Cтраница 2
Фундаментальное подтверждение гипотезы о существовании изотопов обязано появлению способа пространственного разделения моноэнергетических заряженных частиц в магнитном поле по отношению их массы к заряду. С 1919 по 1923 г. Астоном [3] было неопровержимо доказано существование изотопов у неона, лития, гелия, водорода, азота, криптона и других элементов. Позднее масс-спектрографическим методом были определены значения дефектов массы для дублетов на легких элементах. [16]
Хе - на точных масс-спектрографических работах; от Се до Th - на масс-спектрографических исследованиях гораздо меньшей точности; они имеют ошибку порядка 1 5 Мае. От РЬ до конца таблицы относительные значения получены из измерений радиоактивного распада; они имеют ошибку около Ь0 2 Мэв между соседними атомами, принадлежащими к данному радиоактивному ряду, и больше между членами различных рядов. Абсолютные значения для элементов после РЬ основаны на значении дефекта массы РЬ208 ( Гоудсмит [33]) и имеют точность в лучшем случае 5 Мэв. [17]
В книге рассматривается взаимосвязь между размерами атомов, молекул и ионов, распределением электронной плотности, электронными свойствами атомов и структурой образованных ими кристаллов. Специальные главы посвящены структуре и реакционной способности твердых веществ металлического, ионного и молекулярного типа. Кратко описаны методы исследования структуры кристаллов и оценки энергии кристаллической решетки. Особое внимание уделено значению дефектов кристаллической решетки для химической реакционной способности твердых веществ в объеме и на поверхности. [18]
Значение химических примесей и дефектов структуры твердых тел в качестве активных центров при их реакциях не вызывает сомнений. Изучение относительной роли различных дефектов в различных группах процессов и при различных частных случаях наталкивается на экспериментальные трудности и пока только начинается. Сходное положение существует и в вопросе о значении дефектов для электронных физических свойств твердых тел. В этом вопросе интересы химии и физики твердого тела тесно переплетаются и возникает еще один пограничный участок между физикой и химией, наличие которого сулит большие возможности в управлении физическими и химическими процессами в полупроводниках. Однако следует помнить, что в твердом теле действие дефекта своеобразно сочетается с кооперативными эффектами, обусловленными периодичностью строения твердых тел, и с макроскопическими эффектами заряжения. [19]
Последующая десорбция углеродно-кислородного комплекса может происходить таким же образом, как и в других окислительных реакциях углерода с образованием СО, а возможно, и СО2, и новых дефектных мест, на которых могут протекать последующие стадии. Однако участие Н2О в этом процессе также, вероятно, имеет место. При реакции Н2О с углеродом [488, 489] могут играть некоторую роль катализаторы, которые действуют либо на поверхности, либо при окислении СО в газовой среде. Как и для других реакций углерода с газами, значение дефектов в твердом теле изучено недостаточно, чтобы можно было сделать исчерпывающий вывод из результатов опыта. [20]
Автор анализирует эмпирические решения, позволяющие значительно снизить количество случаев хрупкого разрушения судов. Однако полного понимания в некоторых вопросах еще не достигнуто. Наиболее важной проблемой, требующей настоятельного решения, является установление критериев оценки подверженности конструкции хрупкому разрушению в процессе эксплуатации. Для этого необходимо определить зависимости между характеристиками поведения конструкции при лабораторных испытаниях и эксплуатации. Кроме того, следует исследовать значение дефектов и некоторых технологических процессов, например снятия остаточных напряжений и гидравлических испытаний. [21]