Cтраница 1
Парная рекомбинация должна производить возбужденный гексильный радикал, который разлагается либо в алкильный радикал и олефин, либо в гексен и атом водорода, обладающий кинетической энергией. Акцепторы заряда изменяют энергию, выделяющуюся в процессе соединения. Реакция (5.226) конкурирует с процессом парной рекомбинации носителей отрицательного и положительного зарядов, дающим, вероятно, возбужденные молекулы гексана. [1]
Парную рекомбинацию ( стадия 2) можно отличить от непарной рекомбинации ( стадия 3), поскольку вероятность события на второй стадии не зависит от концентрации редоксного агента, в то время как на третьей стадии обнаруживается зависимость от концентрации восстановителя. Показано [416, 282], что при полях 104 В-см 1 парная рекомбинация несущественна, если редоксный ион не адсорбирован на поверхности кристалла. [3]
Ароматические молекулы в шпорах могут конкурировать с парной рекомбинацией электрона с ионом. Если бы такие анионы затем выступали в роли предшественников образования бензил арилов, то в результате этого существовала бы симметричная зависимость от концентрации. [4]
Высокоэнергетическая полоса имеет линейную структуру и, по мнению авторов, обусловлена парной рекомбинацией. [5]
В кристаллах типа антрацена с подвижностью носителей порядка 1 см2 В 1 с 1 парная рекомбинация происходит быстро ( 10 - с), начальное ионизованное состояние синглетно, и поэтому при начальной рекомбинации в экситонные состояния преимущественно образуются синглет-ные, а не статистически более вероятные триплетные экситоны. Однако это не всегда наблюдается в органических твердых телах и не обязательно для парной рекомбинации носителей в органических жидкостях. Критическим фактором, определяющим отношение концентраций триплетных и синглетных состояний, является отношение времен рекомбинации и дефа-зировки спинов рекомбинирующих ионов. Дефазировка может происходить в результате взаимодействия триплетных состояний с фононами решетки; в твердых телах типа антрацена по оценкам на это требуется около 10 - 8 с. В твердых телах типа антрацена начальная рекомбинация дырок и электронов, находящихся в основном состоянии, заканчивается за несколько пикосекунд, следовательно, в этом случае должна преобладать рекомбинация в синглетное состояние. Однако при возбуждении рентгеновским излучением было обнаружено [47], что отношение концентраций синглетных и триплетных экситонов близко к единице, что приписывается авторами действию эффективной спин-решеточной релаксации в высоковозбужденных состояниях. [6]
Моделирование физических процессов на ЭВМ с помощью метода Монте-Карло сыграло также значительную роль в прояснении особенностей нестационарной парной рекомбинации. Этот подход имеет в данном случае особую важность в связи с трудностью проведения экспериментов в пикосе-кундном масштабе времени. [7]
Вообще, в процессе слияния теряется только один синглетный экситон, так как при распаде состояния S образуется один синглет St и процесс ионизации (1.7.5.03) менее эффективен, чем процесс (1.7.5.02), в котором происходит потеря энергии электронного возбуждения; кроме того, вслед за ионизацией происходит парная рекомбинация носителей, приводящая к образованию синглетных состояний. [8]
Предположение о том, что поляронное состояние образуется за время порядка 10 - 14 с, приводит к еще одному важному соображению. Если длина свободного пробега так велика, то парная рекомбинация не должна наблюдаться, однако она наблюдается. Высокие значения подвижностей, полученные в работе [251], также вызывают удивление. Разгадка парадокса дана Мовагхаром и др. [172], показавшими, что стандартная теория линейного отклика неприменима к переносу в этих одномерных системах. [9]
Парную рекомбинацию ( стадия 2) можно отличить от непарной рекомбинации ( стадия 3), поскольку вероятность события на второй стадии не зависит от концентрации редоксного агента, в то время как на третьей стадии обнаруживается зависимость от концентрации восстановителя. Показано [416, 282], что при полях 104 В-см 1 парная рекомбинация несущественна, если редоксный ион не адсорбирован на поверхности кристалла. [11]
Так, второй период полураспада составляет 28 пс, а третий - 125 пс. Исследование, выполненное на жидкостях, показывает, что обычно парная рекомбинация бывает быстрой. Однако существуют условия, при которых последний прыжок будет медленным. Для выяснения последствий такой ситуации Рис и др. [206] ввели фактор ожидания fw для последнего прыжка таким образом, что обратная вероятность последнего прыжка за единицу времени определяется выражением frec fwr0, в котором т0 - время прыжка для изоэнергетических или экзоэнергетических прыжков. Когда / w 1000, число выживающих пар является экспоненциально затухающей функцией времени, что указывает на несправедливость представлений о диффузионном движении, ведущем к последнему прыжку. [13]
Существует несколько возможностей для оценки суммарной величины G разделенных ионов. По оценке Янса и Якоби [62] 5 % ионных пар избегает парной рекомбинации. Используя акцепторы зарядов и подходящую кинетическую схему, находят предельную величину, соответствующую общему выходу ионов, способных взаимодействовать с акцепторами. [14]
На рис. 2.5.26 вызывает интерес зависимость сенсибилизированного фототока от поля в случае фенантрена. Вольт-амперная характеристика при этом не зависит от интенсивности света и не определяется начальной парной рекомбинацией; наоборот, она обусловлена рекомбинацией инжектированной дырки с нейтральной молекулой родамина В в основном состоянии. Кроме того, этот процесс не переходный, а в состоянии поддерживать себя, по-видимому, вследствие способности гидроксидных ионов регенерировать нейтральный краситель из положительно заряженной молекулы. [15]