Анизотропия - кристалл
Cтраница 2
Вследствие анизотропии кристаллов коэффициент линейного расширения а может быть различным в разных направлениях. Это означает, что если из данного кристалла выточить шар, то после его нагревания он потеряет свою сферическую форму. Можно показать, что в самом общем случае такой шар при нагревании превращается ъ трехосный эллипсоид, оси которого связаны с кристаллографическими осями кристалла. [16]
Вследствие анизотропии кристаллов в процессе реакции форма частиц должна изменяться, однако проследить это непосредственно и точно учесть в большинстве случаев не удается. [17]
Благодаря анизотропии кристалла возможная величина смещения его частиц, а следовательно, и сила поляризационного тока оказываются неодинаковыми для различных плоскостей кристаллической решетки. Очевидно, что световая волна, идущая в плоскости, соответствующей значительным возможным смещениям частиц, вызывает сильный поляризационный ток и потому практически полностью поглощается кристаллом. Если же световая волна идет в плоскости, соответствующей малым смещениям частиц, то она вызывает слабый поляризационный ток и проходит через кристалл без существенного поглощения. [18]
Вследствие анизотропии кристаллов коэффициент линейного расширения а, может быть различным в разных направлениях. Это означает, что если из данного кристалла выточить шар, то после его нагревания он потеряет свою сферическую форму. Можно показать, что в самом общем случае такой шар при нагревании превращается в трехосной эллипсоид, оси которого связаны с кристаллографическими осями кристалла. [19]
Как анизотропия кристалла ( ферромагнитная), так и магнето-етрпкци Я обнаруживают тенденцию к уменьшению по мере приближения к точке Кюри. [20]
Благодаря анизотропии кристалла возможная величина смещения его частиц, а следовательно, и сила поляризационного тока оказываются неодинаковыми для различных плоскостей кристаллической решетки. Очевидно, что световая волна, идущая в плоскости, соответствующей значительным возможным смещениям частиц, вызывает сильный поляризационный ток и потому практически полностью поглощается кристаллом. Если же световая волна идет в плоскости, соответствующей малым смещениям частиц, то она вызывает слабый поляризационный ток и проходит через кристалл без существенного поглощения. [21]
Причиной анизотропии кристаллов служит упорядоченное расположение частиц вещества: атомов, молекул, ионов, из которых они состоят. Упорядоченность расположения частиц вещества кристалла заключается в том, что частицы вещества размещаются в узлах геометрически правильной пространственной решетки. [22]
 |
Схема построения структуры кристалла из элементарных ячеек [ IMAGE ] Схема, поясняющая причину анизотропии кристалла. [23] |
Изучение анизотропии кристаллов дает ценные сведения об их внутреннем строении и характере связей. Проявление веществом анизотропии доказывает, что его структура представлена правильным пространственным расположением частиц. [24]
Наличие анизотропии кристалла приводит к некоторым особенностям анализа электродинамических свойств диэлектрического резонатора. Затем распространим полученные решения на случай диэлектрического резонатора, представляющего собой отрезок такого анизотропного диэлектрического стержня при соответствующих граничных условиях на его торцовых стенках. [25]
Причиной анизотропии кристаллов служит упорядоченное расположение частиц ( атомов или молекул), из которых они построены. Упорядоченное расположение частиц проявляется в правильной внешней огранке кристаллов. Кристаллы ограничены плоскими гранями, пересекающимися под некоторыми, определенными для каждого данного рода кристаллов, углами. Раскалывание кристаллов легче происходит по определенным плоскостям, называемым плоскостями спайности. [26]
Простейший пример анизотропии кристаллов - неодинаковая их прочность по различным направлениям. Это свойство наглядно проявляется при дроблении многих кристаллических тел. [27]
Двойное лучепреломление объясняется анизотропией кристаллов. В кристаллах некубической системы диэлектрическая проницаемость г оказывается зависящей от направления. [28]
У теллура резко выражена анизотропия кристаллов, проявляемая в различии механических свойств по разным кристаллографическим осям. [29]
Далее вводится поправка на анизотропию кристалла полиэтилена, у которого сжимаемость существенно различна в различных направлениях. [30]
Страницы: 1 2 3 4