Изоляция - затвор
Cтраница 1
Изоляция затвора позволяет хранить заряд на нем, а, следовательно, записанную информацию в течение нескольких лет. Для снятия заряда перед перепрограммированием ( стирания информации) поверхность транзистора облучают через специальное окно в корпусе ультрафиолетовым излучением. [1]
 |
Входной ток усилителя на ПТ-это ток утечки затвора, который удваивается при повышении температуры на каждые 10 С. [2] |
МОП-транзисторов изоляция затвора ( двуокись кремния) несовершенна, что приводит к токам утечки, находящимся в пикоамперном диапазоне. У ПТ с р - - переходом изоляция затвора на самом деле является обратносмещенным диодным переходом и механизмы тока утечки через нею те же, что и у обычного диода. Кроме того, ПТ с р - переходом ( - канальные в особенности) подвержены дополнительному эффекту, известному как ток ударной ионизации затвора; он может достигать астрономических уровней. И наконец, как ПТ с р - переходом, так и МОП-транзисторы имеют динамический ток затвора, возникающий при воздействии сигналов переменного тока на емкость затвора; это может вызвать эффект Миллера, совсем как у биполярных транзисторов. [3]
Необходимость изоляции затвора от полупроводникового канала в МОП-структуре с помощью окисла ( см. рис. 8.9) отрицательно сказывается на увеличении граничной частоты полевого транзистора. Материалом для данного прибора служит кремний или ар-сенид галлия, что позволяет снизить активные потери в приборе и поднять максимальную частоту усиления. [4]
В / см), минимальная величина и стабильность зарядов в слое и др. В настоящее время изоляцию затвора в - кремниевых интегральных микросхемах на МДП-транзисторах осуществляют с помощью двуокиси кремния SiO2, которая обладает достаточной электрической прочностью в тонких слоях. Однако слой SiOa имеет довольно большой положительный объемный заряд, который необходимо стабилизировать в процессе изготовления и учитывать при расчетах. [5]
Хотя любое полупроводниковое устройство можно вывести из строя хорошей искрой, однако устройства на МОП-транзисторах особенно чувствительны к пробою, поскольку энергия, запасаемая в емкости затвор - канал, при достижении напряжения пробоя становится достаточной для того, чтобы пробить отверстие в тонком слое изоляции затвора. Если эта искра проскакивает от вашего пальца, то ваши 100 пФ лишь вносят дополнительный вклад в этот процесс. МОП-транзистора на стойкость к электростатическому разряду) показывает, какого рода неприятности могут произойти. [7]
В этом случае имеет место значительный ток через прибор. Вследствие изоляции затвора ( от полупроводника) его потенциал может быть сделан положительным или отрицательным без заметного потребления управляющего тока. Изменение управляющего напряжения примерно на 1 в вызывает изменение тока через прибор примерно на порядок. Пленочные транзисторы обладают высоким входным сопротивлением ( более 10 Мом), большой крутизной ( от 5 до 30 ма / в) граничной частотой около 100 Мгц. Вольт-амперная характеристика их аналогична пентодной. Они могут использоваться также в качестве диодов, если соединить затвор с истоком. [8]
 |
Полевой транзистор с управляющим переходом. [9] |
Управляющий электрод, изолированный от канала, называют затвором. По способу изоляции затвора различают два типа полевых транзисторов: с управляющим р-и-переходом, или с р-п-за-твором, и с изолированным затвором. [10]
 |
Особенности инвертора КМОП. [11] |
Конденсатор С на рис. 2.4, в символизирует входную емкость инвертора. Диоды VD1 - VD3 защищают изоляцию затвора от пробоя. Диод VD1 имеет пробивное напряжение 25 В, VD2 и VD3 - 50 В. [12]
 |
Входной ток усилителя на ПТ-это ток утечки затвора, который удваивается при повышении температуры на каждые 10 С. [13] |
При меньших напряжениях затвор - канал ток утечки затвора / 3 ут, опять-таки при соединенных накоротко истоке и стоке, значительно меньше, и этот ток быстро падает до пикоамперного диапазона, когда напряжение затвор-сток существенно меньше напряжения пробоя. У МОП-транзисторов никогда нельзя допускать пробоя изоляции затвора; в данном случае утечка затвора определяется как некоторый максимальный ток утечки при определенном заданном в спецификации напряжении затвор-канал. В интегральных усилительных схемах на ПТ ( например, в ОУ на ПТ) для спецификации входного тока утечки применяется не дающий правильного представления о сути дела входной ток смещения / см; обычно его величина лежит в пикоамперном диапазоне. [14]
 |
Входной ток усилителя на ПТ-это ток утечки затвора, который удваивается при повышении температуры на каждые 10 С. [15] |
Страницы: 1 2