Избыток - электрон
Cтраница 1
Избыток электронов в я - системах фенола и фенолят-иона, которого можно ожидать исходя из резонансных гибридов I и II, должен привести к тому, что эти соединения окажутся весьма активными в реакциях электрофильного замещения. Это положение очень сходно со случаем анилина ( см. разд. [1]
Избыток электронов и дырок, временно образовавшихся в полупроводниках под действием излучения, увеличивает объемную удельную электропроводность материала. Однако наиболее резко чувствительность к облучению выражена в полупроводниковых переходах. [2]
Избыток электронов и дырок, временно образовавшийся в полупроводнике под действием излучения, увеличивает электропроводность материала ст. В равновесном состоянии в полупроводниках скорости ионизации и рекомбинации электронов равны. Равновесные концентрации электронов ии дырок /), определяемые только температурой материала, связаны соотношением пр п, которое означает, что концентрации основных и неосновных носителей независимы друг от друга, так как для данного материала при данной температуре величина щ постоянна. [3]
Избыток электронов испытывает меньшее притяжение со стороны ядра. [4]
 |
К пояснению механизма электролиза. [5] |
Избыток электронов на катоде гальванической пары приводит к преобладанию сил притяжения катионов к электроду над силами уноса их в раствор. Вследствие этого происходит диффузия катионов из раствора к катоду, на поверхности которого они присоединяют к себе часть его избыточных электронов и восстанавливаются. Электрический заряд катода при этом уменьшается, а электростатический потенциал - убывает, стремясь к электродному потенциалу катода. [6]
Избыток электронов при коммутации возвращается приблизительно по тем же траекториям к электронному прожектору, образуя обратный луч. [7]
Избыток электронов при считывании возвращается приблизительно по тем же траекториям к электронному прожектору, образуя обратный луч. При этом тормозящее для прямого луча поле второго и третьего анодов является ускоряющим для обратного луча. Сигнал изображения содержится в модуляции тока обратного луча. [8]
Избыток электронов в я-системах фенола и фенолят-иона, которого можно ожидать, исходя из резонансных гибридов I и II, должен привести к тому, что эти соединения окажутся весьма активными в реакциях электро-фильного замещения. Это положение очень сходно со случаем анилина ( см. стр. [9]
А имеется избыток электронов. Пластина S положительна, так как на ней электронов недостаточно. [11]
С появлением избытка электронов в базе пг положительный потенциал на ее границе с переходом Я2 снижается, что приводит к уменьшению собственного тока коллекторного перехода. [12]
В следующем этапе избыток электронов от анодного участка по металлу перетекает к катодному. [13]
При этом возникает избыток электронов, обладающих высокой подвижностью. Но поскольку должно сохраняться условие электронейтральности, то в таком кристалле имеется также эквивалентная концентрация положительных дефектов - положительно заряженных ионов или диссоциированных доноров. Подвижность их по сравнению с электронами неизмеримо мала. [14]
Образующийся у меди избыток электронов снова идет на восстановление водорода и образование гидроксильных ионов. В описанной схеме процесса коррозии необходимо подчеркнуть следующие основные особенности. [15]
Страницы: 1 2 3 4