Линейная рекомбинация

Cтраница 2

Из (64.22) видно, что избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается ( увеличивается при бр ( 0) 0) по экспоненте подобно тому, как было в случае линейной рекомбинации. [16]

Из (64.22) видно, что избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается ( увеличивается при 8р ( 0) 0) по экспоненте подобно тому, как это было в случае линейной рекомбинации. [17]

При линейной рекомбинации т не зависит от температуры. При квадратичной же т - 1 / п и, следовательно, зависит от температуры. [18]

Если скорость изменения избыточной концентрации неравновесных носителей заряда пропорциональна их концентрации, то рекомбинация носит название линейной. При линейной рекомбинации переход носителей заряда из свободного состояния в связанное происходит независимо от наличия избыточных носителей заряда другого знака. Это означает, что не происходит прямого соединения электрона и дырки. [19]

Спектральная зависимость квантового выхода в германии ( а и влияние температуры на спектральную зависимость квантового.| S-образное нарастание стационарной концентрации неравновесных носителей заряда. [20]

При у 1 фоторезистивный эффект называется линейным, при 1 - нелинейным, и при у1 - сверхлинейным. Однако и при линейной рекомбинации зависимость асв или Злстац от J имеет более сложный вид. [21]

Так как можно нарушить равновесное состояние и для электронов и для дырок, то уравнения (64.16) и (65.15) имеют место одновременно для электронов и дырок, при этом времена жизни т и tf могут не совпадать. Если скорость изменения избыточной концентрации неравновесных носителей заряда пропорциональна их концентрации, то рекомбинация носит название линейной. При линейной рекомбинации переход носителей заряда из свободного состояния в связанное происходит независимо от наличия избыточных носителей заряда другого знака. Это означает, что не происходит прямого соединения электрона и дырки. [22]

Очевидно, для различных конкретных механизмов генерации и рекомбинации кривые нарастания и спада избыточной концентрации будут иметь различный вид и, исследуя эти кривые, можно определять мгновенное время жизни. Изучая его зависимость от времени, температуры и концентрации носителей заряда, можно найти закон рекомбинации, на основании которого делаются выводы о возможном механизме рекомбинации в данном полупроводнике. Например, линейная рекомбинация может свидетельствовать об участии в рекомбинации рекомбинационных центров и невысоком уровне возбуждения. Квадратичная рекомбинация свойственна прямой межзонной рекомбинации, которая часто бывает излучательной. Ударная ионизация Оже, требующая участия трех свободных носителей заряда, должна следовать кубическому закону, и времена жизни легированных полупроводниках при ударной рекомбинации будут обратно пропорциональны квадрату концентрации основных носителей заряда, тогда как при прямой излучательной рекомбинации они. [23]

Временная зависимость. P ПОСЛ6 ВКЛЮЧ6НИЯ ОСВеЩбНИЯ. [24]

Концентрация зарядов, с которыми происходит рекомбинация неравновесных носителей, постоянна. Этот случай реализуется, например, в полупроводнике с явно выраженной примесной электропроводностью при введении неосновных носителей в небольшом количестве. Этот случай носит название линейной рекомбинации. Уравнения (1.40) решаются очень просто. [27]

Этот случай реализуется, например, в полупроводнике с явно выраженной примесной электропроводностью при введении в него неосновных носителей заряда в небольшом количестве. Тогда появление неравновесных неосновных носителей заряда не вызывает существенного изменения концентрации основных, с которыми происходит рекомбинация. Время жизни при этом оказывается постоянным, а количество носителей заряда, рекомбинировавших в единицу времени в единице объема, пропорционально первой степени избыточной концентрации. Этот случай называют линейной рекомбинацией. Уравнения (1.20) решаются очень просто. [28]

Страницы: 1 2