Кристаллографическая анизотропия

Cтраница 3

Оптический метод анализа текстур основан на использовании кристаллографической анизотропии скорости химического растворения. При правильном подборе режима травления на поверхности кристаллитов можно получить фигуры травления, хорошо наблюдаемые в световом микроскопе. Форма этих фигур травления и их ориентировка в плоскости шлифа зависят от того, какой кристаллографической плоскостью й / Ыг ориентирован соответствующий кристаллит параллельно плоскости шлифа и как эта плоскость hikik повернута вокруг нормали к плоскости шлифа. [31]

На магнитные свойства металлических стекол благоприятно влияет отсутствие кристаллографической анизотропии и протяженных дефектов. Кроме того, в аморфных сплавах в большей степени, чем в сплавах с кристаллическим строением, проявляются эффекты магнитного последействия, что связано со стабилизацией границ доменов вследствие композиционного направленного упорядочения. Для магнитного последействия характерна обратимость магнитных свойств по отношению к магнитному и термическому воздействиям. [32]

Зависимость сопротивления прокаленного нефтяного кокса от давления прессования. [33]

Чрезвычайно большое влияние на упругое расширение оказывает фактор кристаллографической анизотропии частиц. Данное обстоятельство совпадает с отмечавшимися выше различиями в факторах структурной анизотропии у двух указанных коксов. [34]

ЯД 2 / С / Л - эффективное поле кристаллографической анизотропии и Hw ws I0 - молекулярное поле, действующее со стороны одной подрешетки на другую. [35]

Считалось, что структура аморфных тел изотропна, поскольку отсутствует кристаллографическая анизотропия. [36]

Связь между однородной прецессией и вырожденными спиновыми волнами обусловлена изменениями кристаллографической анизотропии, вызванными зернистой структурой материала. Другими словами, магнитный порядок материала нарушается на границах между отдельными зернами. Это приводит к тому, что энергия однородной прецессии передается спиновым волнам с длиной волны порядка размеров зерен. В поликристаллических ферритах со структурой типа шпинели или граната средний размер зерен составляет 1 - 10 мк, поэтому на границе зерен возбуждаются спиновые волны, длина которых достаточна для того, чтобы можно было пренебречь обменным взаимодействием. [37]

Поэтому необходимым условием повышения начальной магнитной проницаемости является максимальное уменьшение кристаллографической анизотропии и внутренних напряжений. Внутренние напряжения можно до некоторой степени уменьшить путем обжига, который придает материалу достаточную однородность и высокую плотность. Однако и в этом случае в материале еще сохраняются свойственные ему внутренние напряжения, которые обусловлены магнитострикцией, возникающей при прохождении точки Кюри в процессе охлаждения материала от высокой температуры. [38]

Наиболее вероятно, что при снижении точки Кюри мы уничтожаем кристаллографическую анизотропию Ес феррита. Для того чтобы получить хороший результат и по проницаемости и по коэрцитивной силе, мы должны иметь добавочное средство, чтобы уничтожить магнитострикцию л и, таким образом, получить действительно феррит с высокой проницаемостью. [39]

При изучении электрофизических параметров необходимо также учитывать их связь с кристаллографической анизотропией. [40]

Прецессия магнитного момента в магнитном поле.| Ориентация основных кристаллографических направлений в плоскости ( ПО. [41]

Ферромагнетик, который здесь изучается, будучи монокристаллом, обладает кристаллографической анизотропией. Анизотропны и его магнитные свойства. В частности, резонансное значение внешнего магнитного поля вдоль разных кристаллографических направлений образца оказывается различным. [42]

Схема установки для исследования процессов, связанных с обравованием зародышей перемагни-чиваиия.| Образование прямо - угольная форма петли гистерезиса. На. [43]

Исследуемый образец представляет собой тонкую проволоку АВ из материала с незначительной кристаллографической анизотропией, например из пермаллоя. В прово - б локе путем ее растяжения создаются сильные механические напряжения. Такой образец имеет однородную структуру и одну ось легкого намагничивания, хотя материал поликристаллический. Затем поле уменьшают до нуля, коммутируют и увеличивают до некоторого значения / / / / Ст. При этом перемагничивание еще не наступает. [44]

Кривые размагничивания ферритов стронция ЗСА, 3 5Са. [45]

Страницы: 1 2 3 4