Водоохлаждаемый анод

Cтраница 1

Водоохлаждаемый анод 9 находится в магнитной катушке 11 ] он отделен от катода промежуточным водоохлаждаемым электродом 7, отделенным изоляторами от обоих электродов. [1]

В насосах с водоохлаждаемым анодом в отличие от диодных неохлаждаемых насосов высокое отрицательное напряжение подается на катоды, изолированные от корпуса, а анод насоса заземлен. [2]

С целью обеспечения стойкости плоского анода при работе с водородосодержащими смесями применяется вращающийся водоохлаждаемый анод. [3]

Торированный вольфрамовый катод диаметром 3 2 мм центрирован в вертикальном положении в слегка коническом отверстии диаметром 6 35 мм медного водоохлаждаемого анода. [4]

Верхняя часть камеры закрыта водоохлаждаемым фланцем 12 с внутренними каналами 13 для ввода UFe. Водоохлаждаемый анод 9 находится в магнитной катушке 11; он отделен от катода промежуточным водоохлаждаемым электродом 7, отделенным изоляторами от обоих электродов. [5]

Конструкция плазмотрона с тангенциальной подачей плазмообразующего газа.| Схема плазменной печи для плавки слитков в кристаллизатор. [6]

Стенки камеры 2 выполнены из изоляционного материала; вводимый газ охлаждает их, и при правильной конструкции стенки не перегреваются. Медный водоохлаждаемый анод 3 со вставкой из тугоплавкого металла замыкает полость вихревой камеры. Струя плазмы входит в камеру смешения из сопла 3, куда могут подаваться продукты обработки в виде газа или порошка. [7]

Схема установки Булат-ЗТ. [8]

Установка, используемая в процессе HCD, состоит из пушки, дающей электронный пучок, который отклоняют на медный под с помощью слабого магнитного поля. Через танталовую трубку полого катода вводят аргон. Между водоохлаждаемым анодом и катодом подается напряжение 50 В при силе тока 130 А. На графитовую подкладку толщиной 6 мм, размещенную на поде устанавливают титановую лепешку массой 30 г. Давление аргона 0 1 Па, скорость осаждения TiC - 0 2 мкм / мин. Температура подложки 650 С, а в качестве газа-реагента предпочтительнее использовать метан или этилен, в то время как применение ацетилена приводит к загрязнению стенок вакуумной камеры и тыльной стороны подложки. Методами рентгеновской дифрактометрии и Оже-спектро-скопии установлено, что путем выбора соответствующих условий осаждения может быть получена пленка TiC стехиометрического состава. [9]

Страницы: 1