Cтраница 4
Устройство может работать в одном из трех режимов. В эталонном режиме производится проверка эталонного тензо-датчика; в активном режиме - активного тензодатчика, причем режимы могут устанавливаться вручную. Процессор может быть также переведен и в автоматический режим работы, в котором производится проверка как эталонного, так и активного датчиков. С помощью аппаратных средств периодически генерируются синхронизирующие импульсы, используемые микропроцессором для определения начала и конца измерения. Микрокомпьютер вычисляет число тактовых импульсов за установленное число периодов для определения среднего интервала времени, а затем вычисляет и воспроизводит значения натяжения. [46]
Под действием максимального натяжения s0 цепь не оказывает сопротивления перемещению. Даже самые слабые тепловые колебания будут вызывать дальнейшее смещение цепи - и ослабление осевого натяжения на границе. Энергия Wd дефекта, внедренного в кристалл путем смещения атомов какой-либо цепи, легко получается в виде суммы потенциальных энергий составляющих ее атомов и энергии упругого деформирования цепи. Энергия дислокации дефекта, вызванного смещением цепи, представлена на рис. 5.8 в зависимости от смещения иа и натяжения sa на границе кристалла. Энергия полностью оформленного дефекта ( смещение цепи на расстояние d) в ПЭ равна 137 5 кДж / моль. Для значений натяжения, меньших s0, смещения иа меньше d / 2, энергия дефекта меньше Wd ( so), и положение дефекта в кристалле стабильное. Для значений смещения, больших d / 2, система становится нестабильной, поскольку натяжение цепи убывает с ростом смещения иа. [47]