Измерение - температура - переход
Cтраница 2
Температура корпуса диода Тс измеряется термоэлектрическим термометром, а для измерения температуры перехода Т, используется температурная зависимость термочувствительного параметра диода, в качестве которого чаще всего выбирают зависимость прямого напряжения от температуры. [16]
Первая статья относится к раннему периоду работы; в ней приводятся результаты измерений температуры перехода сплавов на основе соединения NbsSn, приготовленных обычным методом спекания. Она включена в этот сборник для доказательства того, что металлокерамиче-ский материал, хотя и может быть использован для измерения некоторых макросвойств сверхпроводников, совершенно непригоден для более тонких измерений. [17]
Кроме того, с / эб - широко распространенный температурно-зависимыи параметр, используемый для измерения температуры перехода. [18]
В качестве параметра, зависимого от температуры, принято интегральное входное сопротивление в схеме с общей базой. Дается методика измерения температуры перехода в широком диапазоне изменения разогревающей мощности. Приводятся результаты экспериментального исследования различных типов транзисторов. [19]
Термочувствительный параметр - прямое падение напряжения коллектор-база - используется для измерения температуры перехода германиевых и кремниевых, сплавных и диффузионных приборов, имеющих большую постоянную времени тепловой релаксации кристалла. Метод применяется в тех же случаях, где и метод прямого падения напряжения эмиттер - база, при условии равномерного распределения тока по площади коллекторного перехода. При неравномерном распределении температуры по площади коллектора метод дает еще большую ошибку, чем метод прямого падения напряжения эмиттер - база. [20]
Предельная растворимость Hg в ( РЬ), определенная метолом измерения температур перехода в сверхпроводящее состояние, равна 35 - 40 % ( ат. [21]
Использование в качестве термочувствительного параметра прямого падения напряжения на переходе эмиттер - база ( t / эб) целесообразно для измерения температуры р-п перехода германиевых и кремниевых сплавных и диффузионных приборов в широком диапазоне температур. Нижняя температурная граница измерения близка к абсолютному нулю. Верхняя граница достигает предельной рабочей температуры конкретного образца полупроводникового прибора. Напряжение эмиттер - база определяется на эмиттерном переходе, и при равномерном распределении тока по площади эмиттера это напряжение определяет усредненную температуру по толщине базы. При тонких базах можно считать, что температура базы равна температуре коллекторного перехода. Эб может дать большую погрешность. [22]
Разные типы переходов характеризуются различными энергиями активации, поэтому ширина линии иногда уменьшается при изменении температуры не непрерывным образом. При характеристических температурах переходов время спин-решеточной релаксации Тг достигает минимума. Очень часто для понимания структурных или конформационных особенностей весьма ценным оказывается сравнительное исследование, проводимое, с одной стороны, методом ЯМР для измерения температур переходов и, с другой стороны, методами динамических механических и диэлектрических измерений. [23]
Разные типы переходов характеризуются различными энергиями активации, поэтому ширина линии иногда уменьшается при изменении температуры не непрерывным образом. При характеристических температурах переходов время спин-решеточной релаксации Tt достигает минимума. Очень часто для понимания структурных или конформационных особенностей весьма ценным оказывается сравнительное исследование, проводимое, с одной стороны, методом ЯМР для измерения температур переходов и, с другой стороны, методами динамических механических и диэлектрических измерений. [24]
 |
Зависимость скорости разрушения от температуры.| Зависимость скорости разрушения от температуры для двух различных материалов трубы. [25] |
Важная полемика шла и о том, какой способ следует считать правильным, так как иногда путают явления инициирования и распространения разрушения. Некоторые значения температуры перехода, установленные на основании лабораторных исследований, не имеют отношения к реальному поведению материала конструкции. Истинная температура перехода при распространении разрушения является, несомненно, важным фактором при анализе распространения разрушения. Лабораторное испытание, при котором можно правильно установить эту истинную темпер а - ТУРУ, перехода при распространении разрушения, очень полезно. Однако оно дает мало пользы для измерения температуры перехода, так как не рассматривается реальное поведение материала. [26]
Страницы: 1 2