Электронографический анализ

Cтраница 1

Электронографический анализ - один из методов изучения атомно-кристалли-ческой структуры веществ, в котором используется дифракция потока движущихся электронов, обладающего волновыми свойствами. От рентгеновских лучей волны потока электронов отличаются меньшей длиной. При ускоряющем напряжении 30 - 100 кВ, которое применяют в электронографах, длина волны потока электронов колеблется в пределах 0 07 - 0 04 А, что в 20 - 30 раз меньше длин волн, используемых в рентгенографическом анализе. Кроме того, длина пробега электронного луча в исследуемом веществе по сравнению с рентгеновским меньше и обычно не превышает 100 А, так как электроны сильно взаимодействуют с веществом и быстро поглощаются в кристаллах. [1]

Электронографический анализ осуществляется на электронографах - электронно-оптических вакуумных приборах, которые могут работать и как электронные микроскопы, позволяя получать теневые электронно-оптические изображения, хотя их работа в этом режиме имеет вспомогательное значение. К таким приборам, например, относится электронограф ЭГ-100А. По ходу электронного пучка сверху он имеет следующие основные узлы: электронную пушку ( источник электронов); двойную электромагнитную линзу; кристаллодержатель, позволяющий осуществлять различные перемещения образцов по отношению к пучку электронов; камеры образцов; проекционный тубус; фотокамеру с флюоресцирующим экраном для визуальной работы; низко - и высоковольтные блоки питания; пульт управления. В электронографе имеется устройство для исследования газов и паров различных веществ. Разрешающая способность прибора позволяет получать раздельные дифракционные максимумы при различии в межплоскостном расстоянии на 0 001 А. Наблюдение дифракционной картины производится на флюоресцирующем экране или фотографическим методом. Электроно-графическая картина различна в зависимости от типа снимаемого объекта: точечная электронограмма образуется при съемке монокристаллов на просвет и на отражение; кольца на электронограмме образуются при исследовании поликристаллических веществ; дуги и кольца - от веществ, имеющих текстуру. [2]

Электронографический анализ показал, что после нагрева на поверхности никеля, покрытого пленкой окиси алюминия, образуется слой, состоящий из АЬОз и шпинели NiAlzO Торможение диффузионных процессов в шлифованном никеле при наличии на его поверхности такой окисной пленки связано; по-видимому, со структурными особенностями этой пленки. [3]

Изменение сопротивления пленки окиси индия в процессе ее образования. [4]

Электронографический анализ показал, что структура пленок зависит от температурных условий в процессе их роста н изменяется от аморфно. Пленки, осажденные на стекле н стекловидном кварце при 3.10 С, были аморфными и имели высокое сопротивление ( 10 - 101 - 2 ом-см), осажденные при 380 С состояли уже из смеси аморфной и кристаллической фаз. Повышение температуры стеклянной подложки до 400 С приводит к образованию кристаллических пленок с малым сопротивлением: ( 102 ом-см), а до 41Г) С - несколько десятков ом-см. [5]

Электронографический анализ твердых тел позволяет экспериментально определить распределение плотности электронов. Оказывается, что фактическое число зарядов у атомных ионов в окислах и их соединениях меньше, чем валентность соответствующего атома. Это говорит о существовании не только ионной, но и ковалентной связи между атомами. Последняя обладает способностью к насыщению и может повести к образованию замкнутых атомов группировок. [6]

Электронографическому анализу был подвергнут ряд образцов пленки железа, пассивированных в насыщенном растворе бихромата калия или в конц. Полученные электронограммы оказались идентичными для всех образцов. В табл. 6 приведены результаты измерений и расчетов для такой электронограммы. Измерения диаметров колец производились независимо двумя наблюдателями при помощи точных линеек и луп с пятикратным увеличением, а также при помощи компаратора с 15-кратным увеличением. [7]

Электронографическим анализом было установлено, что в основном осадки состоят из хрома. Вакуумно-газоным анализом обнаружены 0 5 % - Н, 2 1 % - N, 3 5 % - О. Наличие этих примесей связано с разложением электролита. [8]

Электронографическим анализом было установлено, что в основном осадки состоят из хрома. Вакуумно-газоаым анализом обнаружены 0 5 % - Н, 2 1 % - N, 3 5 % - О. Наличие этих примесей связано с разложением электролита. [9]

Применения электронографического анализа для решения различных специальных задач рассмотрены в [320, 321, 392] и в соответствующих главах справочника. [10]

Результаты электронографического анализа пленок, полученных при испарении РЬТе [8, 10, 11], неправильно интерпретированы. [11]

Рентгенографический U электронографический анализ металлов. [12]

Кривые анодной поляризации и кривые спада потенциала и-дия в растворе рН 9 3 а 0 32ма / см 2 в атмосфере азста и перемешивании. [13]

Был проведен электронографический анализ поверхности индиевого электрода, анодно поляризованного до потенциалов топ или иной стадии и выдержанного г, боратно-буферном растворе. Были получены электронограммы без рефлексов. Очевидно, в процессе анодной поляризации возникают анодные пленки, не имеющие кристаллической структуры. [14]

При проведении электронографического анализа следует учитывать, что точность определения межплоскостных расстояний на кольцевых электронограммах не превышает 10 - 3 А, так как регистрируются линии с малыми ( до 2 - 3) углами дифракции. [15]

Страницы: 1 2 3 4