Cтраница 1
Критическое значение поля для пленки Нси есть то, при каком г / j обращается в нуль. [1]
Поскольку это критическое значение поля при увеличении U достигается на более далеких расстояних от нити, отсюда следует, что М должно возрастать при увеличении V. Далее, поскольку все положительные ионы ( кроме небольшого числа первичных) возникают вблизи нити, амплитуда импульса на выходе счетчика, обусловленного последовательным движением ионов, образованных в лавине, не зависит от места прохождения первичной частицы через счетчик и пропорциональна первичной ионизации. Таким образом, пропорциональный счетчик может быть использован для точного определения энергии, теряемой частицами в газе счетчика, если общее число пар ионов в лавине не слишком велико. Когда оно превышает 107, эффекты, связанные с пространственным зарядом, нарушают пропорциональность. [2]
Отсюда можно найти критическое значение поля, при котором начинается самостоятельный разряд. [3]
Одни считали, что электрическое старение изоляции существует, другие отрицали это явление и утверждали, что до некоторого критического значения электрического поля в изоляции не происходит никаких ухудшений, снижающих ее электрическую прочность; если же это критическое значение поля превосходится, происходит пробой изоляции, причем происходит полный пробой изоляции по всей толщине. [4]
Если в нематике внешнее поле приводит к сравнительно простой переориентации молекул, то у холестерика наложение поля, перпендикулярного холестерической оси, приводит к увеличению шага спирали, угол поворота директора перестает быть линейной функцией координаты, а при достижении некоторого критического значения поля холестерическая спираль полностью раскручивается. Зависимость шага спирали холестерических кристаллов от температуры позволяет использовать пленки этих веществ для наблюдения распределения температуры на поверхности различных тел, при медицинской диагностике, визуализации теплового излучения. [5]
Критическое значение поля, необходимое для схлопы-вания, можно оценить из условия pJfKf - TeTN. Такую величину критическое поле имеет при нулевой температуре, при повышении температуры поле убывает и обращается в нуль дри температуре Нееля. [6]
Нужно отметить, что в обычных фазах значения коэффициентов устойчивости заданы только в отношении знака, но не величины, сверхпроводящая фаза отлична в этом отношении от всех остальных тем, что она определяется постоянным значением коэффициента устойчивости, равным бесконечности. При некотором критическом значении поля л скачком изменяется до некоторого конечного значения, и тогда сверхпроводник переходит в обычное металлическое состояние. [7]
В полях, превышающих 600 эрстед, намагниченность уменьшается еще очень медленно. Если точкой поворота кривой считать точку, в которой HiL составляет 2 / 8 от критического значения поля, то / / кр. Критическое поле чистого шарика при той же температуре равно 520 эрстед. [8]
В полях, превышающих 000 эрстед, намагниченность уменьшается еще очень медленно. Если точкой поворота кривой считать точку, в которой Яа составляет 2 / 3 от критического значения поля, то / / кр. Критическое поле чистого шарика при той же температуре равно 520 эрстед. [9]
Перейдем теперь к рассмотрению структур с цилиндрическими магнитными доменами ( ЦМД), Как уже отмечалось выше, в пластинке с перпендикулярной легкой осью анизотропии при / ( L / 2n / s 1 намагниченность в отдельных доменах ориентирована перпендикулярно поверхностям пластинки, вдоль легкой оси. При наложении внешнего магнитного поля, перпендикулярного поверхности пластинки, образец должен намагнититься до насыщения в одном направлении. При дальнейшем повышении величины поля существует область устойчивости ЦМД, в которой радиус сравнительно слабо зависит от величины поля, и, наконец, при достижении некоторого критического значения поля Hk домены необратимо коллапсируют за очень малый промежуток времени, определяемый подвижностью границы, и пластинка намагничивается до насыщения. [10]
Как уже отмечалось выше, в пластинке с перпендикулярной легкой осью анизотропии при K / 2nIs 1 намагниченность в отдельных доменах ориентирована перпендикулярно поверхностям пластинки, вдоль легкой оси. При наложении внешнего магнитного поля, перпендикулярного поверхности пластинки, образец должен намагнититься до насыщения в одном направлении. При дальнейшем повышении величины поля существует область устойчивости ЦМД, в которой радиус сравнительно слабо зависит от величины поля, и, наконец, при достижении некоторого критического значения поля Hk домены необратимо коллапсируют за очень малый промежуток времени, определяемый подвижностью границы, и пластинка намагничивается до насыщения. [11]
При С1 3 - 10 - 12 получается хорошее согласие с результатами экспериментальных исследований. Он допускал, что не только в условиях равновесия, но и при его нарушении внутреннее давление компенсируется внешним давлением. Кроме того, оно было выведено для случая, когда сфероид мало отличался от сферы. Такие предположения оказываются неправильными для момента наступления разрушения поверхности капли и приводят к неверному результату для критического значения поля, так как в сильных электрических полях отклонение от сферической формы и разность внутреннего и внешнего давления могут быть весьма большими. [12]
На это требуется энергия, которую должен дать сам сверхпроводник. Энергия здесь выступает в форме кинетической энергии движения электронов, образующих, согласно эффекту Мейсснера, поверхностные токи. При увеличении силы поля энергия, требуемая сверхпроводнику для его выталкивания, также увеличивается, так что при критическом значении поля Нс энергия сверхпроводящего состояния оказывается уже выше, чем соответствующая энергия нормального состояния. В этом случае сверхпроводник вынужден вернуться в нормальное состояние. [13]
В то время как первые два члена стремятся уменьшить диаметр доменов, энергия размагничивания оказывает обратное влияние. В области равновесия радиус домена г является функцией напряженности внешнего магнитного поля. Когда поле Н падает ниже некоторого допустимого минимального значения, цилиндрический домен становится неустойчивым и переходит в исходный полосовой домен. Когда, напротив, поле / / превысит верхнее критическое значение, домен исчезает и пластинка оказывается однородно намагниченной. Критические значения поля соответствуют определенным предельным значениям радиуса границы гмин, гмакс. [14]