Cтраница 1
Изгиб выводов транзистора допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса. [1]
Изгиб выводов транзистора при пайке на расстояниях, меньших, чем предусмотрено техническими условиями, недопустим. Если точка изгиба находится слишком близко к стеклянным изоляторам, последние могут быть повреждены и герметичность транзистора будет нарушена. Чтобы не повредить проводящего покрытия выводов, изгиб их следует делать плавным с радиусом не менее 0 8 мм. Не следует применять кусачки для обрезки выводов транзисторов: они производят механический удар, который передается внутрь корпуса и может повредить тонкие внутренние электрические соединения. [2]
Изгиб выводов транзистора на расстояниях, меньших, чем предусмотрено техническими условиями, недопустим. Если точка изгиба находится слишком близко к стеклянным изоляторам, они могут повредиться и герметичность транзистора будет нарушена. Чтобы не повредить проводящего покрытия выводов, изгиб их делают плавным, радиусом не менее 0 8 мм. [3]
Изгиб выводов транзистора не должен быть резким, он должен иметь радиус не менее 0 8 мм. Не допускается изгиб непосредственно у стеклянных изоляторов. [4]
Изгиб выводов транзистора допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса. [5]
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов не ближе 2 5 мм от корпуса под углом 90 с радиусом закругления не менее 0 8 мм. [6]
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов на угол не более 90 на расстоянии не менее 5 мм от корпуса с радиусом изгиба не менее 1 5 мм. [7]
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов не ближе 2 5 мм от корпуса под углом 90 с радиусом закругления не менее 0 8 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб выводов в плоскости выводов не допускается. [8]
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов не ближе 2 5 мм от корпуса под углом 90е с радиусом закругления не менее 0 8 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб выводов в плоскости выводов не допускается. [9]
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов не ближе 2 5 мм от корпуса под углом 90 с радиусом закругления не менее 0 8 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб выводов в плоскости выводов не допускается. [10]
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов не ближе 2 5 мм от корпуса под углом 90 с радиусом закругления не менее 2 5 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб выводов в плоскости выводов не допускается. [11]
При монтаже допускается одноразовый изгиб выводов транзистора не ближе 2 5 мм от корпуса под углом 90 с радиусом закругления не менее 2 5 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается. [12]
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода транзистора должно быть не менее 20 мм. [13]
Время пайки должно быть минимальным, чтобы не нагреть внутренние соединения и детали транзистора. С этой же целью выводы паяют на достаточном расстоянии от корпуса. Припой должен иметь температуру плавления не выше 150 С. Изгиб выводов транзистора на расстояниях, меньших, чем предусмотрено техническими условиями, недопустим. Если точка изгиба находится слишком близко к стеклянным изоляторам, они могут повредиться и герметичность транзистора будет нарушена. Чтобы не повредить проводящего покрытия выводов, изгиб их делают плавным, радиусом не менее 0 8 мм. [14]
Время пайки должно быть минимальным, чтобы не нагреть внутренние соединения и детали конструкции транзистора. С этой же целью выводы паяют на достаточном расстоянии от корпуса. Припой должен иметь температуру плавления не выше 150 С. Изгиб выводов транзистора на расстояниях, меньших, чем предусмотрено техническими условиями, недопустим. Если точка изгиба находится слишком близко к стеклянным изоляторам, последние могут быть повреждены и герметичность транзистора будет нарушена. Чтобы не повредить проводящего покрытия выводов, изгиб их делают плавным, радиусом не менее 0 8 мм. [15]