Измерение - удельное сопротивление
Cтраница 4
При измерении удельного сопротивления вязких рабочих электролитов измерительный сосуд с электродами следует погружать в электролит, нагретый до температуры, при которой он становится жидким, и производить измерения после доведения электролита до нужной температуры. [46]
При измерении удельного сопротивления тонких полупроводниковых пластин конечной толщины необходимо ввести соответствующую поправку, учитывающую толщину образца. [47]
 |
Четырехточечный зонд для измерения удельного сопротивления. [48] |
Возможно также измерение удельного сопротивления и бесконтактным способом при помощи высокочастотного тока. В одной из таких схем [ 21, приведенной на рис. 2, два емкостных контакта связывают пробу с измерительной схемой. Емкостные контакты в виде двух электродов, покрытых слюдой или тонкой полиэтиленовой пленкой, подключают к контуру, содержащему индуктивность, переменный конденсатор и источник высокочастотного ( 100 Мц) напряжения. Падение напряжения измеряется на индуктивности при изменении емкости конденсатора вблизи резонанса. При достижении резонанса падение напряжения проходит через максимум. [49]
Были проведены измерения удельного сопротивления кристаллов карбида кремния в диапазоне О, 1 - 10 ом см. Поскольку данный метод является относительным, то необходимо прибор градуировать по эталонным образцам, удельное сопротивление которых определялось другими методами, например 4 - или 2-зондовым. [50]
Были проведены измерения удельного сопротивления кристаллов карбида кремния в диапазоне 0 1 - 10 ом см. Поскольку данный метод является относительным, то необходимо прибор градуировать по эталонным образцам, удельное сопротивление которых определялось другими методами, например 4 - или 2-зондовым. [51]
 |
График поправочных функций f, ( w / s и г ( w / s к формулам и. [52] |
В практике измерений удельного сопротивления образцы часто имеют форму тонких дисков или тонких прямоугольных пластин, а также тонких слоев на подложках такой формы. [53]
На результаты измерений удельного сопротивления сильно влияют усадочные раковины, газовые пузыри, включения и другие дефекты. Более того, рис. 155 показывает, что малые количества примеси, входящей в твердый раствор, также оказывают большое влияние на измеренную проводимость. [54]
Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления полупроводников является самым распространенным. [55]
Предложен метод измерения удельного сопротивления высокоомной области полл7ппово7тникя вапактопв основанный ни оп е еле-нии приращения импеданса на входе СВЧ камеры с диодом, вызванного изменением напряжения смещения на нем. При этом не требуется знания каких-либо параметров полупроводниковой структуры, таких, как площадь барьера, толщина базы и пр. Метод применим для большинства типов современных варакторов с тонкой высоко-омиой областью базы. [56]
 |
Схема установки для компенсационного метода измерения удельного сопротивления. [57] |
Применяемые при измерении удельного сопротивления германия и кремния зонды представляют собой металлические иглы, изготовленные из вольфрамовой проволоки. [58]
Как известно, измерение удельного сопротивления некоторых типов стеклообразных полупроводников, например карбида кремния, вызывает серьезные затруднения. Так, широко распространенные двух-и четырехзондовые методы являются недостаточно удобными для карбида кремния ввиду необходимости в большинстве случаев вплавлять омические контакты. При отсутствии последних необходимо пробивать поверхностную пленку, что ведет к ненадежности результатов. Кроме того, указанные методы дают возможность измерять сопротивление только вдоль образца, а не поперек, как это требуется в большинстве практических случаев. Анизотропия же свойств гексагональной решетки a - SiC не вызывает сомнений. Имеющиеся безэлектродные методы измерения удельного сопротивления в применении к карбиду кремния весьма сложны и недостаточно надежны. Предлагаемый метод в определенной степени свободен от указанных недостатков. [59]
Таким образом, измерение удельного сопротивления земли сводится к измерению взаимного сопротивления участков цепи между двумя парами электродов, установленных на прямой на равных расстояниях друг от друга. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5