Полупроводниковый излучатель

Cтраница 1

Относительная К. и абсолютная V видности стандартного фотометрического наблюдателя в зависимости от длины волны излучения. [1]

Полупроводниковые излучатели с выпрямляющим электрическим переходом обладают относительно малым сопротивлением при включении этого перехода в прямом направлении. [2]

Полупроводниковый излучатель - оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения в видимой, инфракрасной и ультрафиолетовой областях спектра. [3]

Полупроводниковый излучатель - это оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения в видимой, инфракрасной и ультрафиолетовой областях спектра. [4]

Относительная К и абсолютная V видности стандартного фотометрического наблюдателя в зависимости от длины волны излучения. [5]

Полупроводниковые излучатели с выпрямляющим электрическим переходом обладают относительно малым сопротивлением, при включении этого перехода в прямом направлении. [6]

Схемные обозначения светоизлучающего диода ( а, фотодиода ( б, фототранзистора ( в, фототиристора ( г и диодного оптро-на ( д. [7]

Полупроводниковым излучателем света является светоизлучающий диод. Наиболее интенсивно рекомбинация происходит вблизи р-п перехода, когда основные носители преодолевают потенциальный барьер и рекомбинируют. Для создания светоизлучающих диодов используют сложные полупроводниковые материалы, у которых квант энергии излучается в оптическом ( или инфракрасном) диапазоне, например фосфид галлия, арсенид галлия или карбид кремния. Излучение происходит при пропускании через прибор тока в прямом направлении. Конструкция прибора обеспечивает передачу света от р-п перехода без значительных, потерь в толще полупроводника. ВАХ светоизлучающих диодов аналогична характеристикам обычных кремниевых и германиевых диодов. [8]

Схемные обозначения светоизлучающего диода ( а, фотодиода ( б, фототранзистора ( в, фототиристора ( г и диодного оптро-на ( д. [9]

Полупроводниковым излучателем света является светоизлучающий диод. Наиболее интенсивно рекомбинация происходит вблизи р-п перехода, когда основные носители преодолевают потенциальный барьер и рекомбинируют. Для создания светоизлучающих диодов используют сложные полупроводниковые материалы, у которых квант энергии излучается в оптическом ( или инфракрасном) диапазоне, например фосфид галлия, арсенид галлия или карбид кремния. Излучение происходит при пропускании через прибор тока в прямом направлении. Конструкция прибора обеспечивает передачу света от р-п перехода без значительных потерь в толще полупроводника. ВАХ светоизлучающих диодов аналогична характеристикам обычных кремниевых и германиевых диодов. [10]

Многие полупроводниковые излучатели могут излучать только некогерентные электромагнитные колебания. К ним относятся полупроводниковые излучатели видимой области спектра - полупроводниковые приборы отображения информации ( свето-излучающие диоды, полупроводниковые знаковые индикаторы, шкалы и экраны), а также полупроводниковые излучатели инфракрасной области спектра - инфракрасные излучающие диоды. [11]

Для полупроводниковых излучателей в отличие от приемников излучения важны значения коэффициента отражения не на внешней поверхности прибора, а непо-средствено на границе полупроводник - отражающее покрытие. [12]

Физической основой полупроводниковых излучателей является люминесценция. Под люминесценцией понимают электромагнитное нетепловое излучение, обладающее длительностью, значительно превышающей период световых колебаний. Таким образом, в определении подчеркивается тот факт, что в отличие от свечения накаленных тел для люминесценции не требуется нагревания тела, хотя, конечно, подведение энергии в том или ином виде необходимо. Иначе говоря, поглощенная люминесци-рующим проводником энергия на некоторое время задерживается в нем, а затем частично превращается в оптическое излучение, частично - в теплоту. [13]

Однако в полупроводниковых излучателях с полусферической структурой несколько возрастают потери фотонов в результате поглощения, так как увеличивается длина их пути от места возникновения до поверхности кристалла. Все полупроводниковые излучатели с полусферической структурой имеют внешний квантовый выход на порядок выше, чем у излучателей с плоской конструкцией. [14]

Увеличение мощности накачки полупроводниковых излучателей может быть достигнуто с использованием тиристоров и нелинейных коммутирующих дросселей. [15]

Страницы: 1 2 3 4