Рекомбинация - ленгмюра-хиншельвудо
Cтраница 2
В [29] предполагалось, что для металлов гетерогенная рекомбинация N при малых температурах осуществляется с помощью механизма рекомбинации Или-Райдила в силу слабой подвижности адсорбированных атомов и высокой степени заполнения поверхности, а при высоких температурах с помощью механизма рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда из-за высокой подвижности атомов и низкой степени заполнения поверхности. Считается, что в процессе рекомбинации Или-Райдила формируются возбужденные молекулы, которые быстро десорбируются, и поэтому они имеют очень мало времени для обмена энергией с поверхностью. Таким образом, ожидаемое поведение для ( 3 - это небольшие величины при малых температурах и возрастание с температурой до максимума, близкого к единице, который достигается при температурах, допустимых для данной поверхности. Для поверхности W, которая исследовалась в [29], действительно наблюдается такое поведение. [16]
Эти авторы в противоположность тому, что предполагалось в работе [29] для металлов, считают, что около поверхности SiCb при больших температурах подвижность атомов эффективно подавляется из-за легкого возбуждения мод посредством колебательно-вращательного обмена энергией. Это приводит к низкой вероятности для рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда при росте температуры. Они нашли, что вероятность рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда при Tw - 1000 К уменьшается наполовину по сравнению с вероятностью рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда при Tw 600 К. Возможно, что происходит переход от механизма Или-Райдила к механизму Ленгмюра-Хиншельвуда при уменьшении температуры. Это заключение сделано в предположении одинаковой степени заполнения поверхности при обеих температурах и раздельном действии каждого из механизмов. Оно является слишком сильным. В действительности преобладание того или иного механизма сильно связано со степенью заполнения поверхности, которая зависит от температуры. Более того, эти механизмы сами влияют на степень заполнения поверхности. Предположение о том, что степень заполнения поверхности не зависит от температуры обозначает пренебрежение этим взаимодействием. [17]
 |
Вероятность рекомбинации 7оо ( модель 6.| Вероятность рекомбинации 7NN ( модель 6. [18] |
Важно отметить, что в смеси ( С2, О) реакция рекомбинации имеет первый порядок. При этом не наблюдается отчетливого перехода от рекомбинации Или-Райдила к рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда. В бинарной смеси ( N2, N) наблюдается активация рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда. Она начинается при достаточно малых температурах поверхности и заканчивается примерно при 1000 К. [19]
 |
Вероятность рекомбинации 7оо ( модель 6.| Вероятность рекомбинации 7NN ( модель 6. [20] |
Важно отметить, что в смеси ( СЬ, О) реакция рекомбинации имеет первый порядок. При этом не наблюдается отчетливого перехода от рекомбинации Или-Райдила к рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда. В бинарной смеси ( N2 N) наблюдается активация рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда. Она начинается при достаточно малых температурах поверхности и заканчивается примерно при 1000 К. [21]
Эти авторы в противоположность тому, что предполагалось в работе [29] для металлов, считают, что около поверхности SiCb при больших температурах подвижность атомов эффективно подавляется из-за легкого возбуждения мод посредством колебательно-вращательного обмена энергией. Это приводит к низкой вероятности для рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда при росте температуры. Они нашли, что вероятность рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда при Tw - 1000 К уменьшается наполовину по сравнению с вероятностью рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда при Tw 600 К. Возможно, что происходит переход от механизма Или-Райдила к механизму Ленгмюра-Хиншельвуда при уменьшении температуры. Это заключение сделано в предположении одинаковой степени заполнения поверхности при обеих температурах и раздельном действии каждого из механизмов. Оно является слишком сильным. В действительности преобладание того или иного механизма сильно связано со степенью заполнения поверхности, которая зависит от температуры. Более того, эти механизмы сами влияют на степень заполнения поверхности. Предположение о том, что степень заполнения поверхности не зависит от температуры обозначает пренебрежение этим взаимодействием. [22]
Важно отметить, что в смеси ( СЬ, О) реакция рекомбинации имеет первый порядок. При этом не наблюдается отчетливого перехода от рекомбинации Или-Райдила к рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда. В бинарной смеси ( N2 N) наблюдается активация рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда. Она начинается при достаточно малых температурах поверхности и заканчивается примерно при 1000 К. [23]
Важно отметить, что в смеси ( С2, О) реакция рекомбинации имеет первый порядок. При этом не наблюдается отчетливого перехода от рекомбинации Или-Райдила к рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда. В бинарной смеси ( N2, N) наблюдается активация рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда. Она начинается при достаточно малых температурах поверхности и заканчивается примерно при 1000 К. [24]
Для диссоциированного воздуха в [82] представлена модель описания каталитических свойств поверхности силиконизированных теплозащитных покрытий, в которой особое внимание уделяется формированию молекул NO. Величины Са и А, характеризующие структуру поверхности для теплозащитных покрытий, основанных на SiO2, были выбраны примерно такимрг же, как и в предыдущих моделях. Ряд основных характеристик поверхности, необходимых для определения ее каталитической эффективности, был получен с помощью сравнения рассчитанных результатов с имеющимися экспериментальными данными для бинарных смесей газов О2 - О и N2 - N. Также как в [65-73] параметры модели катализа, характеризующие свойства поверхности относительно рекомбинации Или-Райдила, определялись на основе сравнения с лабораторными экспериментальными данными при невысоких температурах поверхности. Параметры модели, характеризующие рекомбинацию Ленгмюра-Хиншельвуда, получены на основе сравнения рассчитанных значений коэффициентов рекомбинации с экспериментальными данными при высоких температурах поверхности, где предполагалось преобладание этого механизма рекомбинации. [25]
Страницы: 1 2