Захват - примесь
Cтраница 1
Захват примесей при генезисе катализаторов имеет тенденцию вызвать изменение параметров решетки и активности таким образом, что образуется соответствующая геометрическая структура, например твердый раствор, обладающая такими протяженностью и топографией, какие необходимы для контакта катализатора с реагентами и для активации реагентов. [1]
Захват примесей кристаллом - вредное явление, которое происходит в результате неравновесного концентрационного переохлаждения на фазовой границе. Концентрационное переохлаждение может быть как результатом адсорбции, так и результатом плохого отвода ( диффузии) избытка примеси в исходной фазе ( обычно флюидной - газовой или жидкой) от фазовой границы. Захват растущим кристаллом примеси может происходить и в результате захвата твердых нерастворимых частиц. [2]
Захват примеси кристаллом приблизительно соответствует равновесной диаграмме состояния только при очень медленном его росте. Если же скорость роста не является малой, то при k0 отталкиваемая примесь не успевает равномерно распределиться по объему жидкости. [3]
Захват примеси зависит от скорости роста. [4]
Захват примесей при генезисе катализаторов имеет тенденцию вызвать изменение параметров решетки и активности таким образом, что образуется соответствующая геометрическая структура, например твердый раствор, обладающая такими протяженностью и топографией, какие необходимы для контакта катализатора с реагентами и для активации реагентов. [5]
Поэтому захват примеси с увеличением скорости роста эпитаксиального слоя, как правило, увеличивается. [6]
Особенности захвата примеси кристаллами, растущими моно-слойно, можно выявить, анализируя следующую модель. [7]
Коэффициент захвата примеси торцом ступени К1, входящий в эти формулы, также зависит от условий кристаллизации. Торец ступени обычно шероховат, а если является молекулярно-гладким, то нарастает монослоями. [8]
 |
Схема направленной кристаллизации. [9] |
Кинетика захвата примеси в данном случае может быть разнообразной. [10]
При захвате примеси растущим кристаллом она может войти в узлы кристаллической решетки, образуя твердый раствор замещения, или в междоузлия, образуя твердый раствор внедрения, а также включения, состоящие и: з взвешенных частиц. В кристалле при этом будут возникать напряжения или деформация, являющиеся причиной образования дислокации. Это является причиной изменения и механизма и скорости роста кристаллов, что часто сопровождается изменением формы кристаллов ( но не типа кристаллической решетки), о чем уже говорилось выше. [11]
Например, захват примеси P0i - при кристаллизации сульфатов может быть связа. [12]
Однако степень захвата примеси ( при й1) ограничивается тем, что концентрация ее в расплаве у границы раздела фаз не может превысить одной атомной доли. Так как равновесные расплавы содержат обычно более 0 5 атомной доли примеси, эффективный коэффициент распределения будет всегда меньше удвоенного значения равновесного коэффициента при температуре поверхности раздела фаз. [13]
Многообразие явлений захвата примеси неразделимыми твердыми фазами в значительной мере определяется морфологическими особенностями выделяющихся фаз. Если новая твердая фаза выделяется на поверхности матрицы, то можно ожидать появления частиц этой фазы на отдельных участках поверхности матрицы или формирования пленки, покрывающей всю поверхность [ 30, с. При этом выделяющаяся твердая фаза может быть аморфной или кристаллической. Если частицы новой фазы являются кристаллами, то они могут быть ориентированы относительно матрицы ( и тогда говорят об эпитаксии) и не ориентированы. Морфология новой фазы зависит от соотношения скоростей образования центров выделения новой фазы на поверхности матрицы и их разрастания тангенциально и по нормали к поверхности. При малой скорости образования центров и медленном тангенциальном, но быстром нормальном их росте на поверхности матрицы появляются отдельные удлиненные частицы новой фазы. При малой скорости образования центров, медленном росте по нормали, но быстром тангенциальном росте получается хорошо сформированная пленка. При промежуточных значениях скоростей нормального и тангенциального разрастания центров образуются выросты, которые затем срастаются, формируя пленку арочного типа. Наконец, при большой скорости образования центров и малых скоростях нормального и тангенциального роста формируется рыхлая пленка. [14]
Обсуждается механизм захвата примесей нитратом лития на основани данных по диэлектрической приницаемости и диэлектрическим потерям пол. Сделан вывод, что этим механизмом является обр; зование истинных твердых растворов органической концентрации. [15]
Страницы: 1 2 3 4