Захват - электрон
Cтраница 1
Захват электрона ионом серебра приводит к образованию атома серебра и созданию местного отрицательного заряда в виде избыточного аниона на внешней поверхности или избыточного иона галоида, занимающего излом или неровность вдоль линии дислокации. Захват дырки ионом галоида приводит к образованию атома галоида и оставляет местный положительный заряд, обусловленный избыточным щелочным ионом на внешней поверхности, изломе или неровности. Созданные таким путем объемные заряды нейтрализуются подвижными ионами серебра, но до момента нейтрализации эти заряды могут сыграть роль ловушки для электронов или дырок, ранее захваченных другими ловушками, что может привести к рекомбинации. [1]
 |
Расположение термов при диссоциативной рекомбинации. [2] |
Захват электрона молекулярным ионом происходит за малые времена, характерные для электронных переходов. Согласно же принципу Франка-Кондона ( см. гл. [3]
Захват электронов в полупроводниках и люминофорах играет важную роль в целом ряде процессов. Захваченный электрон может вернуться в свободное состояние за счет энергии падающего света, бомбардирующей частицы или колебаний окружающих атомов; обратно, электрон проводимости может захватиться соответствующим центром, отдавая энергию путем испускания фотона или фопона. Для изучения электронных: свойств твердого тела необходимо построить квантовомсхалическую теорию таких элементарных процессов. [4]
 |
Фазовые траектории на плоскости импульс - фаза для группирователя с переменно фазовой скоростью волны. [5] |
Захват электронов в режим ускорения подробно анализировался в § 2.3 и были получены условия (2.25), выполнение которых необходимо, чтобы получить значение коэффициента захвата, близкое к единице. [6]
Захват электронов на ловушки в двуокиси кремния слабо зависит от напряженности электрического поля и определяется зарядом, инжектированным в диэлектрик. В течение всего процесса инжекции в термических пленках SiO2 наблюдается захват электронов на ловушки. При инжекции в диэлектрик заряда до 10 - 3 Кл / см2 в основном превалирует захват на существующие в оксиде ловушки. При продолжении процесса инжекции больше 10 - 3 Кл / см2 электронный захват начинает определяться вновь образующимися ловушками. [7]
Захват электрона ( или К-захват) является процессом, эквивалентным испусканию положительного электрона, при котором протон превращается в нейтрон. Снижение положительного заряда происходит не путем испускания положительного электрона, а за счет поглощения ядром одного из электронов внешней оболочки. [8]
Захват электрона при излучении обычно является очень мало вероятным процессом [42], и поэтому он здесь не рассматривается. [9]
Захват электронов полем перехода уменьшает их концентрацию в приколлекторной области, содействуя тем самым поддержанию направленной диффузии очередных электронов через базу к коллектору. Таким образом, подача прямого напряжения на эмиттерный переход приводит к возникновению коллекторного тока. При этом сопротивление коллекторного перехода постоянному току резко снижается за счет большой концентрации неосновных носителей, проходящих через него. [10]
Захват электронов может осуществляться и молекулами бензола. [11]
Захват электронов акцепторами и последующая рекомбинация образовавшихся отрицательных ионов с положительными ионами растворителя также могут явиться источником дополнительного образования радикалов из молекул растворенных веществ, что может привести к неаддитивности выходов радиолиза. [12]
Захват электронов с диссоциацией: АВ емедл. [13]
Хотя захват электронов атомами серебра невероятен из-за их малого сродства к электрону, однако атомы серебра могут соединяться с избытком ионов серебра, образуя положительно заряженные пары. Такие пары могут затем захватывать электроны, и повторение этого процесса будет приводить к образованию более крупных частиц серебра. [14]
Когда захват электронов происходит по диссоциативному механизму, для которого характерен рост сечения захвата с энергией электронов, то повышение температуры должно приводить к увеличению чувствительности. [15]
Страницы: 1 2 3 4