Радиационный захват - электрон
Cтраница 1
Радиационный захват электрона ионом аргона представляет собой процесс столкновений двух тел, описываемый реакцией (13.48), идущей влево. Обычно образующиеся при этом нейтральные атомы находятся в возбужденном состоянии. [1]
Оценим вероятность радиационного захвата электронов с энергией 1 эв. [2]
 |
Зависимость величины эффективного сечения ( Q захвата электрона атомом водорода от э нергии электрона. [3] |
Оценим вероятность радиационного захвата электронов с энергией 1 эв. Такой электрон имеет скорость 6 - Ю7 см-сек-1 и будет находиться в поле атома ( размером порядка Ю-8 см) около 10 - 15 сек. [4]
Оценим вероятность радиационного захвата электронов с энергией 1 эк. Такой электрон имеет скорость 6 - Ю7 см-сек-1 и будет находиться в поле атома ( размером порядка 10 - 8 см) около 10 - 15 сек. [5]
Общие соображения, касающиеся радиационного захвата электрона атомом, рассмотренные в предыдущей главе, в общем, справедливы и для радиационного захвата электрона положительным атомным ионом; и в этом случае вероятность его относительно мала по причинам, изложенным выше. Однако для положительные ионов эта вероятность все же значительно больше, чем для нейтральных атомов. Это обусловлено, в частности, тем, что кулоновское притяжение между положительным ионом и электроном увеличивает время пребывания электрона вблизи положительного иона. [6]
Общие закономерности, касающиеся радиационного захвата электрона атомом, рассмотренные в предыдущей главе, в общем, справедливы и для радиационного захвата электрона положительным атомным ионом; и в этом случае вероятность его относительно мала по причинам, изложенным выше. Однако для положительных ионов вероятность захвата значительно больше, чем для нейтральных атомов. Это обусловлено, в частности, тем, что кулоновское притяжение между положительным ионом и электроном увеличивает время пребывания электрона вблизи положительного иона. [7]
Общие сообрз жения, касающиеся радиационного захвата электрона атомом, рассмотренные в предыдущей глазе, в общем -, справедливы и для радиационного захвата электрона положительным атомным ионом; и в этом случае вероятность его относительно мала по причинам, изложенным выше. Однако для положительных ионов эта вероятность все же значительно больше, чем для нейтральных атомов. Это обусловлено, а частности, тем, что кулоновское притяжение между положительным ионом и электроном увеличивает время пребывания электрона вблизи положительного иона. [8]
Прилипание электрона может произойти в результате радиационного захвата электрона нейтральным атомом, сопровождающегося излучением энергии. Благодаря большому числу внутренних степеней свободы молекулы обладают наибольшими возможностями выполнить роль третьего тела. Электрон может прилипнуть к молекуле с затратой избытка энергии на диссоциацию этой молекулы. [9]
Для рекомбинации ионов с излучением применимы соображения, которые были изложены выше при рассмотрении радиационного захвата электрона атомом и ионом. По-видимому, рекомбинация ионов с излучением может происходить не более чем при одном из 105 соударений. Коэффициент рекомбинации для такого процесса имеет величину порядка 10 - 14 см3 - сек. [10]
Для рекомбинации ионов с излучением применимы соображения, которые были изложены выше при рассмотрении радиационного захвата электрона атомом и ионом. По-видимому, рекомбинация ионов с излучением может происходить не более чем при одном из 103 соударений. [11]
Для рекомбинации ионов с излучением применимы соображения, которые были изложены выше при рассмотрении радиационного захвата электрона атомом и ионом. По-видимому, рекомбинация ионов с излучением может происходить не более чем при одном из 105 соударений. Коэффициент рекомбинации для такого процесса имеет величину порядка 1СН4 см3 - сек. [12]
Общие закономерности, касающиеся радиационного захвата электрона атомом, рассмотренные в предыдущей главе, в общем, справедливы и для радиационного захвата электрона положительным атомным ионом; и в этом случае вероятность его относительно мала по причинам, изложенным выше. Однако для положительных ионов вероятность захвата значительно больше, чем для нейтральных атомов. Это обусловлено, в частности, тем, что кулоновское притяжение между положительным ионом и электроном увеличивает время пребывания электрона вблизи положительного иона. [13]
Общие соображения, касающиеся радиационного захвата электрона атомом, рассмотренные в предыдущей главе, в общем, справедливы и для радиационного захвата электрона положительным атомным ионом; и в этом случае вероятность его относительно мала по причинам, изложенным выше. Однако для положительные ионов эта вероятность все же значительно больше, чем для нейтральных атомов. Это обусловлено, в частности, тем, что кулоновское притяжение между положительным ионом и электроном увеличивает время пребывания электрона вблизи положительного иона. [14]
Общие сообрз жения, касающиеся радиационного захвата электрона атомом, рассмотренные в предыдущей глазе, в общем -, справедливы и для радиационного захвата электрона положительным атомным ионом; и в этом случае вероятность его относительно мала по причинам, изложенным выше. Однако для положительных ионов эта вероятность все же значительно больше, чем для нейтральных атомов. Это обусловлено, а частности, тем, что кулоновское притяжение между положительным ионом и электроном увеличивает время пребывания электрона вблизи положительного иона. [15]
Страницы: 1