Cтраница 4
Получены данные о спектральном распределении фотопроводимости. Максимум фоточувствительности TISe лежит в области 1 55 - 1 6 мк. Ширина запрещенной зоны TISe, по этим измерениям, равна 0 65 эв, что выше значения Еа 0 56 эв, полученного на основании измерений электрических свойств. Прогрев порошков увеличивает фоточувствительность TISe в 50 - 100 раз и сдвигает максимум фоточувствительности в длинноволновую область спектра. Кристаллы TISe обнаруживают сильную анизотропию, что затрудняет изменение величины некоторых свойств в направлении, перпендикулярном слою. По данным работы [28], основной край полосы поглощения TISe лежит в ИК-области и Ее - 0 8 эв. [46]
Получены данные о спектральном распределении фотопроводимости. Максимум фоточувствительности TISe лежит в области 1 55 - 1 6 мк. Ширина запрещенной зоны TISe, по этим измерениям, равна 0 65 эв, что выше значения Ее - 0 56 эв, полученного на основании измерений электрических свойств. Прогрев порошков увеличивает фоточувствительность TISe в 50 - 100 раз и сдвигает максимум фоточувствительности в длинноволновую область спектра. Кристаллы TISe обнаруживают сильную анизотропию, что затрудняет изменение величины некоторых свойств в направлении, перпендикулярном слою. По данным работы [28], основной край полосы поглощения TISe лежит в ИК-области и Eg 0 8 эв. [47]
По данным [46] на кривых изменения с составом электросопротивления, постоянной Холла и постоянных кристаллической решетки сплавов золота с серебром имеется разрыв непрерывности при составах, отвечающих химическим соединениям AuaAg, At Aga и AuAga. При исследовании внутреннего трения в сплавах, содержащих 58 5 и 68 0 % Аи, был обнаружен температурный пик этой характеристики при 320, который, по мнению авторов исследования [47], обусловлен упорядочением сплава под действием напряжений. Однако эти выводы опровергаются многочисленными исследованиями, выполненными различными методами физико-химического анализа ( см. выше) и в том числе такими чувствительными, как рентгеновский, дилатометрический, магнитный, и измерением электрических свойств и термоэлектродвижущей силы. [48]
Тем не менее Э. М. Рабинович [209, 210], рассматривая процесс гетерогенной кристаллизации стекол с точки зрения общей теории кристаллизации на примесях [211-213], без достаточных оснований утверждает, что кристаллизация литиевосиликатных, в том числе светочувствительных и натрийфосфатных стекол, обусловлена исключительно кристаллографическим соответствием между Pt, Аи, Ag или Си и кристаллами соответствующих фаз, а не микрорасслаиванием стекла или образованием в нем микронеоднородных структурных групп, как это было установлено экспериментально в рассмотренных выше исследованиях Вейля, Каркханавалы, Рин-дона, Фогеля и Герта и теоретически обосновано Вейлем. Недостаточность своих доводов признает и сам автор [209], сообщая об отсутствии у него данных, подтверждающих предположение о кристаллографическом механизме кристаллизации фосфатов на частицах Pt в натрийфосфатных стеклах. Образование микроликва-ционных областей или субмикронеоднородных структурных групп в результате предпочтительной адсорбции на частицах Pt катионов-модификаторов как стадия, предшествующая ориентированному росту кристаллов в стеклах, содержащих добавки благородных металлов, убедительно подтверждена электронномикроскопическим анализом, измерением электрических свойств, травлением этих стекол в плавиковой кислоте и другими методами. После завершения этой стадии следует ориентированный, или эпитаксиальный, рост кристаллов основной выделяющейся фазы на образовавшихся центрах кристаллизации критических размеров. [49]
Выводы о строении полимеров по результатам диэлектрических измерений могут быть сделаны только для чистых веществ. Об изменении кристаллических областей при сополимеризации можно сделать вывод, согласно Вюрстлину, на основании зависимости диэлектрических величин от температуры. Таким образом, кроме технологической ценности, измерения электрических свойств полимеров имеют также теоретическое значение, давая представления о строении, форме макромолекул и структуре этих соединений. [50]