Прямая рекомбинация

Cтраница 1

Прямая рекомбинация двух гидроксилов на третьем теле есть реакция квадратичного обрыва по радикалу ОН и играет важную роль в некоторых моделях процесса. [1]

Схема переходов электронов и дырок при взаимодействии ловушек захвата и рекомбичационных ловушек с зонами энергии. [2]

Прямая рекомбинация играет основную роль в веществах с малой шириной запрещенной зоны порядка 0 2 - 0 3 эВ и меньше. [3]

Прямая рекомбинация носителей происходит благодаря одноступенчатому переходу электрона из зоны проводимости в валентную зону. Причем избыточная энергия, выделяющаяся при рекомбинации и равная ширине запрещенной зоны полупроводника АЕ, затрачивается либо на образование лавины фоно-нов, либо на испускание фотона; в соответствии с этим рекомбинация называется безызлучательной или излучательной. Энергия рекомбинирующей пары носителей может быть также передана третьему носителю заряда в результате процесса соударения, или ударной рекомбинации. [4]

Прямая рекомбинация электрона и дырки ( рис. 7.11, б) менее вероятна по сравнению с рекомбинацией через примесный уровень, так как требует одновременного выполнения законов сохранения энергии и импульса рекомбинирующих частиц. Она проявляется лишь в очень чистых полупроводниках. [5]

Прямая рекомбинация молекулярного водорода с атомом кислорода на третьем теле с образованием Н20 - это очень тяжелый процесс, причем основные затруднения имеют скорее пространственный ( стерический фактор порядка Ю-3 ч - Ю-4), чем энергетический характер. Данные по экспериментальному и теоретическому определению значений kze полностью отсутствуют, что в значительной степени объясняется почти единодушным мнением в том, что реакция 26 не играет важной роли в механизме окисления. Из численного моделирования следует, что нигде термодинамическая доля q2S не выше предельных значений 0 01 - 0 02, что подтверждает справедливость предположения о ее не значительности. [6]

Прямая рекомбинация носителей заряда через состояния на границе раздела является важным механизмом их переноса во многих видах гетеропереходов, однако степень его преобладания над другими механизмами меняется от модели к модели. Однако, поскольку в этой модели предполагается, что ток обусловлен термозмиссиеи носителей заряда, преодолевающих потенциальный барьер, она не может объяснить отсутствие температурной зависимости кривой lg / ( K) свойственное многим гетеропереходам. [7]

Пусть происходит прямая рекомбинация электронов и дырок. Тогда скорости рекомбинации для электронов и дырок равны Rn - - - Rp - R и пропорциональны отклонению от равновесного значения произведения неравновесных концентраций электронов и дырок: R b ( np - n0ptt) - dnldt - - dpldt. Выражая пир через избыточные концентрации, получим R - dnldt - dpldt b ( п0Ар р0Ап An Ар), где b - некоторый коэффициент, связанный с вероятностью рекомбинации. [8]

Пусть происходит прямая рекомбинация электронов и дырок. [9]

Энергетическая зонная схема люминофора типа ZnS. [11]

При этом возможность прямой рекомбинации с ионизованными центрами свечения Ц полностью исключена, так как локальные уровни Л и уровни Ц пространственно отделены друг от друга. Для такой рекомбинации требуется предварительное высвобождение элеь. [12]

Следует указать, что прямая рекомбинация радикалов ( квадратичный обрыв) в газофазных процессах по энергетическим соображениям маловероятна. [13]

Положение квазиуров - тя тнпй пячногти потен-ней Ферми для электронов и дырок тактнои разности потен при наличии прямого смещения. циалов полностью нейтрализуется. Очевидно, в этом. [14]

Полупроводник должен обладать свойством прямой рекомбинации. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5