкости, что приводит к затягиванию фронта импульса. [5]
Этап модуляции проводимости широкой базовой области особенно важен для тиристоров, работающих в диапазоне токов порядка сотен ампер, и проявляется в затягивании фронта при включении. При включении на большие токи начинают играть существенную роль неодномерные эффекты и анализ переходного процесса сильно усложняется. [6]
 |
Эквивалентная схема блокинг-генератора на стадии формирования фронта импульса. [7] |
При получении импульсов длительностью ( 0 3 - 0 5) мксек с использованием дрейфовых триодов величина емкости Ci может составлять 100 - 200 пф, что неизбежно приводит к затягиванию фронтов. С этим приходится мириться, поскольку иного решения вопроса, если остаться в рамках данной схемы ( рис. 6.1), по существу, нет. [8]
 |
Схема одновибратора с эмиттерной ( а и перекрестной связью ( б. [9] |
В частности, в схеме, приведенной на рис. 9, б, база триода Т2 может быть непосредственно соединена с коллектором транзистора Т3; однако глубокое насыщение триодов приводит к снижению чувствительности схемы и затягиванию фронтов выходного импульса. [10]
 |
Электрические параметры быстродействующих ОУ. [11] |
На рис. 6.3, а изображены графики АЧХ и ФЧХ усилителя с разомкнутой ОС. Характер изменения выходного напряжения ОУ с KUoc 1 ( неинвертирующий усилитель) при подаче на вход импульсного сигнала ( рис. 6.3 6) показывает значительный выброс и затянутый процесс установления. Но это приводит к затягиванию фронтов импульса. [12]
Принято считать, что компаратор является идеальным переключателем, который при любой переполю-совке сколь угодно малого дифференциального входного напряжения мгновенно изменяет свое выходное состояние. На самом деле при малых входных сигналах компаратор ведет себя как усилитель, и его параметры переключения зависят от характеристик усиления на высоких частотах. В результате небольшая перегрузка по входу ( то есть сигнал, больший, чем это необходимо для насыщения) вызывает значительную задержку распространения и нередко затягивание фронта или спада на выходе. Технические данные на компаратор обычно содержат графу время переключения для различных значений переключающего напряжения на входе. Такие характеристики для компаратора 311 приведены на рис. 9.13. Следует отметить, что при включении выходного транзистора по схеме повторителя характеристики ухудшаются вследствие снижения коэффициента усиления. [13]
Режимы модуляции также сопровождаются нежелательными сопутствующими процессами. Оцениваются эти искажения коэффициентом гармоник огибающей модулированного сигнала. Эти понятия в равной степени применимы к режимам амплитудной и частотной модуляции. В режиме импульсной модуляции эквивалентами этих понятий являются затягивание фронта и среза модулирующего импульса, возникновение неравномерности и перекоса вершины импульса, появление выбросов на вершине и в паузе импульса. [14]
Приведенные формулы являются приближенными и могут давать ошибку порядка десятка процентов и более, а при повышенных температурах они вообще не пригодны. С повышением температуры уменьшается сопротивление перехода эмиттер-база закрытого транзистора, так как через него увеличивается ток неосновных носителей. Это сопротивление шунтирует сопротивление резистора RQ, изменяет постоянную времени перезаряда конденсатора и сокращает длительность импульса, изменяя тем самым частоту колебаний мультивибратора. Для уменьшения шунтирующего воздействия в схему мультивибратора вводят термокомпенсирующие цепи. Самым простым способом термостабилизации является уменьшение сопротивления резистора R &. Чем меньше сопротивление Rs по сравнению с обратным сопротивлением эмиттерного перехода, тем меньше изменение последнего сказывается на частоте колебаний. Однако уменьшение сопротивления Re требует для получения импульса заданной длительности такого же увеличения емкости конденсатора С, что приводит к увеличению постоянной времени заряда конденсатора и, следовательно, к затягиванию фронта отрицательного импульса. Для уменьшения фронта импульса следует уменьшить сопротивление резистора RK, что связано с увеличением тока насыщения / к. Величину R K выбирают таким образом, чтобы выполнялось условие / к. Так как перезаряд конденсаторов происходит через малые сопротивления резисторов R K, форма генерируемых импульсов значительно улучшается. Однако, следует учитывать, что значительное уменьшение сопротивлений R K затрудняет самовозбуждение схемы. [15]
Страницы: 1