Способность - электрон
Cтраница 3
Определение формы и размеров растущих кристаллов на основании электронографических данных ( по виду дифракционных рефлексов) вызывает ряд существенных затруднений. Кроме трудностей теоретически-расчетного порядка, интерпретация результатов усложняется из-за ограниченной способности электронов проникать в вещество. По этой причине трудно определять форму отдельных кристаллитов, если их рост осуществляется не на гладкой в атомном масштабе поверхности. Даже в последнем случае слой должен быть достаточно тонким, чтобы дифракцию обеспечивал весь осадок. [31]
Лондоном при рассмотрении молекулы Н2 образование хим. связи было соотнесено со способностью электрона одного атома образовывать пару с противоположным по С. Таким образом возникла теория двухэлектронных связей, послужившая основой квантовохим. Аналогичный вывод о том, что образование хим. связи обусловлено тенденцией к спариванию С. Это утверждение является весьма приближенным. Его качеств, справедливость м.б. обоснована лишь в тех случаях, когда для описания электронного состояния системы можно с хорошей точностью использовать пробную волновую ф-цию, отвечающую всего лишь одной валентной схеме, либо ф-цию ограниченного метода Хартри-Фока. [32]
В каждом вертикальном столбце системы собраны изоэлектронные по внешней оболочке гомологи, отличающиеся друг от друга нарастающим ( по столбцу сверху вниз) отталкиванием внутренних электронных слоев, постепенным вхождением в состав электронных конфигураций d - и / - вакансий, частично заполненных в свободных атомах или заполняемых при образовании химических связей; вхождением, характеризуемым радиальными сжатиями электронных облаков, изменением типа гибридизации, координационного числа, а также симметрии расположения связей в пространстве. Всему этому сопутствуют изменения сродства к электрону и окислительной способности, а также донорской способности электронов уединенных пар, переходящих от лиганда к центральному атому. [33]
 |
Схема электроннолучевой установки. [34] |
Более высокую стойкость катода и меньшую возможность для возникновения разрядов между электродами, нарушающими нормальную работу устройства, имеют электронные термические установки с направленным потоком ( лучом) электронов. Получение направленного пучка электронов производится с помощью электроннолучевых пушек, в основе работы которых лежит способность электронов изменять свою траекторию при прохождении через электрическое или магнитное поле. [35]
Поскольку на левом электроде образуется избыток электронов, а реакция на правом электроде не может протекать без участия электронов, достаточно соединить между собой электроды проволочкой, чтобы по ней устремился поток электронов. Это аналогично открыванию вентиля баллона со сжатым газом: сжатый газ превращается в газ под атмосферным давлением без совершения какой-либо полезной работы. Способность электронов перетекать с одного электрода на другой, или электронное давление, измеряется разностью потенциалов двух электродов. [36]
На рис. 6 - 73 а показано, что при равновесных расстояниях между ядрами между заполненным и верхним незаполненным уровнями ( зона проводимости) существует разрыв. Способность электронов перемещаться из высшей заполненной ( валентной) зоны в соседнюю незаполненную ( зона проводимости) отличает металлический проводник от полупроводника или изолятора. [37]
Электрон в приведенном выше примере меняет свое спиновое состояние со временем. Если по временной шкале ЯМР изменение происходит слишком быстро, чистым эффектом является усреднение до нуля осциллирующего поля на протоне, которое связано с электроном. В результате снижается эффективность релаксирующей способности электрона по отношению к протону. Эта картина очень напоминает явление усреднения, рассмотренное ранее в связи с ядерным спин-спиновым расщеплением. Первый эффект похож на развязку протона в ядерной спин-спиновой системе, а последний похож на обмен протона группы О - Н этанола. [38]
Представление об электронном газе позволяет объяснить специфические свойства металлического состояния, а именно, высокие электрическую проводимость и теплопроводность, металлический блеск. Электроны электронного газа очень легко перемещаются в металле под действием разности потенциалов. Высокая теплопроводность металлов обусловлена способностью электронов переносить кинетическую энергию. Металлический блеск есть следствие способности электронного газа хорошо отражать световые волны. [39]
Он установил, что соединение 7 ( R п - СН3О) перегруппировывается быстрее, чем 7 ( R Н), а имидоэфир 7 ( R 2 4 6 - С13) значительно менее реакционноспособен, чем незамещенный имидоэфир. Таким образом, электроноакцепторные группы понижают способность электронов на атоме азота к нуклеофильной атаке, тем самым затрудняя реакцию. [40]
Он установил, что соединение 7 ( К п - СИуО) перегруппировывается быстрее, чем 7 ( R - II), а имидоэфир 7 ( R 2 4 6 - Cls) значительно менее рсэ кциопноси особен, чем незамещенный имидоэфир. Таким образом, элсктр он акцепторные группы понижают способность электронов на атоме азота к нуклеофилыюй атаке, тем самым затрудняя реакцию. [41]
На этом физика не заканчивается, но переходит в компетенцию химиков, биологов и медиков. Однако отметим: специалисты считают, что такой воздух обладает широким диапазоном благоприятных воздействий на человека. Они связывают это с антиоксидантными свойствами, т.е. способностью электронов, пришедших с воздухом в организм, замедлять окислительные процессы, и, в конечном счете, старение тоже. Получается, что отрицательные аэроионы выполняют в организме те же функции, что и большинство витаминов. Их так и называют: витамины воздуха. [42]
В метальном радикале спиновая плотность неспаренного электрона целиком сконцентрирована на атоме углерода. Это приводит к тому, что время жизни метильного радикала составляет около 6 10 - 3 с. В отличие от него трифенилметильный радикал - радикал Гомберга, открытый в 1900 г., чрезвычайно устойчив. Следовательно, способность неспареного электрона к делокализации по фенильным кольцам является одной из основных причин относительно низкой химической активности и соответственно относительно высокой стабильности радикала Гомберга. [43]
 |
Схема гальванического элемента. [44] |
Устройство, схематически изображенное на рис. 6.1, называют гальваническим элементом, а каждый из сосудов, содержащий раствор и платиновую пластину, - электродом или полуэлементом, хотя собственно электродом часто называют платиновую или другую пластину, служащую проводником электронов. При проведении реакции в гальваническом элементе химическая энергия превращается в электрическую. Электродвижущая сила ЭДС гальванического элемента может быть измерена с помощью потенциометра. Она непосредственно характеризует способность электронов данного восстановителя переходить к данному окислителю. [45]
Страницы: 1 2 3 4