Возможность - самовозбуждение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Жизненно важные бумаги всегда демонстрируют свою жизненную важность путем спонтанного перемещения с места, куда вы их положили на место, где вы их не сможете найти. Законы Мерфи (еще...)

Возможность - самовозбуждение

Cтраница 1


Возможность самовозбуждения вытекает из того, что при наличии в цепи индуктивности и емкости происходит обмен энергиями между магнитным и - электрическим полями.  [1]

Возможность самовозбуждения вытекает из того, что при наличии в цепи индуктивности и емкости происходит обмен энергиями между магнитным и электрическим полями.  [2]

Следует учитывать возможность самовозбуждения транзисторов, как высокочастотных элементов с большим коэффициентом усиления.  [3]

Чтобы исключить возможность самовозбуждения системы при со2й, значения амплитудно-частотной характеристики разомкнутой цепи на всех частотах не должны превышать единицы.  [4]

5 Принцип устройства амплитрона. [5]

Чтобы устранить возможность самовозбуждения колебаний тс-вида ( как в магнетроне), в амплитроне делают обычно нечетное число резонаторов. В амплитроне так же, как и в магнетроне, возникает замкнутое вращающееся электронное облако, которое взаимодействует с движущейся навстречу электромагнитной волной. При передаче энергии электронов этой волне происходит усиление колебаний.  [6]

Для исключения возможности самовозбуждения в усилительных устройствах принимаются разнообразные меры: во-первых, число каскадов, охваченных ОС, должно быть ограничено, так как каждый новый каскад увеличивает фазовый сдвиг на высоких частотах. Поэтому в ОУ применяют трехкаскадные схемы, а в последние годы - и двух-каскадные ОУ. Возможности получения очень высоких значений Ки в одной ИМС при этом ограничиваются. Во-вторых, применяют корректирующие RC-цепочки, ко. ОУ и снижают Ки на частоте f до минимума, при котором условия самовозбуждения не выполняются, т.е. K yil при ф я. Амплитудно-частотная характеристика ОУ при этом изменяется, как показано на рис. 2.27, а пунктиром.  [7]

Для исключения возможности самовозбуждения в усилительных устройствах принимаются разнообразные меры: во-первых, число каскадов, охваченных ОС, должно быть ограничено, так как каждый новый каскад увеличивает фазовый сдвиг на высоких частотах. Поэтому в ОУ применяют трехкаскадные схемы, а в последние годы - и двух-каскадные ОУ. Возможности получения очень высоких значений Ки в одной ИМС при этом ограничиваются. Во-вторых, применяют корректирующие RC-цепочки, которые подключаются к определенным выводам ОУ и снижают Ки на частоте / до минимума, при котором условия самовозбуждения не выполняются, т.е. / С - у1 ПРИ Ф я. Амплитудно-частотная характеристика ОУ при этом изменяется, как показано на рис. 2.27, а пунктиром.  [8]

9 Схемы автоматической регулировки яркости. [9]

Сопротивление в предотвращает возможность самовозбуждения каскада. Связь выходной лампы с отклоняющими катушками осуществляется по автотрансформаторной схеме. Устранение волнистости строк в левой части растра из-за паразитных колебаний, которые возникают в отклоняющей системе, достигается соединением средней точки строчных катушек и средней точки выходной обмотки ТВС. Происходящие при таком включении процессы могут быть объяснены следующим образом.  [10]

RfCj и R12C2 предотвращают возможность самовозбуждения. Стабилизирующее действие цепи R - C1 состоит в том, что резкие изменения ( скачки) напряжения на выходе первого каскада передаются через конденсатор Сх с сетки лампы Л3 на сетку лампы Л4 и наоборот. Благодаря этому устраняется раз-балансировка плеч второго каскада на время скачков выходного напряжения первого каскада.  [11]

При конструировании аппаратуры следует учитывать возможность самовозбуждения за счет паразитных связей.  [12]

При конструировании схем следует учитывать возможность самовозбуждения транзисторов за счет паразитных связей.  [13]

При конструировании аппаратуры следует учитывать возможность самовозбуждения транзистора за счет паразитных связей.  [14]

При конструировании аппаратуры следует учитывать возможность самовозбуждения транзисторов за счет паразитных связей.  [15]



Страницы:      1    2    3