Измерение - электрическая характеристика
Cтраница 3
Применение высокоселективных детекторов в жидкостной хроматографии очень ограничено. Большинство из них основано на измерении электрических характеристик, что неосуществимо для многих анализируемых веществ. В литературе описаны системы, основанные на измерении электропроводности растворов, диэлектрической проницаемости и вольт-амперных зависимостей. Для количественной оценки состава элюата применяют радиоактивные и атомно-абсорбционные методы определения. [31]
Время переноса ТЭЗ из одной камеры в другую не должно превышать 2 - 3 мин. По окончании испытаний ТЭЗ выдерживают в нормальных условиях ( время выдержки оговаривается в ТУ), после чего производится внешний осмотр и измерение электрических характеристик. [32]
 |
Зависимость угла потерь от частоты ( а и изменение электрических свойств при повышении напряжения ( б для нового типа поликарбонатного конденсатора. [33] |
Для конденсаторов данного типа установлена хорошая самовосстанавливаемость при пробое. На рис. 61, б показано изменение емкости ( 1) и угла потерь ( 2) при ступенчатом повышении напряжения, прикладываемого к конденсатору, с измерением электрических характеристик после каждой ступени. [34]
Это обстоятельство наряду с упоминавшимися ранее может служить причиной различий в параметрах, характеризующих кинетику люминесценции и фотопроводимости. Кроме того, описанные методы пригодны только для исследования монокристаллов. Измерение электрических характеристик порошков затрудняется поверхностными и барьерными эффектами ( см. гл. IV), влияние которых на фотопроводимость значительно сильнее, чем на люминесценцию. Между тем большая часть физико-химических исследований проводится с использованием порошкообразных кри-сталлофосфоров, так как их химический состав легче контролировать, и в силу усреднения свойств в большой массе мелких кристаллитов облегчается получение однородных образцов с воспроизводимыми оптическими свойствами. Немаловажное значение имеет и то обстоятельство, что используемые промышленностью полупроводниковые кр Исталлофосфоры, как правило, представляют собой порошки. Выход из положения состоит в параллельном исследовании порошкообразных люминофоров и близких к ним по составу монокристаллов. [35]
 |
Диаграммы направленности плоского волноводного излучателя с многослойным диэлектрическим покрытием. [36] |
При расчете характеристик излучения антенн с диэлектрическими покрытиями необходимо учитывать значения е и tg 5 материала покрытия, которые могут изменяться под воздействием, окружающей среды. Поэтому необходимо проводить измерения электрических характеристик диэлектриков при воздействии на них влаги. [37]
 |
Схема экспериментальной установки для изучения БЛМ - Светоприемнин.| Сравнение некоторых свойств искусственных бнслоЙных н биологических мембран. [38] |
На рисунке 302 показана схема экспериментальной установки, обычно применяемой для проведения измерений на би ело иных мембранах. Лучше всего эта модельная система подходит для измерения электрических характеристик липидного бислоя, таких, как электрическая емкость, проводимость, потенциал пробоя, мембранные потенциалы и др. Именно благодаря возможности проведения разнообразных электрических измерений БЛМ сыграли исключительно важную роль в изучении ионного транспорта через биологические мембраны. В таблице 25 сравниваются некоторые физические характеристики БЛМ и биологических мембран. [39]
Они подробно разбираются в соответствующих руководствах и здесь поэтому не приводятся. Влияние среды может быть исключено в известной мере при прессовании образцов под высоким давлением или учтено, если известны размеры межкристаллического пространства. Зачастую для выявления влияния примесей достаточно сравнения менаду собой результатов, полученных в единообразных условиях. Тогда степень спрессованности таблеток существенной роли не играет. Измерение электрических характеристик монокристаллов и прессованных таблеток в принципе производится одинаково. [40]
Однако применение обычных ( четырехплечих) мостовых схем для измерений на высокой частоте связано с рядом затруднений, обусловленных влиянием паразитных связей и утечек. Для устранения влияния паразитных связей необходимы тщательная экранировка и заземление отдельных элементов схемы. Некоторые трудности вызывает также выполнение чисто активных ( безындуктивньих и безъемкостньпх) переменных сопротивлений при высокой частоте. Кроме того, равновесие моста зависит от частоты источника питания; мосты необходимо питать напряжением, возможно более близким к синусоидальному, или применять указатели равновесия, показания которых не зависят от гармоник. В результате мосты для измерения обеих составляющих комплексного сопротивления на высокой частоте представляют собой достаточно громоздкие сложные и дорогие приборы, а измерение на них и, в частности, уравновешивание моста трудоемки. Такие мосты нашли применение для измерения электрических характеристик влагосодержащих материалов, но они почти не применяются во влагомерах, работающих при высоких и очень высоких частотах. [41]
Страницы: 1 2 3