Рекомбинация - дырка
Cтраница 4
То, что Р меньше единицы, обусловлено двумя причинами: ответвлением части дырок, которые формируют ток коллектора, к базовому выводу и рекомбинацией дырок в области базы. [46]
 |
Зависимости коэффициентов передачи тока в латеральном р - л-р-транзнсторе от параметров структуры ( а и режима ( б. [47] |
Из рис. 5.9 а видно, что с увеличением глубины залегания скрытого слоя коэффициент переноса неосновных носителей рр вначале возрастает, что объясняется уменьшением вклада процесса рекомбинации дырок, выталкиваемых на поверхность встроенным полем, а затем падает, так как при удалении скрытого слоя путь неосновных носителей в базе увеличивается. [48]
Выражение ( 3 - 7) показывает, что по мере удаления от границы перехода дырочная составляющая тока умень шается и на большом расстоянии равна нулю из-за рекомбинации дырок с электронами. На достаточном удалении от перехода все дырки рекомбинируют и ток переносится только свободными электронами. [49]
Излучательные переходы могут происходить, например, в результате рекомбинации электронов, захваченных на примесный уровень вблизи дна зоны проводимости с дырками в валентной зоне, или в результате рекомбинации дырок, находящихся на локальных уровнях вблизи потолка валентной зоны с электронами из зоны проводимости. [50]
Несмотря на то что в интервале времен от t до ts ( см. рис. 8.21) через тиристор протекает значительный обратный ток, избыточный заряд в базе п убывает со временем преимущественно благодаря рекомбинации дырок с электронами. [51]
 |
Схема блокинг-генератора. [52] |
Блокинг-генераторы нап / п триодах ( рис. 2.10) по принципу действия и схеме почти не отличаются от описанного выше ( лампового), за исключением того, что на отдельных этапах формирования импульсов имеются существенные особенности, связанные с инерционностью процесса рассасывания неосновных носителей ( рекомбинации дырок и электронов) в области коллекторного перехода. [53]
 |
Токи в планарном транзисторе при нормальном активном режиме работы. [54] |
Часть носителей, инжектированных в базу, рекомбинирует с основными носителями данной области - дырками. Исчезающие вследствие рекомбинации дырки компенсируются рекомбинационной составляющей тока базы / бэ. [55]
С увеличением концентрации дырок почти все двухзарядные ионы золота превращаются в однозарядные. После этого скорость рекомбинации дырок определяется сечением захвата электронов однозарядными отрицательными ионами золота, так как этот процесс подготавливает примесь к захвату следующей дырки. Поскольку сечение захвата электрона на Аи - много меньше сечения захвата дырки на Аи2 -, то время жизни дырок увеличивается с ростом их концентрации в базе диода. [56]
 |
Зависимость интегрального коэффициента передачи тока эмиттера от тока эмиттера. [57] |
Однако при очень больших токах эмиттера ( например, для / Э4, см. кривую 4 на рис. 3 - 5, б) в базе накапливается очень большой заряд дырок, который увеличивает в базе на столько же отрицательный избыточный заряд электронов проводимости. Поэтому возрастает вероятность рекомбинации дырок с электронами. Это вызывает дополнительную потерю тока эмиттера и соответственно приводит к некоторому уменьшению коэффициента А. [58]
 |
Зависимость интегрального коэффициента передачи тока эмиттера от тока эмиттера. [59] |
Однако при очень больших токах эмиттера ( например, для / Э4, см. кривую 4 на рис. 3 - 5, в) в базе накапливается очень большой заряд дырок, который увеличивает в базе на столько же отрицательный избыточный заряд электронов проводимости. Поэтому возрастает вероятность рекомбинации дырок с электронами. Это вызывает дополнительную потерю тока эмиттера и соответственно приводит к некоторому уменьшению коэффициента А. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5