Захват - свободный электрон
Cтраница 1
 |
Отщепление электрона от иона 0 - при поглощении света. [1] |
Захват свободного электрона молекулой с последующим распадом образовавшегося неустойчивого отрицательного молекулярного иона на две частицы - атомный О. Кроме этого процесса, происходящего в узком интервале энергии ялектронов ( резонансный захват), при большей энергии электронов возможна диссоциация нек-рых молекул электронным ударом на положительный и отрицательный ионы. На рис. 1 приведена кривая, показывающая зависимость эффективного сечения для образования ионов 0 при взаимодействии электронов с молекулами О. [2]
При захвате свободного электрона решетки сорбированной частицей возникает акцепторная связь, при которой эта частица заряжается отрицательно, а при захвате дырки и отдаче электрона - донорная связь, при которой адсорбированная частица приобретает положительный заряд. [3]
В результате захвата свободных электронов на центры прилипания и их последующего высвобождения - в зону проводимости постоянная времени фотоотклика при прерывистом освещении может намного превысить истинное время жизни фотоносителей. Поэтому отождествить время фотоотклика с временем жизни не всегда представляется возможным. [4]
Это последнее уравнение характеризует захват свободного электрона образованной вакансией. [5]
Энергия, освобождаемая при захвате свободного электрона нейтральной молекулой, определяет ее электронное сродство. Электронное сродство некоторых веществ сильно различается, в частности, у спиртов, эфиров и кетонов. [6]
ФИ), возникающее при захвате свободного электрона на один из дискретных уровней атома или иона ( свободно-связанный переход); тормозное излучение ( ТИ) свободного электрона в поле иона ( свободно-свободный переход); магните-тормозное, или циклотронное, излучение ( ЦИ) электрона при его вращении в магн. [7]
Возможные механизмы электрон-ионной рекомбинации аналогичны механизмам захвата свободных электронов. Действительно, электрон-ионная рекомбинация есть захват электрона положительным ионом, аналогичный захвату электрона нейтральной частицей. [8]
В настоящей книге уделяется мало внимания захвату свободных электронов свободными дырками, поскольку такой процесс лишь в редких случаях яв ляется преобладающим или определяющим время жизни. Тем не менее излучательная рекомбинация свободных носителей, несомненно, представляет интерес в люминесценции, даже если этот процесс и не является преобладающим. Кроме того, вычисляя сечение излучательного захвата свободными носителями, можно надежно оценить сечение других процессов излучательного захвата на локальных центрах. Обычно такой расчет производится на основе принципа детального равновесия. [9]
При связанно-свободных переходах электронов в атомных системах происходят захват свободных электронов ионами ионизированной среды ( процесс фоторекомбинации) и возникающее вследствие этого испускание кванта. Так как свободный электрон может обладать произвольной энергией, то согласно ( 1 - 15) при его переходе в связанное состояние может испускаться любая частота и спектры связанно-свободных переходов являются поэтому непрерывными. Обратный процесс перехода электрона из связанного в свободное состояние происходит при поглощении кванта и носит название фотоионизации. [10]
Время протекания фототока после прекращения освещения определяется не только захватом свободных электронов центрами рекомбинации, но и процессом термического возбуждения прилипших электронов в зону проводимости с последующим захватом их, центрами рекомбинации. Прямой переход электронов с уровней прилипания на уровни рекомбинации невозможен, так как эти уровни принадлежат различным дефектам решетки, расположенным друг от друга на расстояниях, больших чем несколько постоянных решетки. [11]
В каждой серии есть граничная - максимальная - частота, отвечающая захвату свободного электрона соответствующей орбитой. Эти максимальные частоты особенно просто связаны с зарядом ядра Z. [12]
Аналогично, линия раздела для дырок проходит там, где одинаковы вероятности возбуждения в валентную зону и захвата свободного электрона. Дискретные уровни, располагающиеся между этими двумя линиями, определяют скорость рекомбинации. Дискретные уровни, располагающиеся за этими линиями, имеют конечное, но очень малое влияние на скорость рекомбинации. Статистически их вклад в рекомбинацию уменьшается пропорционально e - EihT, где Е - энергетическое расстояние от соответствующего уровня до линии раздела. [13]
 |
Схема энергетических уровней полупроводника / г-типа ( а и р-типа ( б. [14] |
Этому процессу соответствует отщепление пятого валентного электрона от атома примеси. Захвату свободного электрона атомом примеси соответствует на рис. 43.7 переход электрона из зоны проводимости на один из донорных уровней. [15]
Страницы: 1 2 3