Низкое значение - подвижность
Cтраница 1
Низкие значения подвижностей указывают на то, что электроны испытывают большое число соударений с кристаллической решеткой. [1]
Низкие значения подвижностей указывают на то, что электроны испытывают весьма большое число соударений с ионами кристаллической решетки. [2]
Поскольку низкие значения подвижности твердых ЦМД и отклонение направления их движения от градиента воздействующего поля обычно связывается с наличием в доменных границах достаточно большого числа вертикальных БЛ ( см., напр. [3]
 |
Элементы периодической системы, которые можно получить в аморфном или стеклообразном состоянии. [4] |
Указанные требования противоречивы и могут быть удовлетворены одновременно лишь при низких значениях подвижности носителей заряда, что характерно для аморфных полупроводников. [5]
В пленках GaAs, выращенных на подложках от кристалла 3, наблюдаются аномально низкие значения подвижности носителей. Кроме того, в кристалле 3 наблюдаются примесные сегрегационные полосы, расположенные периодически с интервалом - 300 мкм. В этих полосах наблюдаются более мощные сплетения дислокаций. Это дает основание предполагать, что генерация дополнительного числа дислокаций в сегрегационных полосах обусловлена распадом пересыщенного твердого раствора в этих полосах ко время охлаждения монокристаллического слитка GaAs от температуры кристаллизации. [6]
Кроме того, явление самозахвата дырок в этих кристаллах косвенно подтверждается экспериментальными данными о низких значениях подвижностей дырок [237], порядка 10 - 2 см2 В - ] с 1, что на четыре-пять порядков ниже соответствующих подвижностей электронов. Если измеренная подвижность имеет значение порядка 1 см2 В 1 с 1, то, как указывает Глерум [131], трудно решить, исходя лишь из величины подвижности, какой механизм переноса зарядов предпочтительнее: основанный на зонной картине или на модели перескоков. Этот вопрос детально обсуждается в гл. [7]
Информативными могут быть и измерения тем-новой проводимости, но в этом случае энергетика генерации носителей гораздо менее ясна, чем при фотовозбуждении. Если учесть низкие значения подвижностей носителей ( 10 - 7 - 10 - 8 см2В - 1с - 1), может возникнуть вопрос о природе проводимости: не является ли она ионной, взамен или в дополнение к электронной. [8]
Сравнение экспериментальных данных, полученных на моделях неоднородного пласта с различной пористой средой, показало, что для полимиктовых пористых сред характерны более низкая начальная нефтенасыщенность ( на 8 - 10 %) и более высокая пористость ( на 5 - 6 %) при одинаковой проницаемости по воздуху, а также более низкие значения конечного коэффициента вытеснения ( на 7 - 8 %) по сравнению с пористыми средами, представленными кварцевым песком. Для полимиктовых коллекторов также характерны низкие значения подвижности воды, что очевидно связано с набуханием глинистых частиц, входящих в состав пористой среды. [9]
Данные о свойствах полученных таким образом пленок приведены в табл. 4.12. Низкие значения подвижности носителей объясняются увеличением степени компенсации. При избытке мышьяка подвижность носителей еще ниже, а их концентрация повышается. [10]
Эти области называются порогами подвижности, и при 7 0 в интервале энергий, заключенных между Ес и EVJ л ( Е) принимает очень низкие ( но не нулевые) значения. Указанный интервал энергий может быть назван щелью для подвижности, а величина ЕА, входящая в уравнение (6.1), представляет собой энергию, кото - Фая обеспечивает переход носителей заряда через область низких значений подвижности. [12]
Окислы переходных элементов, рассматривавшиеся в предыдущих главах, по характеру своей электропроводности за небольшими исключениями относятся к полупроводникам. Однако в некоторых случаях электропроводность столь мала, что мы вправе рассматривать эти вещества как диэлектрики. Подвижность с той степенью достоверности, с какой она может быть определена из измерений проводимости, почти всегда очень мала и заключена в пределах от Ю 1 до 10 - 5 см2 / В - с. Низкое значение подвижности, как мы увидим ниже, характерно для механизма проводимости этих веществ. Температурная зависимость электропроводности описывается по большей части соотношением (7.5); различия в значениях проводимости при заданной температуре, как правило, связаны с различиями в энергиях активации. [13]
Подвижности носителей заряда могут быть измерены с помощью импульсной методики. На рис. 5.3.8 показан вид типичного импульса электронного фототока при Т 353 К, демонстрирующий захват носителей ловушками во время дрейфа. Температурные зависимости подвижностей носителей заряда приведены на рис. 5.3.9. При Т 353 К ре 0 15 см2В - 1с - 1, причем величина подвижности практически не зависит от температуры. На первый взгляд такое низкое значение подвижности и температурная зависимость це - Т 2, подобная зонной, кажутся несовместимыми. [14]
Ков синтезированы достаточно давно и по своим свойствам не представляют большого практического интереса. В отличие от своих кристаллических аналогов, эти материалы имеют большую плотность локализованных состояний в запрещенной зоне ( 1019 см 3), обусловленных наличием у многих атомов ненасыщенных, оборванных связей. Уровень Ферми в таких аморфных пленках располагается вблизи середины запрещенной зоны. Пленки имеют очень высокое удельное сопротивление и низкие значения подвижности и времени жизни носителей заряда. Прецизионно управлять электрическими и оптическими свойствами таких аморфных пленок практически невозможно. [15]
Страницы: 1