Низкое значение - параметр
Cтраница 1
 |
Схемы базовых логических элементов на МДП-транзис. [1] |
Низкое значение параметра т и объясняется тем, что при увеличении числа ярусов схемы И требуются МДП-транзисторы с более высокой крутизной характеристик, чем в схемах ИЛИ-НЕ, для сохранения одинакового сопротивления последовательно включенных транзисторов. Кроме того, ярусное включение транзисторов усложняет топологию и уменьшает степень интеграции ИМС а МДП-транзисторах р-типа. Вместе с тем ярусное включение МДП-транзнсторов позволяет создавать логические ИМС, обладающие большей гибкостью, чем ИМС на биполярных транзисторах при построении сложных функциональных узлов. [2]
 |
Многоступенчатые логические ИМС на МДП-транзисторах р-типа. [3] |
Низкое значение параметра ти объясняется тем, что при увеличении числа ярусов схемы И требуются МДП-транзисторы с более высокой крутизной характеристик, чем в схемах ИЛИ - НЕ, для сохранения одинакового сопротивления последовательно включенных транзисторов. Кроме того, ярусное включение транзисторов усложняет топологию и уменьшает степень интеграции ИМС на МДП-транзисторах р-типа. Вместе с тем ярусное включение МДП-транзисторов позволяет создавать логические ИМС, обладающие большей гибкостью, чем ИМС на биполярных транзисторах при построении сложных функциональных узлов. [4]
 |
Схемы пересечения гребней гофря.| Зависимость параметра NTU от потерь давления для пластин с различными углами пересечения гребней гофра. [5] |
При этом получаются высокие, средние и низкие значения параметра NTU. [6]
ММ необходимо применять системы с низкими значениями параметра X, а для получения надежной информации о химической гетерогенности сополимера необходимо работать с системами растворитель - осадитель, для которых J X велик. [7]
Бомбардировка ионами аргона проводится при низких значениях параметров, для того чтобы уменьшить толщину слоя с нарушенной структурой. Для этой цели достаточен разряд в течение нескольких минут при напряжении постоянного тока 250 в и силе тока 100 ца. Так как применяемое давление аргона равно нескольким микронам, то для поддержания разряда нужно использовать небольшую индукционную катушку, расположенную вблизи разрядной трубки ( но не в контакте с ней), либо ионизирующий электронный ток внутри трубки. В процессе бомбардировки аргон внедряется в поверхность образца. Непродолжительный отжиг образца в течение нескольких минут при 500 достаточен для удаления аргона и восстановления решетки кристалла. Чтобы получить поверхности, которые после проверки методом дифракции электронов с низкими энергиями можно было бы считать почти атомно чистыми, необходимо многократно повторять попеременную тепловую обработку и бомбардировку ионами. Фотографии, сделанные с увеличением в 800 раз, указывают на то, что ионная бомбардировка в применяемых условиях уменьшает шереховатость грани ( 100) монокристаллов никеля и германия. Снятая при использовании электронов с низкой энергией электронограмма грани ( 100) кристалла никеля, предварительно подвергнутого ионной бомбардировке и отжигу, показывает, что полученная поверхность протравлена параллельно грани ( 100), и, следовательно, в пределах точности измерений ( около 5 %) можно считать, что никаких других граней не имеется. [8]
Одной из интересных особенностей бренстедовской зависимости для тиолов является низкое значение параметра а. Как указал Огильви, низкое значение параметра а для тиолов, так же как и большая величина отсекаемого на оси отрезка ( - 0 75), может иметь значение при рассмотрении реакций с их участием. [9]
При сравнении экспериментальных и теоретических данных прежде всего обратим внимание на низкие значения параметра В. Было замечено, что в этих условиях значения i, полученные в опытах, оказываются ниже значений, вычисленных по линейной зависимости. Однако некоторые спектроскопические данные показывают, что мономер разрушается далее с образованием соединений меньшего молекулярного веса. Если это действительно так, то расчетная зависимость г) от В будет лучше согласовываться с экспериментальными данными. [10]
Кроме средних значений основных параметров гидравлических машин, в первую очередь напора и коэффициента полезного действия, важным критерием качества является величина их разброса, Во многих случаях нежелательным является как низкое значение параметра, так и чрезмерно высокое, так как возможно создание чрезмерно больших нагрузок в некоторых элементах общей системы. Поэтому целесообразно на этапе проектирования провести анализ задания допусков на основные размеры машины, определяющих поле разброса выходных параметров: КПД, напора, мощности. [11]
Важнейшей задачей машиностроителей следует считать снижение в ближайшем будущем как общего веса машины, так и расхода бронзы. Низкие значения параметров давления [ предельное давление 30 н / см2 ( 3 ата) ] и температуры [ предельная температура 338 К ( 65 С) ] предопределяют возможность применения более тонкостенных корпусов, укрепленных ребрами жесткости, и замены бронзы сталью с защитным покрытием. [12]
Низкое значение параметра ар-фазы указывает на ее пересыщение хромом, молибденом и железом подобно тому, как это происходит после старения при температурах 450 - 550 С сплава, закаленного с температуры 800 С. [13]
 |
График сопоставления относительного значения гидродинамического давления при подъеме и норм запаса противодавления. [14] |
Кривые рис. VI.2 и зависимость (VI.40) свидетельствуют о том, что определение плотности бурового раствора по статическим условиям в скважине согласно установленной методике не решает полностью вопроса о предотвращении притока пластовых флюидов в скважину. При низких значениях параметров, характеризующих реологические свойства раствора, невысоких скоростях движения инструмента и небольшом кольцевом зазоре плотность раствора может быть ниже нормативной. Однако если при бурении наблюдается значительный рост Ар при подъеме инструмента или величина запаса противодавления оказывается меньше величины снижения забойного давления, то тогда необходим раствор с плотностью, значительно больше нормативной. [15]
Страницы: 1 2