Cтраница 3
Металлопленочные резисторы, как и углеродистые, являются резисторами поверхностного типа. Проводящий слой их представляет собой тонкие пленки металлов или сплавов, осажденные на поверхность изоляционного основания. Металлопленочные резисторы обладают низким уровнем собственных шумов и хорошими частотными характеристиками. [31]
Наиболее распространенные постоянные металлопленочные резисторы - резисторы типа МЛТ - имеют, резистивный слой из металлосилициевых сплавов, состоящих из нескольких компонентов. Эти резисторы имеют примерно в 2 - 3 раза меньшие размеры, чем углеродистые резисторы типа ВС ( в обычном исполнении), имеющие такую же номинальную мощность, обладают большей тепло - и влагостойкостью, более стабильны. Недостатком металлопленочных резисторов типа МЛТ является меньшая надежность резисторов повышенной мощности, особенно при импульсной нагрузке, в результате перегрева в местах микронеод-нородностей. [32]
Технологический процесс получения металлических проводящих пленок более гибок, чем процесс осаждения углерода методом пиролиза. Применяя различные металлы и сплавы и регулируя толщину токопроводящей пленки, можно получать резисторы с широким диапазоном номинальных сопротивлений. Для оснований металлопленочных резисторов можно использовать такие электроизоляционные материалы, как керамику, стекло, ситаллы, так как при осаждении пленки их практически не подвергают нагреву. [33]
Объемные резисторы покрываются фенольной смолой и иногда заключаются в керамическую трубку. Выводы закрепляются связующим составом. Основанием пленочных композиционных резисторов служит внешняя поверхность стеклянной трубки, которая после спекания резистивного слоя запрессовывается вместе с выводами в фенольную смолу. Пленочно-углеродистые и металлопленочные резисторы изготовляются обычло нанесением тонкой пленки резистивного материала на изоляционное основание. Толщина пленки тщательно контролируется, затем наносится защитное покрытие. [34]
Все ИП перемещения на полупроводниковых тензорезисторах имеют узел температурной компенсации чувствительности. Он необходим по той причине, что при большом температурном коэффициенте полупроводниковых тензорезисторов чувствительность может изменяться на величины вплоть до - 0 2 % / град ( фиг. Приближенная компенсация достигается за счет введения в диагональ питания моста ( см. фиг. Rh и металлопленочного резистора Rp ( подробнее вопрос температурной компенсации рассматривается в разд. [35]
Стабилизированные источники питания, которые мы описали, до сих пор остаются одними из лучших-они имеют обычно пульсацию и уровень помех ниже милливольта и температурный дрейф около 100 - 10 - 6 / С. Это более чем достаточно для питания почти всего, что может когда-либо понадобиться. Однако возможно вам потребуются еще лучшие технические характеристики и вы не сможете обеспечить их с помощью выпускаемых ИС стабилизаторов. Такая стабильность ( 1 10 - 6 / С) намного лучше, чем ТКС обычных металлопленочных резисторов ( 50 - 10 6 / С); поэтому вы должны больше уделять внимания выбору операционных усилителей и пассивных компонентов, ошибки и дрейфы которых не ухудшают общих технических данных. На рис. 6.56 показана полная схема необычного стабилизированного источника питания с низким уровнем помех и малым дрейфом. Более того, это достигается без применения термостатического управления, которое позволяет удерживать приповерхностный зене-ровский шум на низком уровне. За источником опорного напряжения следует фильтр нижних частот для дальнейшего снижения уровня шумов. [36]
В описываемой схеме ( рис. 7.1) резисторы R3 - Rg с допуском 0 01 %, примененные в цепи, устанавливающей коэффициент усиления, задают его очень точно. Как мы увидим далее, значение Ri выбирается путем компромисса, так как малые его значения уменьшают погрешность от тока сдвига U2, но увеличивают нагрев и тепловой дрейф U i. Этот прием обсуждался в разд. Заметьте, что резисторы с допуском 1 % применены также в цепи аттенюатора начального отклонения ( R1 - 14); точность здесь несущественна, а металлопленочные резисторы взяты только из-за их хорошей стабильности. [37]
Технологический процесс получения металлических проводящих пленок более гибок, чем процесс осаждения углерода методом пиролиза. Применяя различные металлы и сплавы и регулируя толщину токопроводящей пленки, можно получать резисторы с широким диапазоном номинальных сопротивлений. Для оснований металлопленочных резисторов можно использовать такие электроизоляционные материалы, как керамику, стекло, ситаллы, так как при осаждении пленки их практически не подвергают нагреву. Проводящие пленки различных металлов и сплавов, осажденные на изоляционные основания, обладают хорошей адгезией и обеспечивают работоспособность металлопленочных резисторов при более высоких температурах, чем углеродистые. [38]
Использование РЭА в условиях проникающей радиации требует использования как специальных материалов, так и защитных экранов, которые должны быть различны в зависимости от радиации. Различают воздействие корпускулярной радиации нейтронами, протонами, а - и р-частицами и электромагнитной радиации в виде рентгеновского и у-излучення. Наиболее сложна защита от у-лучей и нейтронов. Результаты воздействий радиации могут быть обратимыми п необратимыми и зависят от свойств материала. Наименее чувствительны к воздействию радиации неорганические диэлектрики. Из деталей наиболее стойки проволочные и металлопленочные резисторы, а наименее - объемные сажеграфито-вые. Наиболее стойкими конденсаторами являются керамические, наименее - электролитические. Провода, кабели, катушки индуктивности, трансформаторы, дроссели и кварцевые резонаторы более устойчивы, чем резисторы и конденсаторы. [39]