Большее отрицательное значение
Cтраница 1
Большие отрицательные значения AF показывают, что моно. FeSi почти не диссоциирует в расплаве. [1]
Большие отрицательные значения теп-лот и энтропии раствора и большие положительные величины парциальных моляльных тешюемкостей растворов неэлектролитов в воде можно объяснить, допустив возможность образования молекулами растворителя клеток [73] и айсбергов [74] вокруг растворенных молекул. Франк и Вен [49] расширили эти представления, предположив, что неполярное растворенное вещество стабилизирует льдообразные рои молекул, защищая их от локальных флуктуации энергии. Немети и Шерага [75], проведя количественную обработку стабилизирующего эффекта, показали, что неполярные группы или молекулы могут оказаться пятым координационным соседом по отношению к молекулам воды с четырьмя водородными связями. Слабые вандерваальсовы силы, таким образом, снижают энергию ассоциированных молекул воды. [2]
Большие отрицательные значения энтропии наблюдались во всех 1 3-диполярных реакциях присоединения, исследованных кинетически. Закономерности, обсуждавшиеся при рассмотрении реакций нитрилиминов и окисей нитрилов, также согласуются с предсказанным рядом активностей замещенных олефинов по отношению к диазо-алканам. [3]
Большие отрицательные значения термодинамического потенциала указывают на большую вероятность протекания реакций. В работе [680] рассмотрены причины потерь СгС13 при повышенных температурах. [4]
Большие отрицательные значения величин изменения свободной энергия, особенно при обмене катионов ( табл. 1), объясняются, очевидно, увеличением десорбции двухзарядного катиона; следовательно, сорбция однозарядного катиона также должна расти с увеличением температуры. Это говорит о возрастающем сродстве однозарядного катиона к данному сорбенту с повышением температуры опыта. Так, сорбция иона калия на эспатите в интервале температур 5 - 95 увеличивается в 1 5 раза, а иона лития при тех же условиях - ровно в 2 раза. Абсолютное значение величины изменения свободной энергии для иона калия меньше, чем для иона лития, что, ( вероятно, связано с меньшей гидратационной способностью иона калия. [5]
Большим отрицательным значениям изменения энергии Гиббса соответствуют большие значения констант равновесия, свидетельствующие о том, что в реакционной смеси больше продуктов реакции, чем реагентов. [6]
Большим отрицательным значением G ( AG cO) отвечают большие значения К ( / ( 31), т.е. в равновесной смеси преобладают продукты взаимодействия. [7]
Для больших отрицательных значений скин-фактора или фактора эффективности притока ( ФЭП / FE) и низких давлений эти индикаторные кривые предсказывают более низкие дебиты, чем достигаемые в реальности. [8]
Для больших отрицательных значений Скин-фактора или фактора эффективности притока ( ФЭП / FE) и низких давлений эти индикаторные кривые предсказывают более низкие дебиты, чем достигаемые в реальности. [9]
Для больших отрицательных значений параметра накачки а опять получаем результат (18.3.21) после асимптотического разложения функции ошибок. На пороге, когда a 0, в наших безразмерных единицах получаем / ( 0) 2 / д / тг. На рис. 18.11 а показан график средней интенсивности света /, как функции параметра а. Приведенную кривую следует сравнить с кривой на рис. 18.4, которая получена на основе детерминированного уравнения движения лазера. Основное отличие состоит в том, что средняя интенсивность света не равна нулю ниже порога, поскольку некоторое количество света излучается в любых условиях вследствие спонтанного излучения, так что на пороге разрыв отсутствует. [10]
При больших отрицательных значениях Ну режим работы схемы рис. 3.8, а принципиально меняется. [11]
При больших отрицательных значениях eps в поверхностном слое скапливается большое число электронов и значение Aas велико. Однако Ал убывает быстрее, чем возрастает А / 7, и величина избыточной проводимости Aas уменьшается. При отсутствии поля еф5 0, что соответствует отсутствию избыточных носителей А / г Ар 0, избыточная проводимость равна нулю. Очевидно, в этом случае энергетические зоны не искривлены. При росте e ( fs поверхностная проводимость растет за счет увеличения концентрации избыточных дырок Др. Таким образом, в минимуме Aas 0 инверсируется знак проводимости в поверхностном слое. [12]
 |
Зависимость поверхностной проводимости До -. и плотности поверхностного заряда Р. от энергии в приповерхностном слое e ( pj. [13] |
При больших отрицательных значениях еф5 в поверхностном слое скапливается большое число электронов и значение ACTS велико. При малых отрицательных значениях efs число избыточных электронов Дп убывает, но возрастает число избыточных дырок Ар. Однако An убывает быстрее, чем возрастает Ар, и величина избыточной проводимости Aas уменьшается. При отсутствии поля еф5 0, что соответствует отсутствию избыточных носителей An Др0, избыточная проводимость равна нулю. Очевидно, в этом случае энергетические зоны не искривлены. При росте eys поверхностная проводимость растет за счет увеличения концентрации избыточных дырок Др. Таким образом, в минимуме ACTS О инверсируется знак проводимости в поверхностном слое. [14]
При больших отрицательных значениях eps в поверхностном слое скапливается большое число электронов и значение Aas велико. Однако Ал убывает быстрее, чем возрастает А / 7, и величина избыточной проводимости Aas уменьшается. При отсутствии поля еф5 0, что соответствует отсутствию избыточных носителей А / г Ар 0, избыточная проводимость равна нулю. Очевидно, в этом случае энергетические зоны не искривлены. При росте e ( fs поверхностная проводимость растет за счет увеличения концентрации избыточных дырок Др. Таким образом, в минимуме Aas 0 инверсируется знак проводимости в поверхностном слое. [15]
Страницы: 1 2 3 4