Изготовление - транзистор
Cтраница 1
 |
Конструкции полосковых линий. [1] |
Изготовление транзистора завершается вскрытием окон под контактные площадки и формированием слоя металлизации. В последнее время для формирования структур полевых транзисторов КНС используются также маскирующие слои из нитрида кремния. Изготовленные по такой технологии пленочные транзисторы обладают хорошими электрическими характеристиками. Усилительные свойства их остаются достаточно высокими до 4 - 6 ГГц. Напряжение пробоя затвор-сток превышает 20 - 30 В; пороговое напряжение не превышает 0 6 - 0 8 В. [2]
Изготовление эпитаксиального транзистора основано на выращивании пленок на исходном германии ( или кремнии), обладающих всеми свойствами монокристалла. На хорошо обработанной, очень гладкой подложке осаждаемая тонкая пленка полупроводникового материала полностью повторяет структуру подложки. [3]
Для изготовления транзистора из монокристалла германия о электронной проводимостью в него с двух противоположных сторон вводится примесь атомов индия. [4]
 |
Схема - - - транзистора. Н0 и. а в области эмитте. [5] |
Для изготовления транзистора в пластинку n - германия с обеих, сторон посредством диффузии или другим методом вводится акцепторная примесь, обычно индий. Таким образом, справа и слева образуются области с большой концентрацией дырок. Слой с n - проводимостью, лежащий посредине, называется базой. [6]
Для изготовления транзисторов по этой технологии образец полупроводника шлифуется при помощи тонкой струи сероуглерода до толщины порядка 0 01 - 0 025 мм. [7]
Для изготовления транзисторов идет материал с определенной диффузионной длиной. Коэффициент усиления транзистора при этом будет мал. L влияет также и на многие другие параметры транзистора. Практическое применение находит кремний с L 0 l -: - 0 5 мм и германий с L 0 3ч - 1 5 мм. [8]
Для изготовления транзистора берется материал, имеющий электропроводность га-типа. [9]
Для изготовления транзисторов используются германий и кремний, так как они характеризуются большой механической прочностью, химической устойчивостью и большей, чем в других полупроводниках, подвижностью носителей тока. Полупроводниковые триоды делятся на точечные и плоскостные. Плоскостные триоды являются более мощными. Они могут быть типа р-п - р и типа п-р - п в зависимости от чередования областей с различной проводимостью. [10]
Для изготовления транзисторов используются германий и кремний, так как они характеризуются большой механической прочностью, химической устойчивостью и большей, чем в других полупроводниках, подвижностью носителей тока. Полупроводниковые триоды делятся на точечные и плоскостные. Первые значительно усиливают напряжение, но их выходные мощности малы из-за опасности перегрева ( например, верхний предел рабочей температуры точечного германиевого триода лежит в пределах 50 - 80 Q. Плоскостные триоды являются более мощными. Они могут быть типа. [11]
Для изготовления транзисторов применяют германий или кремний, так как подвижность носителей заряда в этих материалах больше, чем в других полупроводниках. Кроме того, рекомбинация электронов и дырок в этих веществах проходит сравнительно медленно, что важно для хорошей работы транзистора. [12]
Для изготовления транзисторов применяются германий и кремний. Элементы германий и кремний относятся к четвертой группе периодической системы. До сих пор большинство транзисторов делалось из германия, однако в будущем роль кремния как материала для транзисторов, видимо, возрастет, так как он позволяет изготавливать диоды и транзисторы с большой выходной мощностью. Причина отставания разработок кремниевых транзисторов заключается в том, что кремний характеризуется высокой температурой плавления ( температура плавления германия 935 С, а кремния 1420 С), а также в том, что очистка кремния сложна. [13]
Для изготовления транзисторов с заданными электрическими характеристиками необходимо очень точно выдержать размеры областей кристалла, соответствующие базе, эмиттеру и коллектору. При сплавном методе конфигурация отдельных областей транзистора сильно зависит от точности поддержания температуры, толщины пластинки, времени вплавления и количества примесей. Ничтожные отклонения любого показателя от номинального значения приводят к большому разбросу электрических параметров транзистора. Диффузионный процесс более медленный и лучше управляемый. Поэтому с помощью диффузии удается создать транзисторы, в которых размеры различных областей могут быть выдержаны значительно более точно. В частности, диффузионным методом можно создать транзисторы с очень тонкой базой, что существенно повышает частотный предел их работы. [14]
Для изготовления транзисторов, как и для изготовления других элементов полупроводниковых ИМС и межэлементных соединений, в настоящее время используется несколько разновидностей планарной технологии. Наиболее широко применяется планарно-диффузаочная и планарно-эпш аксиальная технология с изоляцией элементов с помощью обратносмещенных р-я-переходов. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5