Cтраница 4
Известны также пути и методы развития этого процесса, получившие название комплексной миниатюризации, подразумевающей оптимальное решение задачи выбора массы, габаритов, энергопотребления, надежности и стоимости аппаратуры, создаваемой на основе изделий микроэлектроники. В отдельных случаях, когда требования по какому-то отдельному параметру доминируют над другими, отступают от принципов комплексной миниатюризации и пользуются правилом ограничивающих неравенств. Например, это относится к требованиям высокого быстродействия и точности, вынуждающих применять новые материалы и прецизионную технологию, не считаясь с затратами и некоторым ухудшением других показателей. [46]
В пособии рассмотрен с экономических позиций процесс создания и освоения в производстве изделий микроэлектроники; изложены конструктивно-технологические факторы, влияющие на себестоимость изделий микроэлектроники, современные методы проектного анализа; организационные основы построения производственных процессов и принципы планирования, освоения и выпуска изделий микроэлектроники; даны рекомендации по выполнению организационно-экономической части дипломных проектов. [47]
Пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников применяют для создания элементов памяти в микросхемах перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств ЭВМ, передающих телевизионных трубок ( видиконов), фоточувствительных сред для записи оптической информации, а также в качестве неорганических фото - и электронных резистов при производстве изделий микроэлектроники. [48]
Инженерно-технические работники, занимающиеся вопросами электронизации народного хозяйства, проблемами разработок микроэлектронной аппаратуры и ее элементной базы, должны быть хорошо ориентированы в области технических и организационных мер, необходимых для производства продукции высокого качества, должны знать и уметь использовать в практической работе методы и средства создания изделий микроэлектроники высокого качества. [49]
Марки: Г-00, Г-0, Г-1-для производства первичного алюминия высших, высоких и средних марок электролитическим методом, керамики специальных видов, огнеупоров и материалов электронной промышленности; Г-2 - для производства первичного алюминия низких марок электролитическим методом; ГЭБ - для производства белого электрокорунда; ГН - для керамики специальных видов, изделий микроэлектроники и низкощелочного белого электрокорунда; ГНК - для производства электроизоляционных изделии, огнеупоров; ГК - для производства электрокерамических изделии, керамики специальных видов и материалов электронной промышленности; ГСК - для катализаторов при производстве синтетического каучука. [50]
Большинство изделий микроэлектроники, в том числе полупроводниковые ИМС и БИС, корпусные гибридные ИМС и БИС, относятся к невосстанавливаемым. Бескорпусные гибридные ИМС и БИС, микросборки допускают восстановление работоспособности при отказах путем частичной замены компонентов. Как правило, такое восстановление ( ремонт) производят на завершающих стадиях изготовления и контроля этих изделий. [51]