Изображение - зависимость
Cтраница 1
Изображение зависимостей ( D0 / D2) omn по обеим формулам представлено на фиг. [1]
 |
Зависимость концентрации частиц в беспримесном полупроводнике от температуры. [2] |
Изображение зависимости концентрации частиц от температуры в полулогарифмическом масштабе весьма удобно, так как с изменением температуры на несколько десятков Градусов концентрация носителей заряда может изменяться на несколько-порядков. [3]
Другим способом изображения зависимости электронной плотности от расстояния и направления является изображение концентрических сфер, на каждую из которых наносятся линии равной электронной плотности. [4]
 |
Теплопроводность углекислого газа, ккал м-ч-град. [5] |
Зельшопп 1При изображении зависимости теплопроводности от плотности получил вблизи критической плотности максимум и считал, что он Происходит из-за конвекции в исследуемом слое вещества. Полученная таким / образом зависимость принималась им зако-номерностйю действительных значений теплопроводности от плотности. [6]
Возможен вариант4) изображения зависимости переменной х от параметра t на фазовой траектории в виде стрелки на ней, показывающей направление движения с ростом времени. [7]
 |
Поперечное сечение электронной плотности электрона на. [8] |
Наилучшим подходом является изображение зависимости функции Ф от переменных 6р, как сделано на рис. 11 для р-электрона. Результирующая поверхность состоит из двух сфер, соприкасающихся в начальной точке. Значение 0Ф для данной пары значений 0 и ф равно расстоянию ОХ между началом О и поверхностью, измеренному вдоль радиуса-вектора, определенного этими углами. Для одной сферы функция 0Ф оказывается в действительности положительной, а для другой - отрицательной, но в этой книге такие детали не понадобятся. Таким образом, Ф имеет максимальное значение вдоль линии АОВ и равно нулю в плоскости касания обеих сфер; эта плоскость называется узловой плоскостью. [9]
Под физико-химической фигурой понимается изображение зависимости между параметрами физико-химической системы, из которых по крайней мере один является параметром свойства. В зависимости от числа параметров фигура может быть объемной или плоской. В частном случае, когда физико-химическая фигура целиком помещается на плоскости, а также проекция ее на плоскость, если она имеет более двух измерений, называется физико-химической диаграммой или просто диаграммой. [10]
 |
Зависимость lg x от обратного значения температуры. [11] |
Для удобства и большей наглядности изображения зависимости растворимости от условий равновесия широко пользуются графическими методами. [12]
Наиболее удобной и общепринятой формой изображения зависимости характера микроструктуры рекристаллизованного материала от условий деформации и нагрева являются так называемые диаграммы рекристаллизации. [13]
Какие оси координат следует взять для изображения зависимости v kc в виде прямой линии и как использовать полученный график для определения порядка реакции. [14]
 |
Зависимость удельного объема v от текучести р жидкости. [15] |
Страницы: 1 2 3 4