Непосредственная рекомбинация - электрон
Cтраница 1
Непосредственная рекомбинация электронов и дырок с обратным переходом в валентную зону мало вероятна, она осуществляется на различных дефектах кристаллической решетки, в центрах прилипания и сопровождается люминесценцией только при очень низких температурах. Хорошо очищенный AgBr при УФ-воз-буждении обнаруживает зеленое свечение с Я макс 500 нм только ниже 50 К - Система из смешанных кристаллов AgBr ( I) показывает зеленую люминесценцию уже при 150 К в интервале 530 - 560 нм [6] в зависимости от содержания иода. [1]
Рассмотрим непосредственную рекомбинацию электронов е-зоны и дырок г - зоны, когда каждый акт сопровождается излучением фотона, уносящего освобождающуюся энергию. [2]
Если излучение полупроводника возникает в результате непосредственной рекомбинации электрона с дыркой или рекомбинации через локальный центр, то излучение называют рекомбинационным. Вещества, обнаруживающие ре-комбинационную люминесценцию, называют кристаплофорами или просто фосфорами. Практически все типичные фосфоры являются полупроводниками. [3]
 |
Однокоординатная модель центра свечения. [4] |
Если излучение полупроводника возникает в результате непосредственной рекомбинации электрона с дыркой или рекомбинации через локальный центр, то излучение называют рекомбинационным. Вещества, обнаруживающие рекомбинационную люминесценцию, называют кристаллофорами или просто фосфорами. Практически все типичные фосфоры являются полупроводниками. [5]
 |
Кривые температурного высвечивания NaCl Ni-фосфора. [6] |
Процесс кратковременного свечения, связанный с непосредственной рекомбинацией электронов из полосы проводимости, также не идет по простой бимолекулярной схеме, так как он осложнен выходом из игры электронов, проваливающихся в потенциальные ямы глубоких уровней локализации. [7]
 |
Возможные пути генерации и рекомбинации носителей. [8] |
Прямые переходы из зоны в зону - непосредственная рекомбинация электрона и дырки. [9]
Из четырех указанных выше причин кратковременного свечения у щелочноземельных фосфоров главной, по крайней мере при интенсивном возбуждении, по-видимому, следует считать непосредственную рекомбинацию электронов без локализаций. Три другие причины кратковременного свечения не могут объяснить свойства свечения и потому не являются основными. Представление о высвечивающем действии возбуждающих лучей как об основной причине сильного свечения при возбуждении для рассматриваемого класса фосфоров едва ли применимо. На рис. 273 по оси абсцисс отложены световые суммы вспышки CaS SrS-Ce Sm La-фосфора, а по осям ординат для кривой 1 - соответствующие интенсивности вспышек, возникающих под действием инфракрасных лучей. Однако опыт дает иной ход нарастания яркости свечения при возбуждении, изображенный на рис. 273 кривой 2, что указывает на иную причину кратковременного свечения. [10]
Теория рекомбинации электронов и дырок в полупроводниках, развитая Шокли, Ридом и Холлом, объясняет, почему значения времени жизни, наблюдаемые в германии и кремнии, на несколько порядков меньше, чем следовало бы ожидать при непосредственной рекомбинации электронов и дырок. Принятая модель показана на фиг. Предполагается, что рекомбинация происходит при участии различного рода нарушений в кристалле. [11]
Большое значение приобретают условия рекомбинации свободных зарядов как в толще полупроводника, так и на его поверхности. Непосредственная рекомбинация электрона с дыркой мало вероятна. При этом освобождается сразу энергия, равная ширине запретной зоны, тогда как кристаллическая решетка может воспринимать тепловую энергию только в виде фононов с энергией hv, где v - - частота одного нз собственных колебаний решетки - величина, не превосходящая 1013 сек. Следовательно, энергия фонона не превосходит 6.6 10-ет 1013 6.6 10 - 14 эрг или 0.04 эл. [12]
 |
Вольтамперная характеристика электрической дуги. [13] |
В дуговом столбе наблюдается преимущественно рекомбинация положительных и отрицательных ионов. Непосредственная рекомбинация электронов с положительными ионами маловероятна, так как скорость движения электронов примерно в 1 000 раз больше скорости движения ионов. Предполагается, что электрон, как более подвижная частица, сначала заряжает нейтральную частицу ( как бы прилипает к ней при соударении), в результате чего образуется отрицательный ион. [14]
Такая двухступенчатая рекомбинация оказывается часто гораздо более вероятной, чем непосредственная рекомбинация электрона и дырки, рассмотренная выше. [15]
Страницы: 1 2